shape: | Flat |
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Conductive Type: | Bipolar Integrated Circuit |
Integration: | MSI |
Technics: | Semiconductor IC |
mfg.: | vishay |
d/c: | Mais de 22 |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
SI2309CDS-T1-GE3 : P-Channel 60 V 1.6A (Tc) 1W (Ta), SAÍDA 1,7 (Tc) Montagem de superfície TIS-23-3 (A-236)
Mfr. Part#: SI2309CDS-T1-GE3
Mfr.: VISHAY
Folha de dados: (E-mail ou converse conosco para o arquivo PDF)
Status da ROHS:
Qualidade: 100% Original
Garantia: UM ANO
Status do produto
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Activo
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Tipo de FET
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P-Channel
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Technology
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Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
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Drene a tensão da fonte (Vdss)
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60 V
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- Drenagem contínua (ID) @ 25°C
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1.6A (Tc)
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Tensão de acionamento (Max Rds no, Min Rds No)
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4,5V, 10V
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Rds no (Max) ID @, Vgs
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345mOhm @ 1,25A, 10V
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Vgs (Th) (Max) ID @
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3V @ 250 µA
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Taxa de injeção (QG) (máx.) @ Vgs
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4.1 nf @ 4,5 V
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Vgs (Max)
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±20V
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Capacitância de Entrada (Os Ciss) (máx.) @ VDS
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210 pF @ 30 V
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Recurso de FET
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-
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Dissipação de energia (Max)
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1W (Ta), SAÍDA 1,7 (Tc)
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A temperatura de operação
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-55 °C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de montagem
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Suporte para montagem saliente
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Fornecedor do pacote do dispositivo
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SOT-23-3 (A-236)
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Package / Case
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Para-236-3, Sc-59, SOT-23-3
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Produto Base do número
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SI2309
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Aviso: