MOSFET IRF540PBF 100 V N-CH HEXFET

• forma: hqfp64
• Tipo condutora: Circuito Integrado bipolar
• Integração: MSI
• técnica: Semiconductor IC
• mfg.: vishay
• d/c: Mais de 20
• N ° de Modelo.: IRF540PBF
• pacote: a -220
• qualidade: original novo genuíno
• Pacote de Transporte: Caixa
• Origem: China
• Código HS: 8542390000
• Capacidade de Produção: 1000000PCS

Descrição de Produto

Descrição

IRF540PBF :  Transm MOSFET N-CH 100V 28A 3 pinos (3 abas) A 220AB

MFR. Part #: IRF540PBF

MFR.: VISHAY

Folha de dados:  (Envie-nos um e-mail ou converse-nos para ficheiro PDF)

Estado RoHS:  

Qualidade: 100% original

Garantia: UM ANO
 

Atributo do produto	Valor do atributo	Procurar semelhante
Fabricante:	Vishay
Categoria do produto:	MOSFET
RoHS:	Detalhes
Tecnologia:	Si
Estilo de montagem:	Através do orifício
Embalagem/caixa:	PARA -220AB-3
Polaridade do transístor:	N-Channel (Canal N)
Número de canais:	1 Canal
VDS - drenagem - Tensão de avaria da fonte:	100 V
ID - corrente de purga contínua:	28 A.
RDS On-Drain - resistência da fonte:	77 mOhms
VGS - porta - Tensão de fonte:	- 20 V, 20 V
VGS TH-Gate - Tensão de limiar da fonte:	4 V.
QG - carregamento da porta:	72 NC
Temperatura mínima de funcionamento:	- 55 C
Temperatura máxima de funcionamento:	175 C
Dissipação de energia PD:	150 W
Modo de canal:	Melhoria
Embalagem:	Tubo
Marca:	Semicondutores Vishay
Configuração:	Único
Tempo de queda:	43 ns
Altura:	15.49 mm
Comprimento:	10.41 mm
Tipo de produto:	MOSFET
Tempo de subida:	44 ns
Série:	IRF
Quantidade da embalagem de fábrica:	1000
Subcategoria:	MOSFETs
Tipo de transístor:	1 N - Canal
Tempo de atraso típico de desactivação:	53 ns
Tempo de atraso típico de activação:	11 ns
Largura:	4.7 mm
Aliases # artigo:	IRF540PBF - BE3
Peso da unidade:	0.068784 oz

 

 

 

Os MOSFETs de potência de terceira geração da Vishay proporcionam ao designer a melhor combinação de comutação rápida, design robusto de dispositivos, baixa resistência e relação custo-eficácia.

O PACOTE TO-220AB é universalmente preferido para todas as aplicações comerciais-industriais a níveis de dissipação de energia de aproximadamente 50 W. a baixa resistência térmica e o baixo custo de pacote DO TO-220AB contribuem para a sua ampla aceitação em toda a indústria.

Principais características

• Classificação DV/dt dinâmica
• Classificação de Avalanche repetitiva
• Temperatura de funcionamento de 175 ° C.
• Comutação rápida
• Facilidade de sincronização
• Requisitos de unidade simples
• Em conformidade com a RoHS Directive 2002/95/EC

 

 

 

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