| Certificação: | ISO |
|---|---|
| Forma: | Bloquear |
| Método de Purificação: | Zona Refino |
| Método de Preparação: | Electrólise de sais fundidos |
| Aplicação: | Missas de catalisador, Materiais de Energia, Fotoelétricos materiais, Photorecording de materiais, Medicamento, Astronavigation, Computador |
| Tipo De Produto: | Ímã de Terra Rara |
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Óxido de gálio
gálio
Partícula de gálio
Lingote de gálio
O óxido de gálio é um composto inorgânico com a fórmula química Ga2O3. O trióxido de gálio, também conhecido como trióxido de gálio, é um semicondutor de intervalo de banda larga, por exemplo, 4,9eV, cujas propriedades de condutividade elétrica e luminescência têm atraído a atenção das pessoas por muito tempo. O Ga2O3 é um material semicondutor de óxido transparente, que tem uma perspectiva de aplicação ampla em dispositivos optoeletrônicos. É utilizada como uma camada isolante de materiais semicondutores à base de GA e um filtro UV. Também pode ser utilizado como um detector químico de O2.
Óxido de gálio; trióxido de gálio; óxido de gálio (BASE DE METAIS); trióxido de gálio ; trióxido de gálio, 4N; ÓXIDO DE GÁLIO, III; óxido de gálio, 4N; Óxido de gálio, 5N
Difusão editorial de pesquisa aplicada
O óxido de gálio é utilizado como reagente analítico de elevada pureza para a preparação de materiais semicondutores na indústria electrónica.
Em 2022, o USTCM realizou progressos significativos no campo dos dispositivos de óxido de gálio. Dois trabalhos de pesquisa sobre dispositivos de óxido de gálio (diodo Schottky de óxido de gálio de alta potência e fotodetector de óxido de gálio) foram aceitos pela 68a Conferência Internacional sobre dispositivos Eletrônicos (IEEE IEDM).
Editor de propriedades químicas
O Ga2O3 pode reagir com gás fluorino para produzir GaF3, e o Ga2O3 é dissolvido em 50% HF para obter o GaF3·3H2O. O G2O3 é solúvel em ácido diluído a quente, ácido clorídrico e ácido sulfúrico. O G2O3 sinterizado é insolúvel nestes ácidos, mesmo ácidos concentrados , nem em soluções aquosas de bases fortes, e só pode ser dissolvido através da fusão de NaOH, KOH ou KHSO4 com K2S2O7. Fundido com o dobro do excesso de NH4Cl a 250ºC para formar cloreto de gálio. A vermelho, o Ga2O3 reage com quartzo para formar um corpo vítreo, mas não se formam novos compostos ao arrefecer. O calor vermelho também pode reagir com cadinho de porcelana vidrada.
Sob a condição de aquecimento, o Ga2O3 pode reagir com muitos óxidos metálicos. A estrutura cristalina de M(i) GaO2 obtida pela reacção de óxido de metais alcalino (acima de 400ºC) foi determinada. Como Al2O3 e Ln2O3, reage com MgO, ZnO, COO, nio e CuO para formar espinel tipo M(II) Ga2O4. Os produtos M(III) GaO3 de reacção com óxidos de metal trivalentes têm normalmente uma estrutura do tipo perovskite ou garnet (por exemplo LnGaO3 lantanida galliato). E há ainda mais complexos óxidos ternários. Foram estudados óxidos mistos de gálio utilizados em lasers, fosforescence e materiais luminescentes. As propriedades luminosas do galliato são atribuídas à vacância de oxigênio. Devido às suas propriedades eletromagnéticas de interesse (ou seja, piezeletricidade e ferromagnetismo), a composição, a estabilidade e a estrutura cristalina do FeGaO3 foram extensivamente estudadas.
GA2-xFexO3 (x ≈ 1) pertence ao cristal ortogonal, os parâmetros das células são os seguintes: A 1750ºC 8,75A, b 9,40A, c 5,07A, o número de coordenação é 8, a temperatura de fusão é, a densidade é 5,53g/cm3. O magnetismo e a estrutura cristalina do nio·Fe2-xGaxO3 também foram investigados
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