• SI2309CDS-T1-GE3 P MOSFET-CH 60V 1.6A SOT23-3
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SI2309CDS-T1-GE3 P MOSFET-CH 60V 1.6A SOT23-3

shape: Flat
Conductive Type: Bipolar Integrated Circuit
Integration: MSI
Technics: Semiconductor IC
mfg.: vishay
d/c: Mais de 22

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Empresa Comercial

Informação Básica.

N ° de Modelo.
SI2309CDS-T1-GE3
pacote
sot23-3
qualidade
original novo genuíno
Pacote de Transporte
Box
Origem
China
Código HS
8542399000
Capacidade de Produção
1000000PCS

Descrição de Produto

Descrição

SI2309CDS-T1-GE3 :  P-Channel 60 V 1.6A (Tc) 1W (Ta), SAÍDA 1,7 (Tc) Montagem de superfície TIS-23-3 (A-236)

Mfr. Part#: SI2309CDS-T1-GE3

Mfr.: VISHAY

Folha de dados:  SI2309CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3(E-mail ou converse conosco para o arquivo PDF)

Status da ROHS:  SI2309CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Qualidade: 100% Original

Garantia: UM ANO
 

 
Status do produto
Activo
 
Tipo de FET
P-Channel
 
Technology
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
 
Drene a tensão da fonte (Vdss)
60 V
 
- Drenagem contínua (ID) @ 25°C
1.6A (Tc)
 
Tensão de acionamento (Max Rds no, Min Rds No)
4,5V, 10V
 
Rds no (Max) ID @, Vgs
345mOhm @ 1,25A, 10V
 
Vgs (Th) (Max) ID @
3V @ 250 µA
 
Taxa de injeção (QG) (máx.) @ Vgs
4.1 nf @ 4,5 V
 
Vgs (Max)
±20V
 
Capacitância de Entrada (Os Ciss) (máx.) @ VDS
210 pF @ 30 V
 
Recurso de FET
-
 
Dissipação de energia (Max)
1W (Ta), SAÍDA 1,7 (Tc)
 
A temperatura de operação
-55 °C ~ 150°C (TJ)
 
Tipo de montagem
Suporte para montagem saliente
 
Fornecedor do pacote do dispositivo
SOT-23-3 (A-236)
 
Package / Case
Para-236-3, Sc-59, SOT-23-3
 
Produto Base do número
SI2309
 



Recursos • livre de halogênio Opção disponível • TrenchFET® MOSFET de Potência

Aplicações • Interruptor de Carga





SI2309CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
 


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