2 / 4 polegada de nitreto de gálio Aln bolacha Modelo sobre substratos de Sic, Safira

• materiais: nitreto de gálio
• espessura: 3-4um ou 20um
• tamanho: 2 ou 4 polegadas
• tecnologia de fabricação: semicondutor optoelectrónico
• material: semicondutor composto
• digite: semicondutor do tipo n.
• pacote: smd
• aplicação: televisão
• marca: finewin
• Pacote de Transporte: Caixa
• Especificação: 2INCH
• Marca Registrada: FineWin
• Origem: Jiaozuo City Henan Province
• Capacidade de Produção: 1000 PCS/Month

Descrição de Produto

2 / 4 polegada de nitreto de gálio AlN bolacha Modelo sobre substratos de Sic, Safira

1. Qual é templates
Usamos o termo "template" para descrever os nossos produtos como eles são diferentes substratos. Especificamente, um modelo é um substrato de engenharia de materiais compósitos ou, no caso de uma ou mais camadas são adicionadas ao susbstrate original.

2. O pedido
 
LED azul e branco para o quarto luminárias, exibe e uso geral

Os dispositivos de comutação de potência do GAN

3. Produto disponível

2" a 4" modelos do GaN FSS e PSS
Espessura modelos GaN (t=3~20μm)
Modelo de GaN altamente dopados com camada de tipo n (n=< 1E19/cm³)
Ntipo (undoped), Ntipo (Si aditivadas), e Ptype(Mg) dopado modelos estão disponíveis
Modelos de GAN em ambos substres safira e substratos de silício

4. Dispõe de

Drx-FWHM	002	102
3-4μm  GaN/Sapphire	200-300	250-450

  A densidade da luxação: 3.5E+08 cm-2



5. Especificação
Especificação de 2 polegadas

O ponto	A GaN-FS-C-U-C50	A GaN-FS-C-N-C50	A GaN-FS-C-SI-C50
Dimensões	Ф 50, 8 mm ± 1 mm
Espessura	350 ± 25 µm
Área de superfície utilizável	> 90%
Orientação	Plano C (0001) no sentido de ângulo largo Eixo M 0, 35°± 0, 15°
Plano de Orientação	(1-100) ± 0, 5°, 16, 0 ± 1, 0 mm
Plano de Orientação secundária	(11-20) ± 3°, 8, 0 ± 1, 0 mm
Variação de espessura total	≤ 15 µm
Arco	≤ 20 µm
Tipo de condução	Tipo N (Undoped)	Tipo N (Ge-aditivadas)	Semi-Insulating (Fe-aditivadas)
A resistividade(300K)	< 0, 5 Ω·cm	< 0, 05 Ω·cm	> 106 Ω·cm
A densidade de deslocamento	1~9x105 cm-2	5x105 cm-2 ~3x106 cm-2	1~9x105 cm-2
	1~3x106 cm-2		1~3x106 cm-2
Polir	Superfície dianteira: Ra < 0, 2 nm. Epi-pronto polidos Superfície Posterior: Terra fina
Package	Embalado em um ambiente de salas brancas de classe 100, em recipientes de wafers, sob atmosfera de azoto.

Especificação de 4 polegadas

O ponto	A GaN-T-C-U-C100	A GaN-T-C-N-C100
Dimensões	Ф 100 mm ± 0, 1 mm
Espessura	4 µm, 20 µm
Orientação	Plano C(0001) ± 0, 5°
Tipo de condução	Tipo N (Undoped)	Tipo N (Si-aditivadas)
A resistividade 300K	< 0, 5 Ω·cm	< 0, 05 Ω·cm
Concentração do transportador	< 5x1017 cm-3	> 1x1018 cm-3
Mobilidade	~ 300 cm2/V·s	~ 200 cm2/V·s
A densidade de deslocamento	Inferior a 5x108 cm-2
Estrutura do substrato	O GaN sobre Sapphire(Standard: SSP  Opção: DSP)
Área de superfície utilizável	> 90%
Package	Embalado em um ambiente de salas brancas de classe 100, em cassetes de 25 pcs ou simples recipientes de wafers, sob atmosfera de azoto.

6. Fotos do produto