shape: | hqfp64 |
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Conductive Type: | Bipolar Integrated Circuit |
Integration: | MSI |
Technics: | Semiconductor IC |
mfg.: | infineon |
d/c: | Mais de 22 |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
IRLM0030TRPBF: TRANSM MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 T/R DE 3 PINOS
MFR. Part #: IRLM0030TRPBF
MFR.: INFINEON
Folha de dados: (Envie-nos um e-mail ou converse-nos para ficheiro PDF)
Estado ROHS:
Qualidade: 100% original
Garantia: UM ANO
Estado do produto
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Activo
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Tipo de FET
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N-Channel (Canal N)
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Tecnologia
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MOSFET (óxido de metal)
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Purga para Tensão de alimentação (Vdss)
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30 V
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Corrente - purga contínua (ID) @ 25 ° C
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5.3A (Ta)
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Tensão de condução (RDS máx. Ligado, RDS mín. Ligado)
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4,5 V, 10 V.
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RDS ligado (Máx.) @ ID, VGS
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27 mOhm @ 5,2A, 10 V.
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VGS(TH)(Max) @ ID
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2,3V @ 25µA
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Carga da porta (QG) (Máx.) @ VGS
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2.6 NC @ 4.5 V
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VGS (Máx.)
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± 20 V.
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Capacidade de entrada (Ciss) (Máx.) @ VDS
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382 PF @ 15 V
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Característica FET
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-
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Dissipação de energia (máx.)
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1,3 W (Ta)
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Temperatura de funcionamento
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-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
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Tipo de montagem
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Montagem saliente
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Pacote de dispositivo do fornecedor
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Micro3 ™/SOT-23
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Pacote/caixa
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PARA -236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número de produto base
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IRLM0030
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APLICAÇÃO • Interruptor de carga/sistema
Os HEXFETs de quinta geração da International Rectifier utilizam técnicas de processamento avançadas para alcançar uma resistência extremamente baixa por área de silício. Esta vantagem, combinada com a velocidade de comutação rápida e o design robusto do dispositivo para o qual os MOSFETs de potência HEXFET são bem conhecidos, proporciona ao designer um dispositivo extremamente eficiente e fiável para utilização numa grande variedade de aplicações. O pacote TO-220 é universalmente preferido para todas as aplicações comerciais-industriais em níveis de dissipação de energia para aproximadamente 50 watts. A baixa resistência térmica e o baixo custo de pacote do TO220 contribuem para a sua ampla aceitação em toda a indústria.
Aviso: