Molde de grafite de elevada pureza para implantação de iões em semicondutores

• Tipo: Graphtie Parts
• Composição: Carbon
• Conteúdo de Carbono: Alto Carbono
• Grau: Grau Industrial
• Formando Way: Grafite Isostático
• densidade: 1.85 g/cm3
• N ° de Modelo.: HBHTSEM012
• resistência específica: No More Than 8.5
• força de compressão: 34 MPa Min
• forma: Cuistomized
• material: grafite purificada
• Pacote de Transporte: Wooden Case
• Especificação: Customized
• Origem: Hebei, China
• Capacidade de Produção: 500000 Piece/Pieces Per Month

Descrição de Produto

 Semicondutor

Semicondutor refere-se ao material cuja condutividade está entre o condutor e o isolador à temperatura normal. Os semicondutores são utilizados em circuitos integrados, electrónica de consumo, sistemas de comunicação, produção de energia fotovoltaica, iluminação, conversão de energia de alta potência e outros campos. Por exemplo, os díodos são dispositivos fabricados com semicondutores. Da perspectiva da tecnologia ou do desenvolvimento económico, a importância dos semicondutores é muito grande.
 

Sobre a Introdução à implantação de iões  

A implantação iônica é um processo complexo e sensível e é utilizada na fabricação de semicondutores. Durante o processo de implantação, os íons dopantes são acelerados e implantados em um substrato de silício monocristalino para manipular suas propriedades em massa. Boro, fósforo e germânio são alguns dos materiais dopantes típicos. Sistemas Implanter dope wafers com átomos estranhos para modificar propriedades de material como condutividade ou estrutura de cristal. O percurso do feixe é o centro de um sistema implantador. Aqui os íons são gerados, concentrados, muito acelerados, e focalizados no wafers em velocidades muito altas.
 

 

Componentes de implantação de iões principais características:
Compatibilidade de materiais: Os componentes de implantação de iões são fabricados a partir de materiais de elevada pureza, excelente condutividade térmica e resistência a ambientes adversos.
Design de precisão: Os componentes são meticulosamente concebidos para garantir um alinhamento preciso do feixe, uma distribuição uniforme da dose e efeitos de dispersão mínimos.
Resistência ao desgaste: Os componentes de implantação de iões são revestidos ou tratados para aumentar a resistência ao desgaste e minimizar a geração de partículas, prolongando a sua vida útil operacional.
Controlo da temperatura: Os métodos de dissipação de calor eficientes são integrados para manter a estabilidade da temperatura durante os processos de implantação de iões, garantindo resultados consistentes.
Personalização: Os componentes de implantação de iões foram concebidos para corresponder a equipamento específico
 

 

Propriedades ideais do produto
Temperaturas até 1400 ° C, campos eletromagnéticos fortes, gases de processo agressivos e forças mecânicas elevadas são um problema para materiais regulares. Não é assim com nossos produtos. Os nossos componentes resistentes ao calor, feitos de grafite, oferecem a combinação ideal de resistência à corrosão, resistência ao material, boa condutividade térmica e pureza absoluta. Asseguram que os iões são gerados de forma eficiente e que são focados com precisão na placa no feixe sem quaisquer impurezas. Os nossos componentes e peças sobresselentes fabricados a partir de grafite ajudam a garantir que este processo é o mais eficiente, preciso e isento de impurezas possível.
 

Equipamentos avançados:  
 

 

Propriedades em material de grafite:  

Propriedade (Valor típico)	TSK	GSK	Unidade
Densidade aparente	≥ 1.68	≥ 1.72	g/cm3
Tamanho máximo de grão	≤ 2	≤ 0.8	mm
Resistividade elétrica específica	8-10	≤ 8.5	μΩm
Força flexural	≥ 12.5	≥ 15	MPa
Resistência à compressão	≥ 28	≥ 35	MPa
Porosidade	≤ 24	≤ 20	%
Valor de cinza	≤ 0.3	≤ 0.3	%

 

Propriedade (Valor típico)	HTG-4	HTG-5	Unidade
Densidade aparente	≥ 1.78	≥ 1.85	g/cm3
Tamanho máximo de grão	≤ 43	≤ 43	µm
Valor de cinza	≤ 500	≤ 500	ppm
Resistividade elétrica específica	≤ 12	≤ 10	μΩm
Força flexural	≥ 35	≥ 40	MPa
Resistência à compressão	≥ 60	≥ 70	MPa
Dureza Shore	≥ 40	≥ 45	HSD
Expansão térmica (temperatura ambiente até 600ºC C)	≤ 4.5	≤ 4.4	10-6/ºC

 

Propriedade (Valor típico)	HTD-5	HTD-6	HTD-7	HTD-8	HTD-9	Unidade
Densidade aparente	1.85	1.90	1.82	1.90	1.82	g/cm3
Tamanho máximo de grão	13-15	8-10	8-10	8-10		µm
Teor de cinzas	≤ 500	≤ 500	≤ 500	≤ 500	≤ 500	ppm
Teor de CINZAS purificadas	50	50	50	50	50	ppm
Resistividade elétrica específica	8-10	8-9	11-13	11-13	11-13	μΩm
Força flexural	46	55	51	60	59	MPa
Resistência à compressão	85	95	115	135	121	MPa
Dureza Shore	48	53	65	70	70	HSD
Expansão térmica (temperatura ambiente até 600ºC C)	4.75	4.8	5.8	5.85	5.85	10-6/ºC

 

Propriedade	HCT-Z	Unidade
Densidade aparente	1.90	g/cm3
Tamanho médio de grão	3	µm
Valor de cinza	≤ 20	ppm
Resistividade elétrica específica	14	μΩm
Força flexural	85	MPa
Resistência à compressão	150	MPa
Dureza Shore	80	HSD

Nossos Serviços:

Eficiência: O seu einquérito será respondido com 24 horas  

Entrega rápida: A nossa capacidade de produção e o suficiente stock de material queiral garantem um funcionamento rápido
Personalização: Fornecemos serviços OEM com base no seu design e desenhos

Serviço de Design: A nossa equipa de enigneadores profissionais e experientes pode dar-lhe sinais, se necessário
Qualidade e preço: Oferecemos-lhe produtos de grafite de alta qualidade com o preço mais competitivo

Serviços pós-venda: Serviço de rastreamento para feedbacks de nossos produtos de grafite, e nós seremos responsivos para problemas de qualidade.   

Métodos de envio: