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2-12em cristal único bolacha de silício principal

Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico
Material: Semicondutor Composto
Tipo: Semiconductor Intrínseco
Pacote: SMD
Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função
Aplicação: led

Contatar Fornecedor

Membro de Ouro Desde 2018

Fornecedores com licênças comerciais verificadas

Avaliação: 5.0/5
Empresa Comercial

Informação Básica.

método de crescimento
cz e fz
orientação
111 ou 100
resistividade
0.0005 a 150
superfície
lado duplo polido ou lado único polido
dopante
tipo n e tipo p.
partículas
< 30 a 0,3 um
arco
< 30 um
ttv
< 15 um
Pacote de Transporte
Caixa
Origem
Jiaozuo Henan
Capacidade de Produção
100, 000PCS/Month

Descrição de Produto

2-12em cristal único bolacha de silício principal


2-12in Single Crystal Prime Silicon Wafer2-12in Single Crystal Prime Silicon Wafer

1. Qual é wafers de silício e sua aplicação:

Uma bolacha de silício é um material indispensável para a fabricação de semicondutores, que são encontrados em todos os tipos de dispositivos eletrônicos que enriquecem a nossa vida.

Bolacha de silício é o material mais comum e amplamente utilizado para uma variedade de indústrias de alta tecnologia, incluindo circuitos integrados, detector ou dispositivo sensor, fabricação de MEMS, opto-componentes eletrônicos e células solares.

Bolacha de silício é um disco redondo muito fino cortado do silício de alta pureza. Um round lingote de silício é cortada para espessuras de aproximadamente 1 mm. As superfícies do disco resultante são cuidadosamente polido, então ele é limpo, resultando em bolacha concluído. Wafers de silício são feitas de silicone de alta pureza e o material de dispositivos de semicondutores.  Estes discos também podem ser fabricadas com um entalhe ou uma ou duas semi flats.  

2. Fabricar uma bolacha de silício
Crescendo de um  lingote de silício pode levar de uma semana a um mês, dependendo de vários fatores, incluindo o tamanho, a qualidade e a especificação. Mais de 75% de todos os cristais único wafers de silício crescer através do método de Czochralski (CZ).  

2-12in Single Crystal Prime Silicon Wafer

3.Equipamento usamos

2-12in Single Crystal Prime Silicon Wafer

4.Spcifications(produtos relacionados podemos fornecer)
Método de crescer CZ e FZ
Diâmetro 1 a 8 pol.
Concluir Como cortar, de goma, gravados, SSP, DSP
Orientação (100) (111) (110)
Digite N ou P
A resistividade CZ: de 0,0005 para 150 Ωcm
FZ: até 10 kΩcm

 

 

5.FAQ:

P: Qual é o caminho de navegação e o custo?

A:(1) aceitamos a DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS...

  (2) Se você tiver seu próprio express conta, é grande.Se não,poderíamos ajudar você navio-los.  

 Q: Como pagar?

Um: T/T, Paypal, etc

P: Qual é a sua quantidade mínima?

A: (1) Para o inventário, a quantidade mínima é de 5 pcs.

   (2) Para produtos personalizados, a quantidade mínima é de 10 pcs-25PCS.

P: Qual é o tempo de entrega?

A: (1) Para os produtos padrão

     Para o inventário: a entrega é de 5 dias úteis após o fim.

     Para produtos personalizados: a entrega é 2 ou 3 semanas depois que você coloque o fim.

   (2) Para os produtos de forma especial, a entrega é 4 ou 6 workweeks depois que você coloque o fim.

P: Você tem produtos padrão?

R: Os nossos produtos em estoque.

Q: Posso personalizar os produtos com base em minha necessidade?

R: Sim, nós podemos personalizar o material, especificações e revestimento óptico para seus componentes ópticos baseados em suas necessidades.
 



 

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