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Shenzhen Semilotec Co., Ltd.
Guangdong, China
Tipo de Negócio:
Trading Company
Produtos Principais:
IC , componentes electrónicos , transístor , circuito integrado , componentes activos , Resistência , condensador , Relé , Díodo , MCU
Capital Registrada:
100000 RMB
Área da Planta:
<100 square meters
Certificação de Sistema de Gestão:
ISO 9001, FSC
Tempo Médio de Liderança:
Peak Season Lead Time: one month
Off Season Lead Time: within 15 workdays
Serviço OEM / ODM
Amostra Disponível
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Fabricante/fornecedor de IC, componentes electrónicos, transístor, circuito integrado, componentes activos, Resistência, condensador, Relé, Díodo, MCU da China, oferecendo HK23F-DC12V-SHG HK23F-DC24V-SHG HK23F-DC5V-SHG HK23F-DC9V-SHG HK23F-DC3V-SHG RELÉ DE ALIMENTAÇÃO, TRANSCEPTOR RS-232 DA INTERFACE RS-232 MAX3232EUE MAX3232 RS- MAX3232EUE E T MAX3232, ESP32-WROOM-32E-N4 ESP-12S ESP32-WROOM ESP32-D0WD-V3 ESP32-WROOM-32E MÓDULO RF TXRX MÓDULO MULTIPROTOCOLO Módulos SMD qualificados e assim por diante.

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Amplificador operacional de montagem saliente LM358DR2G LM da série 32V de utilização geral
Amplificador operacional de montagem saliente LM358DR2G LM da série 32V de utilização geral
Amplificador operacional de montagem saliente LM358DR2G LM da série 32V de utilização geral
Amplificador operacional de montagem saliente LM358DR2G LM da série 32V de utilização geral
Amplificador operacional de montagem saliente LM358DR2G LM da série 32V de utilização geral
Amplificador operacional de montagem saliente LM358DR2G LM da série 32V de utilização geral

Amplificador operacional de montagem saliente LM358DR2G LM da série 32V de utilização geral

Preço FOB: US$ 0,05-200,00 / Peça
Quantidade Mínima: 500 Peças
Tipo Condutivo: Circuito Integrado Bipolar
Integração: MSI
Técnicas: Circuito integrado de semicondutores
MFG.: ONSEMI
D/C: 22+
Package: SOP8
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SMF05CT1G Díodos supressores ESD TVS 7.2V 100W 5 − Tensão transitória de linha Supressor
SMF05CT1G Díodos supressores ESD TVS 7.2V 100W 5 − Tensão transitória de linha Supressor
SMF05CT1G Díodos supressores ESD TVS 7.2V 100W 5 − Tensão transitória de linha Supressor
SMF05CT1G Díodos supressores ESD TVS 7.2V 100W 5 − Tensão transitória de linha Supressor
SMF05CT1G Díodos supressores ESD TVS 7.2V 100W 5 − Tensão transitória de linha Supressor
SMF05CT1G Díodos supressores ESD TVS 7.2V 100W 5 − Tensão transitória de linha Supressor

SMF05CT1G Díodos supressores ESD TVS 7.2V 100W 5 − Tensão transitória de linha Supressor

Preço FOB: US$ 0,05-200,00 / Peça
Quantidade Mínima: 500 Peças
Tipo condutivo: Circuito Integrado Bipolar
Integração: MSI
Técnicas: Circuito integrado de semicondutores
MFG.: ONSEMI
D/C: 22+
Package: SOT-363
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MMBT3904LT1G TRANSISTOR GP BJT NPN 40V 0,2A 300 MW
MMBT3904LT1G TRANSISTOR GP BJT NPN 40V 0,2A 300 MW
MMBT3904LT1G TRANSISTOR GP BJT NPN 40V 0,2A 300 MW
MMBT3904LT1G TRANSISTOR GP BJT NPN 40V 0,2A 300 MW
MMBT3904LT1G TRANSISTOR GP BJT NPN 40V 0,2A 300 MW
MMBT3904LT1G TRANSISTOR GP BJT NPN 40V 0,2A 300 MW

MMBT3904LT1G TRANSISTOR GP BJT NPN 40V 0,2A 300 MW

Preço FOB: US$ 0,05-200,00 / Peça
Quantidade Mínima: 500 Peças
Tipo condutivo: Circuito Integrado Bipolar
Integração: MSI
Técnicas: Circuito integrado de semicondutores
MFG.: ONSEMI
D/C: 22+
Package: SOT-23
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LM2904DR2G LM Series 0,6V/US 32V SMT fonte única Quad operacional Amplificador
LM2904DR2G LM Series 0,6V/US 32V SMT fonte única Quad operacional Amplificador
LM2904DR2G LM Series 0,6V/US 32V SMT fonte única Quad operacional Amplificador
LM2904DR2G LM Series 0,6V/US 32V SMT fonte única Quad operacional Amplificador
LM2904DR2G LM Series 0,6V/US 32V SMT fonte única Quad operacional Amplificador
LM2904DR2G LM Series 0,6V/US 32V SMT fonte única Quad operacional Amplificador

LM2904DR2G LM Series 0,6V/US 32V SMT fonte única Quad operacional Amplificador

Preço FOB: US$ 0,05-200,00 / Peça
Quantidade Mínima: 500 Peças
Tipo Condutivo: Circuito Integrado Bipolar
Integração: MSI
Técnicas: Circuito integrado de semicondutores
MFG.: ONSEMI
D/C: 22+
Package: SOP8
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ESD9B3.3ST5G Díodos de supressores ESD TVS Bi-Dir 3,3V
ESD9B3.3ST5G Díodos de supressores ESD TVS Bi-Dir 3,3V
ESD9B3.3ST5G Díodos de supressores ESD TVS Bi-Dir 3,3V
ESD9B3.3ST5G Díodos de supressores ESD TVS Bi-Dir 3,3V
ESD9B3.3ST5G Díodos de supressores ESD TVS Bi-Dir 3,3V
ESD9B3.3ST5G Díodos de supressores ESD TVS Bi-Dir 3,3V

ESD9B3.3ST5G Díodos de supressores ESD TVS Bi-Dir 3,3V

Preço FOB: US$ 0,05-200,00 / Peça
Quantidade Mínima: 500 Peças
Tipo condutivo: Circuito Integrado Bipolar
Integração: MSI
Técnicas: Circuito integrado de semicondutores
MFG.: ONSEMI
D/C: 22+
Package: SOD-923
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MMBT2222ALT1G TRANSÍSTOR NPN 40V 0,6A SOT23-3
MMBT2222ALT1G TRANSÍSTOR NPN 40V 0,6A SOT23-3
MMBT2222ALT1G TRANSÍSTOR NPN 40V 0,6A SOT23-3
MMBT2222ALT1G TRANSÍSTOR NPN 40V 0,6A SOT23-3
MMBT2222ALT1G TRANSÍSTOR NPN 40V 0,6A SOT23-3
MMBT2222ALT1G TRANSÍSTOR NPN 40V 0,6A SOT23-3

MMBT2222ALT1G TRANSÍSTOR NPN 40V 0,6A SOT23-3

Preço FOB: US$ 0,05-200,00 / Peça
Quantidade Mínima: 500 Peças
Tipo condutivo: Circuito Integrado Bipolar
Integração: MSI
Técnicas: Circuito integrado de semicondutores
MFG.: ONSEMI
D/C: 22+
Package: SOT-23
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Transístor MMBT4401LT1G NPN 40V 0,6A montagem saliente NPN Comutação de silicone Transístor
Transístor MMBT4401LT1G NPN 40V 0,6A montagem saliente NPN Comutação de silicone Transístor
Transístor MMBT4401LT1G NPN 40V 0,6A montagem saliente NPN Comutação de silicone Transístor
Transístor MMBT4401LT1G NPN 40V 0,6A montagem saliente NPN Comutação de silicone Transístor
Transístor MMBT4401LT1G NPN 40V 0,6A montagem saliente NPN Comutação de silicone Transístor
Transístor MMBT4401LT1G NPN 40V 0,6A montagem saliente NPN Comutação de silicone Transístor

Transístor MMBT4401LT1G NPN 40V 0,6A montagem saliente NPN Comutação de silicone Transístor

Preço FOB: US$ 0,05-200,00 / Peça
Quantidade Mínima: 500 Peças
Tipo condutivo: Circuito Integrado Bipolar
Integração: MSI
Técnicas: Circuito integrado de semicondutores
MFG.: ONSEMI
D/C: 22+
Package: SOT-23
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Naté2105LT1G PLANO 24V 350 W linha dupla do Barramento CAN ESD Protector de Diodo de Proteção
Naté2105LT1G PLANO 24V 350 W linha dupla do Barramento CAN ESD Protector de Diodo de Proteção
Naté2105LT1G PLANO 24V 350 W linha dupla do Barramento CAN ESD Protector de Diodo de Proteção
Naté2105LT1G PLANO 24V 350 W linha dupla do Barramento CAN ESD Protector de Diodo de Proteção
Naté2105LT1G PLANO 24V 350 W linha dupla do Barramento CAN ESD Protector de Diodo de Proteção
Naté2105LT1G PLANO 24V 350 W linha dupla do Barramento CAN ESD Protector de Diodo de Proteção

Naté2105LT1G PLANO 24V 350 W linha dupla do Barramento CAN ESD Protector de Diodo de Proteção

Preço FOB: US$ 0,05-200,00 / Peça
Quantidade Mínima: 500 Peças
Tipo condutivo: Circuito Integrado Bipolar
Integração: MSI
Técnicas: Circuito integrado de semicondutores
MFG.: ONSEMI
D/C: 22+
Package: SOT-23
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Díodos Schottky de montagem saliente de 0,2A 30V BAT54SL1G da Schottky de 0,2 V.
Díodos Schottky de montagem saliente de 0,2A 30V BAT54SL1G da Schottky de 0,2 V.
Díodos Schottky de montagem saliente de 0,2A 30V BAT54SL1G da Schottky de 0,2 V.
Díodos Schottky de montagem saliente de 0,2A 30V BAT54SL1G da Schottky de 0,2 V.
Díodos Schottky de montagem saliente de 0,2A 30V BAT54SL1G da Schottky de 0,2 V.
Díodos Schottky de montagem saliente de 0,2A 30V BAT54SL1G da Schottky de 0,2 V.

Díodos Schottky de montagem saliente de 0,2A 30V BAT54SL1G da Schottky de 0,2 V.

Preço FOB: US$ 0,05-200,00 / Peça
Quantidade Mínima: 500 Peças
Tipo condutivo: Circuito Integrado Bipolar
Integração: MSI
Técnicas: Circuito integrado de semicondutores
MFG.: ONSEMI
D/C: 22+
Package: SOT-23
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BAT54HT1G BAT54HT1 Série 30V 600mA Díodo de barreira Schottky de montagem saliente
BAT54HT1G BAT54HT1 Série 30V 600mA Díodo de barreira Schottky de montagem saliente
BAT54HT1G BAT54HT1 Série 30V 600mA Díodo de barreira Schottky de montagem saliente
BAT54HT1G BAT54HT1 Série 30V 600mA Díodo de barreira Schottky de montagem saliente
BAT54HT1G BAT54HT1 Série 30V 600mA Díodo de barreira Schottky de montagem saliente
BAT54HT1G BAT54HT1 Série 30V 600mA Díodo de barreira Schottky de montagem saliente

BAT54HT1G BAT54HT1 Série 30V 600mA Díodo de barreira Schottky de montagem saliente

Preço FOB: US$ 0,05-200,00 / Peça
Quantidade Mínima: 500 Peças
Tipo condutivo: Circuito Integrado Bipolar
Integração: MSI
Técnicas: Circuito integrado de semicondutores
MFG.: ONSEMI
D/C: 22+
Package: SOT-23
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MMSD4148T1G MMSD4148 Série 100V 200mA Díodo de comutação de montagem na superfície
MMSD4148T1G MMSD4148 Série 100V 200mA Díodo de comutação de montagem na superfície
MMSD4148T1G MMSD4148 Série 100V 200mA Díodo de comutação de montagem na superfície
MMSD4148T1G MMSD4148 Série 100V 200mA Díodo de comutação de montagem na superfície
MMSD4148T1G MMSD4148 Série 100V 200mA Díodo de comutação de montagem na superfície
MMSD4148T1G MMSD4148 Série 100V 200mA Díodo de comutação de montagem na superfície

MMSD4148T1G MMSD4148 Série 100V 200mA Díodo de comutação de montagem na superfície

Preço FOB: US$ 0,05-200,00 / Peça
Quantidade Mínima: 500 Peças
Tipo condutivo: Circuito Integrado Bipolar
Integração: MSI
Técnicas: Circuito integrado de semicondutores
MFG.: ONSEMI
D/C: 22+
Package: SOD-123
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BAV99LT1G BAV99 Série 70V 715mA Comutação de alta velocidade com montagem em superfície Díodo
BAV99LT1G BAV99 Série 70V 715mA Comutação de alta velocidade com montagem em superfície Díodo
BAV99LT1G BAV99 Série 70V 715mA Comutação de alta velocidade com montagem em superfície Díodo
BAV99LT1G BAV99 Série 70V 715mA Comutação de alta velocidade com montagem em superfície Díodo
BAV99LT1G BAV99 Série 70V 715mA Comutação de alta velocidade com montagem em superfície Díodo
BAV99LT1G BAV99 Série 70V 715mA Comutação de alta velocidade com montagem em superfície Díodo

BAV99LT1G BAV99 Série 70V 715mA Comutação de alta velocidade com montagem em superfície Díodo

Preço FOB: US$ 0,05-200,00 / Peça
Quantidade Mínima: 500 Peças
Tipo condutivo: Circuito Integrado Bipolar
Integração: MSI
Técnicas: Circuito integrado de semicondutores
MFG.: ONSEMI
D/C: 22+
Package: SOT23
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MMBT4403LT1G Série MMBT 40V 600mA de montagem em superfície de silício PNP Transistor de comutação
MMBT4403LT1G Série MMBT 40V 600mA de montagem em superfície de silício PNP Transistor de comutação
MMBT4403LT1G Série MMBT 40V 600mA de montagem em superfície de silício PNP Transistor de comutação
MMBT4403LT1G Série MMBT 40V 600mA de montagem em superfície de silício PNP Transistor de comutação
MMBT4403LT1G Série MMBT 40V 600mA de montagem em superfície de silício PNP Transistor de comutação
MMBT4403LT1G Série MMBT 40V 600mA de montagem em superfície de silício PNP Transistor de comutação

MMBT4403LT1G Série MMBT 40V 600mA de montagem em superfície de silício PNP Transistor de comutação

Preço FOB: US$ 0,05-200,00 / Peça
Quantidade Mínima: 500 Peças
Tipo condutivo: Circuito Integrado Bipolar
Integração: MSI
Técnicas: Circuito integrado de semicondutores
MFG.: ONSEMI
D/C: 22+
Package: SOT23
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USB IC de controlador de alimentação USB programável de alta velocidade FUSB302BMPX
USB IC de controlador de alimentação USB programável de alta velocidade FUSB302BMPX
USB IC de controlador de alimentação USB programável de alta velocidade FUSB302BMPX
USB IC de controlador de alimentação USB programável de alta velocidade FUSB302BMPX
USB IC de controlador de alimentação USB programável de alta velocidade FUSB302BMPX
USB IC de controlador de alimentação USB programável de alta velocidade FUSB302BMPX

USB IC de controlador de alimentação USB programável de alta velocidade FUSB302BMPX

Preço FOB: US$ 0,05-200,00 / Peça
Quantidade Mínima: 500 Peças
Tipo condutivo: Circuito Integrado Bipolar
Integração: MSI
Técnicas: Circuito integrado de semicondutores
MFG.: ONSEMI
D/C: 22+
Package: MLP-14
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MMBFJ177LT1G Série P − transístor do Picador JFET Canal 25 V
MMBFJ177LT1G Série P − transístor do Picador JFET Canal 25 V
MMBFJ177LT1G Série P − transístor do Picador JFET Canal 25 V
MMBFJ177LT1G Série P − transístor do Picador JFET Canal 25 V
MMBFJ177LT1G Série P − transístor do Picador JFET Canal 25 V
MMBFJ177LT1G Série P − transístor do Picador JFET Canal 25 V

MMBFJ177LT1G Série P − transístor do Picador JFET Canal 25 V

Preço FOB: US$ 0,05-200,00 / Peça
Quantidade Mínima: 500 Peças
Tipo condutivo: Circuito Integrado Bipolar
Integração: MSI
Técnicas: Circuito integrado de semicondutores
MFG.: ONSEMI
D/C: 22+
Package: SOT23
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MC7805BDTG regulador de tensão LDO de montagem fixa de 5 V de superfície de saída de 5 V. IC
MC7805BDTG regulador de tensão LDO de montagem fixa de 5 V de superfície de saída de 5 V. IC
MC7805BDTG regulador de tensão LDO de montagem fixa de 5 V de superfície de saída de 5 V. IC
MC7805BDTG regulador de tensão LDO de montagem fixa de 5 V de superfície de saída de 5 V. IC
MC7805BDTG regulador de tensão LDO de montagem fixa de 5 V de superfície de saída de 5 V. IC
MC7805BDTG regulador de tensão LDO de montagem fixa de 5 V de superfície de saída de 5 V. IC

MC7805BDTG regulador de tensão LDO de montagem fixa de 5 V de superfície de saída de 5 V. IC

Preço FOB: US$ 0,05-200,00 / Peça
Quantidade Mínima: 500 Peças
Tipo condutivo: Circuito Integrado Bipolar
Integração: MSI
Técnicas: Circuito integrado de semicondutores
MFG.: ONSEMI
D/C: 22+
Package: TO-252
Contate Agora
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BAV70LT1G retificador de diodos de comutação de sinal pequeno 70V 0,2A
BAV70LT1G retificador de diodos de comutação de sinal pequeno 70V 0,2A
BAV70LT1G retificador de diodos de comutação de sinal pequeno 70V 0,2A
BAV70LT1G retificador de diodos de comutação de sinal pequeno 70V 0,2A
BAV70LT1G retificador de diodos de comutação de sinal pequeno 70V 0,2A
BAV70LT1G retificador de diodos de comutação de sinal pequeno 70V 0,2A

BAV70LT1G retificador de diodos de comutação de sinal pequeno 70V 0,2A

Preço FOB: US$ 0,05-200,00 / Peça
Quantidade Mínima: 500 Peças
Tipo condutivo: Circuito Integrado Bipolar
Integração: MSI
Técnicas: Circuito integrado de semicondutores
MFG.: ONSEMI
D/C: 22+
Package: SOT23
Contate Agora
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Díodo de proteção ESD SMT ESD5B5.0ST1G ESD5B5.0S da série 5.8V 50W 32pF
Díodo de proteção ESD SMT ESD5B5.0ST1G ESD5B5.0S da série 5.8V 50W 32pF
Díodo de proteção ESD SMT ESD5B5.0ST1G ESD5B5.0S da série 5.8V 50W 32pF
Díodo de proteção ESD SMT ESD5B5.0ST1G ESD5B5.0S da série 5.8V 50W 32pF
Díodo de proteção ESD SMT ESD5B5.0ST1G ESD5B5.0S da série 5.8V 50W 32pF
Díodo de proteção ESD SMT ESD5B5.0ST1G ESD5B5.0S da série 5.8V 50W 32pF

Díodo de proteção ESD SMT ESD5B5.0ST1G ESD5B5.0S da série 5.8V 50W 32pF

Preço FOB: US$ 0,05-200,00 / Peça
Quantidade Mínima: 500 Peças
Tipo condutivo: Circuito Integrado Bipolar
Integração: MSI
Técnicas: Circuito integrado de semicondutores
MFG.: ONSEMI
D/C: 22+
Package: SOD523
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1N4148WT o Diodo Pequena Mudança de Sinal 75V 150mA
1N4148WT o Diodo Pequena Mudança de Sinal 75V 150mA
1N4148WT o Diodo Pequena Mudança de Sinal 75V 150mA
1N4148WT o Diodo Pequena Mudança de Sinal 75V 150mA
1N4148WT o Diodo Pequena Mudança de Sinal 75V 150mA
1N4148WT o Diodo Pequena Mudança de Sinal 75V 150mA

1N4148WT o Diodo Pequena Mudança de Sinal 75V 150mA

Preço FOB: US$ 0,05-200,00 / Peça
Quantidade Mínima: 500 Peças
Tipo condutivo: Circuito Integrado Bipolar
Integração: MSI
Técnicas: Circuito integrado de semicondutores
MFG.: ONSEMI
D/C: 22+
Package: SOD523
Contate Agora
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SS14 DÍODO SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
SS14 DÍODO SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
SS14 DÍODO SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
SS14 DÍODO SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
SS14 DÍODO SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
SS14 DÍODO SCHOTTKY 40V 1A DO214AC

SS14 DÍODO SCHOTTKY 40V 1A DO214AC

Preço FOB: US$ 0,05-200,00 / Peça
Quantidade Mínima: 500 Peças
Tipo Condutivo: Circuito Integrado Bipolar
Integração: MSI
Técnicas: Circuito integrado de semicondutor
MFG.: ONSEMI
D/C: 22+
Package: SMA
Contate Agora
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MMBT2907ALT1G MMBT2907AL Série 60V 600mA SMT transístor PNP para uso geral
MMBT2907ALT1G MMBT2907AL Série 60V 600mA SMT transístor PNP para uso geral
MMBT2907ALT1G MMBT2907AL Série 60V 600mA SMT transístor PNP para uso geral
MMBT2907ALT1G MMBT2907AL Série 60V 600mA SMT transístor PNP para uso geral
MMBT2907ALT1G MMBT2907AL Série 60V 600mA SMT transístor PNP para uso geral
MMBT2907ALT1G MMBT2907AL Série 60V 600mA SMT transístor PNP para uso geral

MMBT2907ALT1G MMBT2907AL Série 60V 600mA SMT transístor PNP para uso geral

Preço FOB: US$ 0,05-200,00 / Peça
Quantidade Mínima: 500 Peças
Tipo condutivo: Circuito Integrado Bipolar
Integração: MSI
Técnicas: Circuito integrado de semicondutores
MFG.: ONSEMI
D/C: 22+
Package: SOT23
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Vídeo
RB521S30T1G RB521S30T1 Série 30V 1A Díodo do de barreira Schottky de montagem saliente de 30V 1A
RB521S30T1G RB521S30T1 Série 30V 1A Díodo do de barreira Schottky de montagem saliente de 30V 1A
RB521S30T1G RB521S30T1 Série 30V 1A Díodo do de barreira Schottky de montagem saliente de 30V 1A
RB521S30T1G RB521S30T1 Série 30V 1A Díodo do de barreira Schottky de montagem saliente de 30V 1A
RB521S30T1G RB521S30T1 Série 30V 1A Díodo do de barreira Schottky de montagem saliente de 30V 1A
RB521S30T1G RB521S30T1 Série 30V 1A Díodo do de barreira Schottky de montagem saliente de 30V 1A

RB521S30T1G RB521S30T1 Série 30V 1A Díodo do de barreira Schottky de montagem saliente de 30V 1A

Preço FOB: US$ 0,05-200,00 / Peça
Quantidade Mínima: 500 Peças
Tipo condutivo: Circuito Integrado Bipolar
Integração: MSI
Técnicas: Circuito integrado de semicondutores
MFG.: ONSEMI
D/C: 22+
Package: SOD523
Contate Agora
Vídeo
NSR0320MW2T1G Díodo rectificador Schottky 23V 1A
NSR0320MW2T1G Díodo rectificador Schottky 23V 1A
NSR0320MW2T1G Díodo rectificador Schottky 23V 1A
NSR0320MW2T1G Díodo rectificador Schottky 23V 1A
NSR0320MW2T1G Díodo rectificador Schottky 23V 1A
NSR0320MW2T1G Díodo rectificador Schottky 23V 1A

NSR0320MW2T1G Díodo rectificador Schottky 23V 1A

Preço FOB: US$ 0,05-200,00 / Peça
Quantidade Mínima: 500 Peças
Tipo condutivo: Circuito Integrado Bipolar
Integração: MSI
Técnicas: Circuito integrado de semicondutores
MFG.: ONSEMI
D/C: 22+
Package: SOD323
Contate Agora
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Díodo de comutação dupla MMBD7000LT1G MMBD7000L Series 100V 200mA de montagem saliente
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Preço FOB: US$ 0,05-200,00 / Peça
Quantidade Mínima: 500 Peças
Tipo condutivo: Circuito Integrado Bipolar
Integração: MSI
Técnicas: Circuito integrado de semicondutores
MFG.: ONSEMI
D/C: 22+
Package: SOT-23
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Show: 24 36 48
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