Type: | Metal Target |
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Shape: | Round |
Certification: | ISO |
pureza: | 99.9% |
composição química: | cooper |
Pacote de Transporte: | Vacuum Packed or Per Customer′s Request. |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
Podemos produzir metas de cobre de pureza e requisitos variados com uma pureza de 99.9% ~ 99.9999%. O teor de oxigénio pode ser tão baixo quanto < 1ppm. É principalmente utilizado para a cablagem do ecrã de visualização e do ecrã de toque e para a sua película de protecção, camada de absorção de luz solar, cablagem de semicondutores, etc. indústria. Além de satisfazer as necessidades dos clientes em termos de objectivos planos (a maior geração G8.5), também podemos produzir alvos rotativos de cobre, que são principalmente utilizados na indústria de ecrãs tácteis. Os grãos de cristal do alvo de cobre de alta pureza são difíceis de quebrar. Só podemos controlar o crescimento do cristal através de um processamento de deformação super grande para obter uma microestrutura fina e uniforme, de forma a garantir que o revestimento de entorpação possa obter uma taxa de erosão mais baixa e reduzir a sensibilidade à formação de partículas durante a esvagueira. A figura seguinte mostra duas imagens de inspecção metalográfica microscópica típicas de alvos de entorreamento de cobre, com um tamanho médio de partículas < 50 um.
Aplicação:
As impurezas no alvo de esvaguamento de cobre reduzirão a condutividade do material, e os elementos de impureza são o principal factor que afecta o rendimento na produção de películas semicondutores. As impurezas sob a forma de titânio, fósforo, cálcio, ferro, crómio e selénio são particularmente críticas. Estes metais são muito baixos nos nossos objetivos de cobre e o seu teor de impurezas é muito inferior ao valor padrão exigido pelos clientes. O quadro seguinte é o certificado de análise da composição do alvo de entortamento de cobre de elevada pureza 4N. Os métodos de análise utilizados são: 1. Utilizar GDMS ou ICP-OES para analisar elementos metálicos; 2. Utilize LECO para a análise do elemento de gás.
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