Placa de germânio, GE wafers
Quantidade Mínima: | 1 Caixa |
---|---|
Porto: | Shenzhen, China |
Condições de Pagamento: | L/C, T/T, D/P, Western Union, Paypal, Money Gram |
Descrição de Produto
Informações da Empresa
Descrição de Produto
Como um metal raro, o germanium tem muitas propriedades originais. Tal como, boa estabilidade química, forte resistência à corrosão, processamento fácil, transmitância elevada e uniforme, índice de refracção elevado, elevada resistência à radiação, alta frequência e bom desempenho fotoeléctrico.
Os substratos de germânio podem ser sempre utilizados para fabricar dispositivos semicondutores, lentes de infravermelhos e substratos de células solares.
Propriedades físicas do wafer do germanium
Material | Germânio | ||
---|---|---|---|
Método de crescimento | CZ | ||
Estrutura | M3 | ||
Rede (A) | 5.65754 | ||
Ponto de fusão | 937.4ºC | ||
Densidade (g/cm3) | 5.323 g/cm3 | ||
Material dopado | sem | SB - dopado | Entrada/dopagem GA |
Digite | / | N | P |
Resistividade | > 35 Ωcm | 0.05 Ωcm | 0.05 ~ 0.1 Ωcm |
Expansões térmicas | < 4 x103/cm2 | < 4 x103/cm2 | < 4 x103/cm2 |
Especificações do wafer de germânio
Tamanho | 10x3, 10x5, 10x10, 15x15, 20x 15, 20x 20, dia 1'', dia 2'' | ||
---|---|---|---|
Espessura | 0,33 mm, 0,43 mm 0,5 mm, 1,0 mm | ||
Polido | SSP ou DSP | ||
Orientação | < 100>, < 110>, < 111> | ||
Precisão de redirecionamento | ± 0.5 ° | ||
RA: | ≤ 5Å (5µm × 5µm) |
Pacote de bolachas de germânio
Embalados com saco limpo de classe 100 ou recipiente de wafers numa sala limpa de classe 1000.
Produtos relacionados de Germanium waher
Substratos supercondutores Substrato de ítrio Orthoaluminato Substrato de aluminato de magnésio (Spinel) Substrato LaAlO3 Óxido de magnésio Substrato titanato de estrôncio Substrato LSAT Substrato YSZ Substrato de neodímio Gallate Substrato de tântalato de potássio Substrato LaSrAlO4 | Substratos magnéticos de ferroeletricidade Substrato de gálio gadolium Garnet Substrato de Garnet de gálio de Terbium Substrato titanato de estrôncio dopado com neodímio Ferrum doped Strontium titanato substrato Nióbio dopado Strontium titanato substrato Placa de safira Substrato de rutilo | Wafers semicondutores Placa de germânio Disco de silicone Bolacha de arseneto de índio Bolachas de arseneto de gálio Bolacha de antimonida de gálio Placa de fosforeto índio Óxido térmico de silicone wafers |
Substratos de película fina GAN Bolachas de nitreto de gálio Substrato de ScAlMgO4 Substrato aluminado de lítio Disco de carboneto de silício Substrato de óxido de zinco Substrato aluminado de magnésio | Substratos de halogeneto Substrato de brometo de potássio Substrato de cloreto de potássio Substrato de cloreto de sódio | Substratos cerâmicos Substrato cerâmico de alumina Substrato cerâmico Nitride em alumínio Substrato cerâmico de zircónio Substrato cerâmico de silicone Nitride Substratos metálicos Substrato de cobre Substrato de alumínio |
Endereço:
Rm. 408, Building 1, No. 31, Yinshan Road Yuelu District, Changsha, Hunan, China
Tipo de Negócio:
Fabricante / Fábrica
Escala de Negócios:
Maquinaria de Manufatura & Processamento, Químicas
Certificação de Sistema de Gestão:
ISO 9001, ISO 9000
Produtos Principais:
Alvo de escorriamento, material de evaporação, cadinhos, barcos de evaporação, filamento térmico, Substrato de película fina, material de Crytstal, pó
introdução da companhia:
A Changsha Advanced Engineering Materials Limited (AEM) é uma empresa internacional envolvida na I&D, fabrico e vendas de todos os tipos de materiais de alta tecnologia. Fornecemos institutos de investigação mundiais e empresas de alta tecnologia com materiais não ferrosos de elevada pureza, ligas personalizadas, compostos e quase todos os tipos de materiais sintéticos complicados, etc. temos grandes vantagens em alvos de esmulação de magnetrões, materiais de revestimento a vácuo, metais de elevada pureza, compostos de elevada pureza, metais de terras raras, metais de terras raras destilados, substratos revestidos, etc.