Semicondutor nitreto de gálio, Wafer GaN modelo de substrato N - Tipo 2 Polegada

• materiais: nitreto de gálio
• espessura: 3-4um ou 20um
• tamanho: 2 ou 4 polegadas
• tecnologia de fabricação: semicondutor optoelectrónico
• material: semicondutor composto
• digite: semicondutor do tipo n.
• N ° de Modelo.: FW-CRYSTAL
• pacote: smd
• aplicação: televisão
• marca: finewin
• Pacote de Transporte: Caixa
• Especificação: 2INCH
• Marca Registrada: FineWin
• Origem: China
• Capacidade de Produção: 1000 PCS/Month

Descrição de Produto

Semicondutor nitreto de gálio , Wafer GaN modelo de substrato N - Tipo 2 Polegada

1. Qual é templates
Usamos o termo "template" para descrever os nossos produtos como eles são diferentes substratos. Especificamente, um modelo é um composto ou substrato engenharia, onde um ou mais camadas são adicionadas ao susbstrate original.

2.o pedido
 
Blue e LED branco para o quarto luminárias, exibe e uso geral

Potência de GaN dispositivos de comutação

3.Produto disponível

2" a 4" a GaN-modelos FSS e PSS
Espessura de GaN modelos (t=3~20μm)
A GaN-modelo com altamente dopado tipo n layer (n=<1E19/cm³)
Ntipo (undoped), Ntipo (Si aditivadas), e Ptype(Mg) dopado modelos estão disponíveis
Modelos de GAN em ambos substres safira e substratos de silício

4. Dispõe de

Drx-FWHM	002	102
3-4μm  GaN/Sapphire	200-300	250-450

 A densidade da luxação:3.5E+08 cm-2



5. Especificação
2 polegada de acordo com as especificações

O ponto	A GaN-FS-C-U-C50	A GaN-FS-C-N-C50	A GaN-FS-C-SI-C50
Dimensões	Ф 50,8 mm ± 1 mm
Espessura	350 ± 25 µm
Superfície utilizável Area	> 90%
Orientação	Plano C (0001) ângulo largo para M-Axis 0,35°± 0,15°
Plano de Orientação	(1-100) ± 0,5°, 16,0 ± 1,0 mm
Orientação secundário Televisão	(11-20) ± 3°, 8,0 ± 1,0 mm
Espessura Total Variação	≤ 15 µm
Arco	≤ 20 µm
Tipo de condução	Tipo N (Undoped)	Tipo N (Ge-aditivadas)	Semi-Insulating (Fe-aditivadas)
A resistividade(300K)	< 0,5 Ω·cm	< 0,05 Ω·cm	>106 Ω·cm
A densidade de deslocamento	1~9x105 cm-2	5x105 cm-2 ~3x106 cm-2	1~9x105 cm-2
	1~3x106 cm-2		1~3x106 cm-2
Polir	Superfície dianteira: Ra < 0,2 nm. Epi-pronto polidos Superfície Posterior: terra fina
Package	Embalados em uma classe 100 quarto limpo o ambiente, em recipientes de wafers, sob atmosfera de azoto.

4 polegada de acordo com as especificações

O ponto	A GaN-T-C-U-C100	A GaN-T-C-N-C100
Dimensões	Ф 100 mm ± 0,1 mm
Espessura	4 µm, 20 µm
Orientação	Plano C(0001) ± 0,5°
Tipo de condução	Tipo N (Undoped)	Tipo N (Si-aditivadas)
A resistividade 300K	< 0,5 Ω·cm	< 0,05 Ω·cm
Concentração do transportador	< 5x1017 cm-3	> 1x1018 cm-3
Mobilidade	~ 300 cm2/V·s	~ 200 cm2/V·s
A densidade de deslocamento	Inferior a 5x108 cm-2
Estrutura do substrato	O GaN sobre Sapphire(Standard: SSP Opção: DSP)
Superfície utilizável Area	> 90%
Package	Embalados em uma classe 100 quarto limpo o ambiente, em cassetes de 25 pcs ou simples recipientes de wafers, sob atmosfera de azoto.

6. Fotos do produto

_{Centro de Exposições ultramarinos}





Perguntas mais frequentes sobre:

P: Qual é o caminho de navegação e o custo?

A:(1) aceitamos a DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS...

   (2) Se você tiver seu próprio express conta, é grande.Se não,poderíamos ajudar você navio-los.  

 Q: Como pagar?

Um: T/T, Paypal, etc

P: Qual é a sua quantidade mínima?

A:  (1) Para o inventário, a quantidade mínima é de 5 pcs.

   (2) Para produtos personalizados, a quantidade mínima é de 10 pcs-25PCS.

P: Qual é o tempo de entrega?

A:  (1) Para os produtos padrão

          Para o inventário: a entrega é de 5 dias úteis após o fim.

          Para produtos personalizados: a entrega é 2 ou 3 semanas depois que você coloque o fim.

     (2) Para o especial em forma de produtos, a entrega é 4 ou 6 workweeks depois que você coloque o fim.

P: Você tem produtos padrão?

R: Os nossos produtos em estoque.

Q: Posso personalizar os produtos com base em minha necessidade?

R: Sim, nós podemos personalizar o material, especificações e revestimento óptico para seus componentes ópticos baseados em suas necessidades.