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Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

Jiangsu, China
Tipo de Negócio:
Manufacturer/Factory & Trading Company
Produtos Principais:
MOSFETs , díodos , IGBT , transístor , tiristor , IC
Número de Empregados:
156
Ano de Fundação:
2004-12-07
Certificação de Sistema de Gestão:
ISO9001:2015, ISO14001:2015, IATF16949
Tempo Médio de Liderança:
Peak Season Lead Time: 1-3 months
Off Season Lead Time: one month
Serviço OEM / ODM
Amostra Disponível
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Fabricante/fornecedor de MOSFETs, díodos, IGBT, transístor, tiristor, IC da China, oferecendo MODO de melhoramento DE POTÊNCIA DE 650 V N-Channel MOSFET F8n65 a 220f, Díodo de recuperação rápida de 60 a 300 V Mur6030nca a 3p, Díodo de recuperação rápida de 60 a 200 V Mur6020nca a -3 pn qualificados e assim por diante.

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Membro Diamante Desde 2021

Fornecedores com licênças comerciais verificadas
Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd
Committed to becoming a leader in
POWER SEMICONDUCTOR
Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd
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POWER SEMICONDUCTOR
Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

DIODE

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Díodo de recuperação rápida de 80 a 400 V Mur80fu40DCT a 3P
Díodo de recuperação rápida de 80 a 400 V Mur80fu40DCT a 3P
Preço FOB: US$ 0,482 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
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20A Díodo Mbr20100CT para -220 de barreira Schottky de 100 V baixa VF
20A Díodo Mbr20100CT para -220 de barreira Schottky de 100 V baixa VF
Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
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Díodo de recuperação rápida de 1200 V de 75 a 247 L Mur75120 a.
Díodo de recuperação rápida de 1200 V de 75 a 247 L Mur75120 a.
Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
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Díodo de barreira Schottky Mbr40100CT a -220 de 40 V.
Díodo de barreira Schottky Mbr40100CT a -220 de 40 V.
Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
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10A 200V rápida recuperação do díodo D92-02B-3p **%desligado
10A 200V rápida recuperação do díodo D92-02B-3p **%desligado
Preço FOB: US$ 0,769-0,923 / Peça
Quantidade Mínima: 1.800 Peças
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80A 300V rápida recuperação do Díodo Mur80fu30bct para-247
80A 300V rápida recuperação do Díodo Mur80fu30bct para-247
Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
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15A 1200V Díodo de recuperação rápida Mur15fu120 a-220c-2L
15A 1200V Díodo de recuperação rápida Mur15fu120 a-220c-2L
Preço FOB: US$ 0,252 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
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Díodo de barreira Schottky Mbr40150CT a -263 de 40 V.
Díodo de barreira Schottky Mbr40150CT a -263 de 40 V.
Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
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MOSFET

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MOSFET 12n60 a -220 de potência de modo de melhoramento de canal N de 600 V 12A
MOSFET 12n60 a -220 de potência de modo de melhoramento de canal N de 600 V 12A
Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
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100 A, modo de melhoramento N, 68 V, MOSFET de potência Dh100n06f a -220
100 A, modo de melhoramento N, 68 V, MOSFET de potência Dh100n06f a -220
Preço FOB: US$ 0,148 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
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7A potência de super junção N-Channel 650V MOSFET Dhfsj7n65 a 220f
7A potência de super junção N-Channel 650V MOSFET Dhfsj7n65 a 220f
Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
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MODO de melhoramento N de 90 V DE 140 A potência MOSFET Dh140n09 a -220
MODO de melhoramento N de 90 V DE 140 A potência MOSFET Dh140n09 a -220
Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
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Dhs020n85 a -220 180A 85 V N-Channel modo de melhoramento Power MOSFET
Dhs020n85 a -220 180A 85 V N-Channel modo de melhoramento Power MOSFET
Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
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Modo de melhoramento N-Channel 70V/ 6.3mΩ/100A potência MOSFET Dh070n07 a 220c
Modo de melhoramento N-Channel 70V/ 6.3mΩ/100A potência MOSFET Dh070n07 a 220c
Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
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Dh045n04D a -252 120A modo de melhoramento de canal N 40V MOSFET de potência
Dh045n04D a -252 120A modo de melhoramento de canal N 40V MOSFET de potência
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
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Modo de melhoramento N de 650 V 4A potência MOSFET D48n65 a -252
Modo de melhoramento N de 650 V 4A potência MOSFET D48n65 a -252
Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
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IGBT

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Transístor bipolar de porta isolada IGBT G70n65D a -247
Transístor bipolar de porta isolada IGBT G70n65D a -247
Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
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Transístor bipolar de porta isolada IGBT G60t65D a 3P
Transístor bipolar de porta isolada IGBT G60t65D a 3P
Preço FOB: US$ 0,01-0,2 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
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Transístor bipolar de porta isolada IGBT G25t120d a -247
Transístor bipolar de porta isolada IGBT G25t120d a -247
Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
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Transístor bipolar de porta isolada IGBT G40n60d a -247**% de desconto
Transístor bipolar de porta isolada IGBT G40n60d a -247**% de desconto
Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
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Transístor bipolar de porta isolada IGBT G30n120d a -247
Transístor bipolar de porta isolada IGBT G30n120d a -247
Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
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Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G40N120D-247
Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G40N120D-247
Quantidade Mínima: 1.800 Peças
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SIC MOSFET & SIC DIODE

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MOSFET de potência SIC N-Channel de 650 V Dcf040m65g2 a -247-4L 40mΩ
MOSFET de potência SIC N-Channel de 650 V Dcf040m65g2 a -247-4L 40mΩ
Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
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Vídeo
MOSFET de potência SIC N-Channel DE 1200 V Dcc160m120g1 a -247-3L DE 18 A.
MOSFET de potência SIC N-Channel DE 1200 V Dcc160m120g1 a -247-3L DE 18 A.
Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
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Diodo de barreira SIC Schottky de 650 V Dcd20d65g4 a -252
Diodo de barreira SIC Schottky de 650 V Dcd20d65g4 a -252
Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
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Díodo de barreira Schottky 1200V SIC Dcc20d120g4 a -247
Díodo de barreira Schottky 1200V SIC Dcc20d120g4 a -247
Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
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Perfil da Companhia

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Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd
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Tipo de Negócio: Fabricante/Fábrica & Empresa Comercial
Produtos Principais: MOSFETs , díodos , IGBT , transístor , tiristor , IC
Número de Empregados: 156
Ano de Fundação: 2004-12-07
Certificação de Sistema de Gestão: ISO9001:2015, ISO14001:2015, IATF16951
Tempo Médio de Liderança: Tempo de Entrega da Alta Temporada: 1-3 Meses
Tempo de Espera Fora da Temporada: Um ...
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Jiangsu Donghai Semiconductor Technology Co., Ltd. Foi criada em Dezembro de 2004 com um capital social de 66.19 milhões de yuan e um capital de investimento de 280 milhões de yuan.

Tem 325 funcionários, incluindo 50 funcionários de aplicações, design e I&D. A nossa empresa é especializada em I&D e na produção de dispositivos de potência semicondutores e circuitos integrados.

Nossa empresa foi classificada como uma empresa de alta tecnologia na Província de Jiangsu. É uma empresa de contrato ...

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