| Refractoriness (℃): | 1770< Refractoriness< 2000 |
|---|---|
| Feature: | Long Time Materials, Instant Materials |
| Type: | Refractory Material |
| Shape: | Brick |
| Material: | Boron Nitride |
| nome do produto: | placa de nitreto de boro pirolítica, substrato, cadinho |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
Fornecedor Auditado
| O ponto | Unidade | Os dados | |
| Constante de treliça | Μ M | Um: 2.504×10-10 C: 6.692×10-10 | |
| Densidade aparente | G/cm3 | 2.0-2.19 | |
| Microdureza Knoop () ( Plano ab) | N/mm2 | 691.88 | |
| Resistividade de volume | Ω·cm | 3.11×1011 | |
| A resistência à tracção (|| "C") | N/mm2 | 153.86 | |
| Resistência à flexão | (|| "C") | N/mm2 | 243.63 |
| ⊥ ("C") | N/mm2 | 197.76 | |
| Nos módulos De Elasticidade | N/mm2 | 235690 | |
| Condutividade térmica | W/m·K | "A"Direcção "C"direcção | |
| (200°C) | W/m·K | 60 2.60 | |
| (900°C) | W/m·K | 43.70 2.80 | |
| Resistência dielétrica ( Temperatura ambiente) | KV/mm | 56 | |
| Anéis de amaciamento Para Fundição de aço horizontal | Feedthroughs Para Equipamento de alta tensão |
| Os barcos do evaporador Para Metalização de alumínio | Bicos Para Metais não ferrosos |
| Componentes Para Fabricação de semicondutores | Cadinhos Para o Crescimento de cristais |
| Os amortecedores de neutrões | Fonte de difusão Wafers |
| O boro Dopant Bolacha de silício | Isoladores de Apoio Nos PVD / DCV Câmara de revestimento de vácuo |
| Gabaritos de montagem de componentes eletrônicos | Substratos e componentes electrónicos |
| Os espaçadores Do Vidro Derrete E Nonferrous | ... |
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