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Favoritos

Substrato/placa/folha/chip Innovacera ALN/alumínio Nitrip para Power Electronics

Application: Aerospace, Electronics, Medical, Industrial Ceramic
Type: Ceramic Plates
resistência à compressão: 2300
resistividade do volume: 0.515*10^14
força flexural: 538 MPa
temperatura máxima de utilização: 1600

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Fabricante/Fábrica & Empresa Comercial

Tour Virtual 360 °

Membro Diamante Desde 2024

Fornecedores com licênças comerciais verificadas

Fujian, China
Marca própria
O fornecedor possui 1 marcas próprias, verifique o Audit Report para mais informações
Inspetores de controle de qualidade/controle de qualidade
O fornecedor tem equipe de inspeção 3 QA e QC
Capacidades de P&D
O fornecedor tem 2 engenheiros de P&D, você pode conferir o Audit Report para mais informações
Certificação de Produto
Os produtos do fornecedor já possuem qualificações de certificação relevantes, incluindo:
CE
para ver todos os rótulos de força verificados (26)

Informação Básica.

N ° de Modelo.
Customization
coeficiente de expansão térmica linear
2.9*10^-6/ºC
absorção de água
0
condutividade térmica
176.3W/M.K
serviço de processamento
molde
densidade
3,3g/cm3
Pacote de Transporte
Standard Exported Paper Cartons with Foam
Marca Registrada
INNOVACERA
Origem
Fujian, China
Capacidade de Produção
100000 Piece/Pieces Per Month

Descrição de Produto

Innovacera Aln/Aluminum Nitride Substrate/Plate/Sheet/Chip for Power Electronics

 

 

 

Substrato/placa/folha/chip de nitrito de alumínio

 

A cerâmica de nitreto de alumínio (AlN) tem alta condutividade térmica (5-10 vezes como a cerâmica de alumina), baixa

 

factor de dissipação e constante dieléctrica, bom isolamento e excelentes propriedades mecânicas, não tóxicas,

 

A resistência térmica elevada, a resistência química e o coeficiente de expansão linear são semelhantes ao si, que é

 

amplamente utilizado em componentes de comunicação, led de alta potência, dispositivos electrónicos de potência e outros

 

Os produtos de especificação especial podem ser produzidos mediante pedido.

 

 

DESEMPENHO DO PRODUTO


- alta condutividade térmica, alta resistência flexural, alta temperatura


- bom isolamento elétrico


- baixa constante dielétrica e perda


- capaz de ser perfurado a laser, metalizada, revestida e brasada

 

Innovacera Aln/Aluminum Nitride Substrate/Plate/Sheet/Chip for Power Electronics
Innovacera Aln/Aluminum Nitride Substrate/Plate/Sheet/Chip for Power Electronics
 
Dimensões regulares do substrato/bolacha de AlN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Espessura (mm)
Comprimento * largura (mm)
 
 
 
 
 
 
 
 0.385
 
2 ″ * 2"
50.8 * 50.8 mm
 
 
3 ″ * 3 ″
76.2 * 76,2 mm
 
 
4 ″ * 4 ″
101.6 * 101,6 mm
 
 
4.5 ″ * 4.5 ″
114.3 * 114.3mm
 
 0.5
 
 
 
 
 
 
 
 
 0.635
 
 
 
 
 
 
 
 
 1.0
 
 
 
 
 
 
 
 
Diâmetro (mm)
 
 
 
 
 
 
 
 
 1.0
Φ16
Φ19
Φ20
Φ26
Φ30
Φ35
Φ40
Φ45
Φ50
Φ52
Φ60
Φ75
Φ80
PS: Outras dimensões que não estão listadas estão disponíveis mediante os seus pedidos.
 
 
 
 
 
 
 
 
Innovacera Aln/Aluminum Nitride Substrate/Plate/Sheet/Chip for Power Electronics
Innovacera Aln/Aluminum Nitride Substrate/Plate/Sheet/Chip for Power Electronics

 

Características do produto

 

1. Microestrutura uniforme


2. Elevada condutividade térmica * (70-180 WM-1K-1), adaptada através das condições de processamento e dos aditivos


3. Resistividade eléctrica elevada


4. Coeficiente de expansão térmica próximo ao do silício


5. Resistência à corrosão e à erosão


6. Excelente resistência ao choque térmico


7. Quimicamente estáveis até 980 ° C em atmosferas H2 e CO2 e no ar até 1380 ° C (oxidação superficial

 

Ocorre em torno de 780 ° C; a camada de superfície protege o volume até 1380 ° C).

 

 

 
Aplicação
 
Innovacera Aln/Aluminum Nitride Substrate/Plate/Sheet/Chip for Power Electronics
 
 
 
 
- componentes RF/microondas
- módulo de potência
- transformadores de potência
- Pacote de LED de alta potência
 
 
 
 
- Sub-montagens de diodos laser
- encaixe secundário de chip LED
- Pacotes Microelectrônicos
- Transistores
Innovacera Aln/Aluminum Nitride Substrate/Plate/Sheet/Chip for Power Electronics
Innovacera Aln/Aluminum Nitride Substrate/Plate/Sheet/Chip for Power Electronics

 

 

 

 

 

- substratos de alta condutividade térmica

 

Para LED e eletrónica de alimentação

 

- substratos para Power Electronics

 

 
Propriedades do material do substrato/placa de alumínio Nitrida
 
 
Conteúdo do estabelecimento
Índice da propriedade
Densidade (g/cm³)
3.335
Resistência ao choque térmico
Sem fissuras
Condutividade térmica (30, W/m. k)
≥ 170
Coeficiente de expansão linear
(/, 5/min, 20-300)
2.805 × 10­6
Força flexural (MPa)
382.7
Resistividade do volume (Ω.cm)
1.4 × 1014
Constante dieléctrica (1 MHz)
8.56
Durabilidade química (mg/cm²)
0.97
Resistência dieléctrica (KV/mm)
18.45
Rugosidade da superfície Ra ( μm)
0.3 ~ 0.5
Curvatura (comprimento ‰)
≤ 2 ‰
Aspecto/cor
Denso/Cinzento escuro
Nota: As características gerais dos materiais acima descritos foram derivadas do teste laboratorial realizado pela Innovacera a partir do momento em que foram realizadas as quantidades de amostras. As características reais dos lotes de produção podem variar.
 
Innovacera Aln/Aluminum Nitride Substrate/Plate/Sheet/Chip for Power Electronics
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