• Diâmetro 25,4mm bolacha de silício para inspeções termográficas
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Favoritos

Diâmetro 25,4mm bolacha de silício para inspeções termográficas

método de crescimento: cz e fz
orientação: 111 ou 100
resistividade: 0.0005 a 150
superfície: lado duplo polido ou lado único polido
dopante: tipo n e tipo p.
partículas: < 30 a 0,3 um

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Membro de Ouro Desde 2018

Fornecedores com licênças comerciais verificadas

Avaliação: 5.0/5
Empresa Comercial

Informação Básica.

arco
< 30 um
ttv
< 15 um
tecnologia de fabricação
semicondutor optoelectrónico
material
semicondutor composto
digite
semicondutor intrínseco
pacote
smd
processamento de sinal
função e composto digital analógico
aplicação
led
Pacote de Transporte
Box
Origem
Jiaozuo Henan
Capacidade de Produção
100, 000PCS/Month

Descrição de Produto

Diâmetro 25,4mm   bolacha de silício  para inspeções termográficas


1. Qual é wafers de silício e sua aplicação:
Uma bolacha de silício é um material indispensável para a fabricação de semicondutores, que são encontrados em todos os tipos de dispositivos eletrônicos que enriquecem a nossa vida.

Bolacha de silício é o mais comum e amplamente utilizado para uma variedade de indústrias de alta tecnologia, incluindo circuitos integrados, detector ou dispositivo sensor, fabricação de MEMS, opto-componentes eletrônicos e células solares.

Bolacha de silício é um muito finos disco redondo cortadas de alta pureza silício. Um round lingote de silício é cortada para espessuras de aproximadamente 1 mm. As superfícies do disco resultante são cuidadosamente polido, então ele é limpo, resultando na bolacha concluída. Wafers de silício são feitas de alta pureza, silício e o material de dispositivos de semicondutores.  Estes discos também podem ser fabricadas com um entalhe ou uma ou duas semi flats.  

Imagem do produto
Diameter 25.4mm Silicon Wafer for InfraredDiameter 25.4mm Silicon Wafer for Infrared


2. Fabricar uma bolacha de silício
Crescendo de um  lingote de silício pode levar de uma semana a um mês, dependendo de vários fatores, incluindo o tamanho, a qualidade e a especificação. Mais de 75% de todos os cristais único wafers de silício crescer através de Czochralski (CZ).  

Diameter 25.4mm Silicon Wafer for Infrared

3.Equipamento usamos

Diameter 25.4mm Silicon Wafer for Infrared

4.Spcifications(produtos relacionados podemos fornecer)
Método de crescer CZ e FZ
Diâmetro 1 a 8 pol.
Concluir Como cortar, de goma, gravados, SSP, DSP
Orientação (100) (111) (110)
Digite N ou P
A resistividade CZ: de 0,0005 para 150 Ωcm
FZ: até 10 kΩcm

 

 

5.FAQ:

P: Qual é o caminho de navegação e o custo?

A:(1) aceitamos a DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS...

  (2) Se você tiver seu próprio express conta, é grande.Se não,poderíamos ajudar você navio-los.  

 Q: Como pagar?

Um: T/T, Paypal, etc

P: Qual é a sua quantidade mínima?

A: (1) Para o inventário, a quantidade mínima é de 5 pcs.

   (2) Para produtos personalizados, a quantidade mínima é de 10 pcs-25PCS.

P: Qual é o tempo de entrega?

A: (1) Para os produtos padrão

     Para o inventário: a entrega é de 5 dias úteis após o fim.

     Para produtos personalizados: a entrega é 2 ou 3 semanas depois que você coloque o fim.

   (2) Para o especial em forma de produtos, a entrega é 4 ou 6 workweeks depois que você coloque o fim.

P: Você tem produtos padrão?

R: Os nossos produtos em estoque.

Q: Posso personalizar os produtos com base em minha necessidade?

R: Sim, nós podemos personalizar o material, especificações e revestimento óptico para seus componentes ópticos baseados em suas necessidades.
 



 

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