• IRLM6402PBF IRLM6402TRPBF TRANSÍSTOR MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
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IRLM6402PBF IRLM6402TRPBF TRANSÍSTOR MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23

shape: Round
Conductive Type: Unipolar Integrated Circuit
Integration: LSI
Technics: Thick Film IC
mfg.: infineon
d/c: Mais de 22

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Empresa Comercial

Informação Básica.

N ° de Modelo.
IRLML6402PBF
pacote
sot23
qualidade
original novo genuíno
Pacote de Transporte
Box
Origem
China
Código HS
8542390000
Capacidade de Produção
1000000PCS

Descrição de Produto

descrição

IRLMML6402PBF Canal P único 20 V 0.065 Ohm 8 NC HEXFET potência MOSFET-MICRO-3

MFR. Part #: IRLM6402PBF

Folha de dados:  IRLML6402PBF IRLML6402TRPBF transistor MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23(Envie-nos um e-mail ou converse-nos para ficheiro PDF)

Estado ROHS:  IRLML6402PBF IRLML6402TRPBF transistor MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23

Qualidade: 100% original

Garantia: UM ANO
 


 

Estado artigo
Activo
Tipo de FET
Canal P.
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Purga para Tensão de alimentação (Vdss)
20 V
Corrente - purga contínua (ID) @ 25 ° C
3.7A (Ta)
Tensão de condução (RDS máx. Ligado, RDS mín. Ligado)
2,5 V, 4,5 V.
RDS ligado (Máx.) @ ID, VGS
65 mOhm @ 3,7A, 4,5 V.
VGS(TH)(Max) @ ID
1,2V @ 250µA
Carga da porta (QG) (Máx.) @ VGS
12 NC @ 5 V
VGS (Máx.)
± 12 V.
Capacidade de entrada (Ciss) (Máx.) @ VDS
633 PF @ 10 V
Característica FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1,3 W (Ta)
Temperatura de funcionamento
-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
Tipo de montagem
Montagem saliente
Pacote de dispositivo do fornecedor
Micro3 ™/SOT-23
Pacote/caixa
PARA -236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de produto base
IRLMML6402




Estes MOSFETs de canal P da International Rectifier utilizam técnicas de processamento avançadas para alcançar uma resistência extremamente baixa por área de silicone. Esta vantagem, combinada com a velocidade de comutação rápida e o design robusto do dispositivo para o qual os MOSFETs de potência HEXFET são bem conhecidos, proporciona ao designer um dispositivo extremamente eficiente e fiável para utilização na gestão de carga e bateria. Foi incorporado um bloco de eletrodos grande com melhorias térmicas no pacote padrão SOT-23 para produzir um MOSFET de potência HEXFET com a menor área de ocupação do setor. Este pacote, denominado Micro3 ™, é ideal para aplicações em que o espaço da placa de circuitos impressos é de alta qualidade. O perfil baixo ( < 1,1mm) do Micro3 permite que ele se encaixe facilmente em ambientes de aplicativos extremamente finos, como eletrônicos portáteis e placas PCMCIA. A resistência térmica e a dissipação de energia são as melhores disponíveis.  

 


IRLML6402PBF IRLML6402TRPBF transistor MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23


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Certificados

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Detalhes da embalagem do produto

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