MOSFET N-CH SI2302CDS-T1-GE3 20V 2.6A SOT23-3

• forma: Plano
• Tipo condutora: Circuito Integrado bipolar
• Integração: MSI
• técnica: Semiconductor IC
• mfg.: vishay
• d/c: Mais de 22
• N ° de Modelo.: Si2302CDS-T1-GE3
• pacote: sot-23
• qualidade: original novo genuíno
• Pacote de Transporte: Caixa
• Origem: China
• Código HS: 8542399000
• Capacidade de Produção: 1000000PCS

Descrição de Produto

Descrição

Si2302CDS-T1-GE3:  N-Channel 20 V 2.6A (Ta) 710 mW (Ta) montagem saliente SOT-23-3 (TO-236)

MFR. Part #: Si2302CDS-T1-GE3

MFR.: VISHAY

Folha de dados:  (Envie-nos um e-mail ou converse-nos para ficheiro PDF)

Estado ROHS:  

Qualidade: 100% original

Garantia: UM ANO
 

 

Estado do produto	Activo
Tipo de FET	N-Channel (Canal N)
Tecnologia	MOSFET (óxido de metal)
Purga para Tensão de alimentação (Vdss)	20 V
Corrente - purga contínua (ID) @ 25 ° C	2,6A (Ta)
Tensão de condução (RDS máx. Ligado, RDS mín. Ligado)	2,5 V, 4,5 V.
RDS ligado (Máx.) @ ID, VGS	57 mOhm @ 3,6A, 4,5 V.
VGS(TH)(Max) @ ID	850 mV @ 250µA
Carga da porta (QG) (Máx.) @ VGS	5.5 NC @ 4.5 V
VGS (Máx.)	± 8 V.
Característica FET	-
Dissipação de energia (máx.)	710 mW (Ta)
Temperatura de funcionamento	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem saliente
Pacote de dispositivo do fornecedor	SOT-23-3 (TO-236)
Pacote/caixa	PARA -236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de produto base	SI2302

APLICAÇÕES • Comutação de carga para dispositivos portáteis • Conversor CC/CC

 

 

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