Semicondutor silício mono-cristalino em crescimento

• Teor de Carbono: High-Carbon
• Composição: c
• Morfologia de Cristais: grafite artificial
• Formando Caminho: Isostatic Graphite
• Série: HP
• Tipo: Graphite Crucible
• N ° de Modelo.: 12inch
• Pacote de Transporte: Wooden Case
• Especificação: 12 inch
• Marca Registrada: SIAMC
• Origem: China
• Código HS: 681519

Descrição de Produto

Os materiais de campo térmico de alta pureza da SIAMC desempenham um papel crucial na fabricação de fornos de cristal único com semicondutores de silício. O SIAMC pode produzir materiais de campo térmico de grandes dimensões de 36 polegadas ou mais, com uma pureza de grafite até 5 ppm. Os materiais de campo térmico incluem componentes de grafite, componentes de carbono-carbono e materiais de isolamento. Os componentes de grafite também podem ser revestidos com revestimentos PyC ou SiC de acordo com os requisitos do processo.
Os materiais de campo térmico da SIAMC são de qualidade excepcional, atendendo aos altos padrões exigidos pelos usuários na indústria de circuitos integrados. Os nossos materiais são cuidadosamente concebidos para garantir um desempenho e fiabilidade ideais e são fiáveis pelos fabricantes para produzir lingotes de silicone de cristal único, isentos de defeitos e de alta qualidade.