TLP250(f) OPTOISO 2.5KV 1CH Gate Driver 8 CI DIP

• forma: Plano
• Tipo condutora: Circuito Integrado bipolar
• Integração: MSI
• técnica: Semiconductor IC
• mfg.: toshiba
• d/c: Mais de 22
• N ° de Modelo.: TLP250(F)
• pacote: dip8
• qualidade: original novo genuíno
• Pacote de Transporte: Caixa
• Origem: China
• Código HS: 8542399000
• Capacidade de Produção: 1000000PCS

Descrição de Produto

Descrição

TLP250(F):  1.5A Gate Driver acoplamento óptico 2500Vrms 1 Canal 8-DIP

Mfr. Part#: TLP250(F)

Mfr.: TOSHIBA

Folha de dados:  (E-mail ou converse conosco para o arquivo PDF)

Status da ROHS:  

Qualidade: 100% Original

Garantia: UM ANO

 

Status do produto	Obsoleto
Technology	Acoplamento óptico
Número de canais	1
A tensão - Isolamento	2500Vrms
Modo comum imunidade transiente (Min)	5kV/µs
O atraso de propagação tpLH tpHL / (Max)	500ns, 500ns
A largura de pulso distorção (Max)	-
Origem / Tempo de queda (típ)	-
Atual - Saída Alta e Baixa	500mA, 500mA
- Saída de pico	1.5A
- A tensão para a frente (VF) (típ)	1,6 V
Atual - DC para a frente (SE) (máx.)	20 mA
- A tensão de alimentação de saída	15V ~ 30V
A temperatura de operação	-20 °C ~ 85°C
Tipo de montagem	Através do Orifício
Package / Case	8-DIP (0,300", 7.62mm)
Fornecedor do pacote do dispositivo	8 - Mergulho
Agência de aprovação	UR
Produto Base do número	TLP250

 

Transistores do inversor do inversor para ar Conditionor Porta IGBT potência motriz MOS FET da Unidade de Injeção


A TOSHIBA TLP250 consiste de um GaAlAs diodos emissores de luz e um sistema integrado fotodetector. Esta unidade é de 8 derivações pacote DIP. TLP250 é adequado para a passagem do circuito de condução do IGBT ou potência MOS FET. • O limiar de entrada atual: SE=5mA(máx.) • corrente de alimentação (ICC): 11mA(máx.) • Tensão de Alimentação (VCC): 10-35V • corrente de saída (E/S): ±1.5A (máx.) • Tempo de comutação (tpLH/tpHL): 1.5Μs(máx.) • tensão de isolamento: 2500Vrms(min) • UL reconhecido: UL1577, ficheiro MPR67349 E • Opção (D4) tipo VDE aprovado: DIN VDE0884/06.92,N certificado76823 operacional máxima tensão de isolamento: 630VPK valor máximo admissível da sobretensão: 4000VPK

 

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