• IC4011CD ser ne Gate 4 do termoelemento 2 CMOS
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Favoritos

IC4011CD ser ne Gate 4 do termoelemento 2 CMOS

forma: SMD
Tipo condutora: Circuito Integrado unipolar
Integração: LSI
técnica: Thick Film IC
mfg.: ti
d/c: Mais de 17

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Empresa Comercial

Informação Básica.

N ° de Modelo.
CD4011BE
pacote
dip-14
qualidade
original novo genuíno
Pacote de Transporte
Box
Origem
China
Código HS
8542390000
Capacidade de Produção
1000000PCS

Descrição de Produto

Descrição

CD4011SER: NE Gate 4 do termoelemento 2 CMOS 14 Pinos Tubo candidato para

Pacote: Mergulhe-14

Mfr. Part#: CD4011SER

Mfr.:indicador

Folha de dados:  IC CD4011BE NAND Gate 4-Element 2-IN CMOS(E-mail ou converse conosco para o arquivo PDF)

Status da ROHS:  IC CD4011BE NAND Gate 4-Element 2-IN CMOS

Qualidade: 100% Original

Garantia: 180 dias
 

Status do produto
Activo
 
Tipo de lógica
Porta NAND
 
Número de Circuitos
4
 
Número de entradas
2
 
Dispõe de
-
 
- A tensão de alimentação
3V ~ 18V
 
Atual - quiescentes (Max)
1 µA
 
Atual - Saída Alta e Baixa
3.4MA, 3.4mA
 
Lógica de entrada de Nível - Baixa
1,5V ~ 4V
 
Lógica de entrada de Nível - Alta
3,5V ~ 11V
 
Max o atraso de propagação @ V, Max CL
90NS @ 15V, 50pF
 
A temperatura de operação
-55 °C ~ 125°C
 
Tipo de montagem
Através do Orifício
 
Fornecedor do pacote do dispositivo
14-candidato para
 
Package / Case
14-DIP (0,300", 7.62mm)
 
Produto Base do número
CD4011

CD4011B, CD4012B, e CD4023B portas NAND fornecem o designer do sistema com aplicação directa do NANDfunction e complementar o actual família dos portões do CMOS. Todas as entradas e saídas estão no buffer.

O CD4011B, CD4012B, e CD4023B tipos são fornecidos em 14 derivações duplo hermético em linha de pacotes de cerâmica (F3um sufixo),14 derivações de dupla em linha de embalagens plásticas e o índice), 14 derivações de pequenos pacotes de contorno (M, MT, M96, e a NSR sufixos),e 14 derivações encolher fina pequenos pacotes de contorno (PWR índice). O CD4011B e CD4023B tipos também são fornecidas em14 derivações encolher fina pequenos pacotes de contorno (sufixo PW).

 

Principais recursos

  • O atraso de propagação tempo = 60 ns (típ.) na CL = 50 pF, VDD = 10 V
  • Em buffer entradas e saídas
  • Simétricas padronizadas características de saída
  • Corrente de entrada máxima de 1 µA no 18 V sobre o pacote completo da faixa de temperatura; 100 nA em 18 V e 25°C
  • 100% testado para corrente de repouso em 20 V
  • 5 V, 10 V e 15 V classificações paramétrica
  • Margem de ruído (sobre o pacote completo da faixa de temperatura:
        1 V com VDD = 5 V
        2 V em VDD = 10 V
        2.5 Na VDD = 15 V
  • Atende a todos os requisitos da JEDEC norma provisória nº 13B, "Especificações padrão para a descrição da série "B" Dispositivos CMOS"

Empresa Linha de Produto


IC CD4011BE NAND Gate 4-Element 2-IN CMOS







 


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Certificados

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