shape: | hqfp64 |
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Conductive Type: | Bipolar Integrated Circuit |
Integration: | MSI |
Technics: | Semiconductor IC |
mfg.: | ONSEMI |
d/c: | Mais de 22 |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
MMBFJ177LT1G: JFET P-Channel 30 V 225 mW de montagem saliente SOT-23-3 (TO-236)
MFR. Part #: MMBFJ177LT1G
MFR.: ONSEMI
Folha de dados: (Envie-nos um e-mail ou converse-nos para ficheiro PDF)
Estado ROHS:
Qualidade: 100% original
Garantia: UM ANO
Estado do produto
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Activo
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Tipo de FET
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Canal P.
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Tensão - avaria (V(BR) GSS)
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30 V
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Corrente - purga (IDSs) @ VDS (VGS 0)
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1.5 mA @ 15 V
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Tensão - Corte (VGS desligado) @ ID
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800 mV @ 10 na
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Capacidade de entrada (Ciss) (Máx.) @ VDS
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11 pF @ 10 V (VGS)
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Resistência - RDS (ligada)
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300 Ohms
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Potência - Máx
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225 mW
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Temperatura de funcionamento
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-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
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Tipo de montagem
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Montagem saliente
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Pacote/caixa
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PARA -236-3, SC-59, SOT-23-3
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Pacote de dispositivo do fornecedor
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SOT-23-3 (TO-236)
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Número de produto base
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MMBFJ177
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Características • S prefixo para automóveis e outras aplicações que requerem requisitos de alteração de local e controlo únicos; com qualificação AEC − Q101 e capacidade PPAP • estes dispositivos não têm Pb −, sem halogênio/BFR e estão em conformidade com a RoHS
Aviso: