Índice de Fábrica da China

transistor discreto fábrica

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Aparelhos Eletrônicos de ConsumoElétrico & EletrônicoMaquinaria de Manufatura & ProcessamentoMetalúrgica, Mineral EnergiaPeças e Acessórios de Motos & Automóveis

Mais

Certificat de gestion

OutrasISO9001:2015ANSI/ESDISO 9001ISO45001:2018

Mais

Capacidade de P&D

OEMODMPrópria MarcaOutras

Receita Anual

Abaixo de US $ 1 Milhão1 ~ 2,5 milhões de dólares2,5 ~ 5 milhões de dólares5 ~ 10 milhões de dólares10 ~ 50 milhões de dólares

Mais

Número de funcionários

Menos de 5 Pessoas5-50 Pessoas51-200 Pessoas201-500 Pessoas

Província & Região

AnhuiBeijingChongqingFujianGuangdong

Mais

Fornecedores revisados por serviços de inspeção.

sobre transistor discreto

Inovação Tecnológica
Cadeias de suprimentos confiáveis
Capacidade de fabricação substancial

transistor discreto100+ fábricas verificadas

CTC Technology Co., Ltd.

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Dispositivo Discreto SBD10C100T/F/D/S Potência Diodo Schottky Transistor

Dispositivo Discreto SBD10C100T/F/D/S Potência Diodo Schottky Transistor

US$ 0,03-0,15

2 000 Peças(MOQ)

Dispositivo Discreto de Potência SBD20C100T/F/K/S Diodo Schottky Transistor

Dispositivo Discreto de Potência SBD20C100T/F/K/S Diodo Schottky Transistor

US$ 0,03-0,15

2 000 Peças(MOQ)

Dispositivo Discreto de Potência SBD10C200T/F/D/S Diodo Schottky Transistor

Dispositivo Discreto de Potência SBD10C200T/F/D/S Diodo Schottky Transistor

US$ 0,03-0,15

2 000 Peças(MOQ)

2A 600V transistor mosfet de potência original de fábrica

2A 600V transistor mosfet de potência original de fábrica

US$ 0,05-0,15

5 000 Peças(MOQ)

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Shenzhen Sinosky Electronics Co., Ltd.

·Empresa Comercial

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Novos Componentes Eletrônicos Originais Transistor Semicondutor Discreto Bla9h0912L-1200p

Novos Componentes Eletrônicos Originais Transistor Semicondutor Discreto Bla9h0912L-1200p

Componentes Eletrônicos Semicondutores Discretos Transistores Stl26nm60n Mosfets N-CH 600V

Componentes Eletrônicos Semicondutores Discretos Transistores Stl26nm60n Mosfets N-CH 600V

US$ 1,32-1,87

Novo Transistor Mosfet RF de Semicondutor Discreto Original Mrf8p29300h Mrf8p29300hr6

Novo Transistor Mosfet RF de Semicondutor Discreto Original Mrf8p29300h Mrf8p29300hr6

Semicondutores Discretos Transistores Igbts Irg4pH40upbf 5-40kHz Pacote to-247-3

Semicondutores Discretos Transistores Igbts Irg4pH40upbf 5-40kHz Pacote to-247-3

US$ 2,09-2,74

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ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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Ixgh32n170A Transistores Originais Componentes Eletrônicos Produtos Semicondutores Discretos IGBT NPT 1700V 32A to-247ad

Ixgh32n170A Transistores Originais Componentes Eletrônicos Produtos Semicondutores Discretos IGBT NPT 1700V 32A to-247ad

US$ 0,01-1,00

Fcx790ATA Produtos de Semicondutores Discretos Transistores - Bipolares (BJT) - Único Sot-89-3

Fcx790ATA Produtos de Semicondutores Discretos Transistores - Bipolares (BJT) - Único Sot-89-3

US$ 1,00-1,10

Tpcp8701 (TE85L, F, M Produtos Semicondutores Discretos Transistores - Bipolares (BJT) - Arranjos PS-8

Tpcp8701 (TE85L, F, M Produtos Semicondutores Discretos Transistores - Bipolares (BJT) - Arranjos PS-8

Transistor N-Channel 30V 3.6A (Ta) 1.4W (Ta) Montagem em Superfície Ao3406 Produto Semicondutor Discreto transistores - Fets, Mosfets - Único Ao3407 Ao3407A Ao3409 Ao34

Transistor N-Channel 30V 3.6A (Ta) 1.4W (Ta) Montagem em Superfície Ao3406 Produto Semicondutor Discreto transistores - Fets, Mosfets - Único Ao3407 Ao3407A Ao3409 Ao34

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Shenzhen Eversmart Technology Co., Ltd.

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Transistor GaN de Alta Performance 3300MHz-3800MHz para Estações Base e Aplicações Multiportadoras

Transistor GaN de Alta Performance 3300MHz-3800MHz para Estações Base e Aplicações Multiportadoras

100 Peças(MOQ)

Avançado 2000MHz-4000MHz Transistor de Potência GaN para Sistemas de RF/Micro-ondas e Aplicação em Estações Base

Avançado 2000MHz-4000MHz Transistor de Potência GaN para Sistemas de RF/Micro-ondas e Aplicação em Estações Base

100 Peças(MOQ)

Transistor de Potência GaN de Alto Desempenho Avançado para Estações Base e Aplicações de Múltiplos Portadores

Transistor de Potência GaN de Alto Desempenho Avançado para Estações Base e Aplicações de Múltiplos Portadores

100 Peças(MOQ)

Transistor GaN de alta potência e bom desempenho para sistemas de micro-ondas RF e aplicações de estação base, além de módulo de bloqueador de radar ou drone com GaN embutido

Transistor GaN de alta potência e bom desempenho para sistemas de micro-ondas RF e aplicações de estação base, além de módulo de bloqueador de radar ou drone com GaN embutido

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Simentor Electronic Limited

·Empresa Comercial

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Ksd1588-Y - Transistor de Silício Epitaxial NPN, 60V, 7A, to-220f

Ksd1588-Y - Transistor de Silício Epitaxial NPN, 60V, 7A, to-220f

Negociável

Ncep40t13gu Transistor de Potência - 40V, 13A, Baixa Resistência de Ligação, Alta Eficiência

Ncep40t13gu Transistor de Potência - 40V, 13A, Baixa Resistência de Ligação, Alta Eficiência

Negociável

Transistores PNP 2SA1295 e NPN 2sc3264 - Alto Desempenho, Qualidade Confiável

Transistores PNP 2SA1295 e NPN 2sc3264 - Alto Desempenho, Qualidade Confiável

Negociável

Tip127 Transistor Darlington PNP - 100V, 5A, Alta Ganho para Amplificação de Potência

Tip127 Transistor Darlington PNP - 100V, 5A, Alta Ganho para Amplificação de Potência

Negociável

1/4

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

·Fabricante/Fábrica & Empresa Comercial

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40A 650V Transistor Bipolar de Porta Isolada Trenchstop Dgc40f65m2 to-247

40A 650V Transistor Bipolar de Porta Isolada Trenchstop Dgc40f65m2 to-247

US$ 0,01-1,50

5 000 Peças(MOQ)

Transistor Bipolar de Porta Isolada IGBT G60n65D to-247 **%off

Transistor Bipolar de Porta Isolada IGBT G60n65D to-247 **%off

US$ 0,01-1,50

5 000 Peças(MOQ)

Venda Quente 70V/6.3mΩ /100A Mosfet de Potência de Canal N em Modo de Melhoria Dh070n07 to-220c

Venda Quente 70V/6.3mΩ /100A Mosfet de Potência de Canal N em Modo de Melhoria Dh070n07 to-220c

US$ 0,01-1,50

5 000 Peças(MOQ)

Transistor Bipolar de Porta Isolada IGBT G40n60d to-247 **%off

Transistor Bipolar de Porta Isolada IGBT G40n60d to-247 **%off

US$ 0,01-1,50

5 000 Peças(MOQ)

1/4

Zhenjiang Zhendi Electric Technology Co., Ltd

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Retificador de Diodo de Montagem Padrão Mosfet Transistor pela Powerpassion

Retificador de Diodo de Montagem Padrão Mosfet Transistor pela Powerpassion

US$ 0,01-0,45

Diodo retificador Mosfet de potência durável para eletrônicos

Diodo retificador Mosfet de potência durável para eletrônicos

US$ 0,01-0,45

Especificações do Diodo Retificador de Montagem Padrão Mosfet Transistor pela Powerpassion

Especificações do Diodo Retificador de Montagem Padrão Mosfet Transistor pela Powerpassion

US$ 0,01-0,45

Diodo Retificador de Alto Desempenho Transistor Mosfet para Aplicações de Potência

Diodo Retificador de Alto Desempenho Transistor Mosfet para Aplicações de Potência

US$ 0,01-0,45

1/4

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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To220f 800W Osg80r650FF Único Duplo Canal N 30V Transistor de Potência para PC

To220f 800W Osg80r650FF Único Duplo Canal N 30V Transistor de Potência para PC

US$ 0,12-0,15

5 000 Peças(MOQ)

Fontes de Alimentação Ininterruptas To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricante Trident Transistor Bipolar de Porta

Fontes de Alimentação Ininterruptas To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricante Trident Transistor Bipolar de Porta

US$ 2,50-3,00

5 000 Peças(MOQ)

To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricante Trident Gate Bipolar IGBT

To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricante Trident Gate Bipolar IGBT

US$ 2,50-3,00

5 000 Peças(MOQ)

Transistor Mosfet de Potência N-Channel 8*8 Pacote Osg80r300jf Alta Tensão 800W 300V

Transistor Mosfet de Potência N-Channel 8*8 Pacote Osg80r300jf Alta Tensão 800W 300V

US$ 0,10-0,50

5 000 Peças(MOQ)

1/4

Emi International (Hk) Co. Ltd

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Isolador Óptico Transistor Ics Durável PC817X1, X2, e X3

Isolador Óptico Transistor Ics Durável PC817X1, X2, e X3

US$ 0,004-0,01

10 000 Peças(MOQ)

Capacitores e Transistores de Grande Inventário da Avx Taja336K006rnj Taja474K035rnj Taja476K006rnj Tajb106K010rnj

Capacitores e Transistores de Grande Inventário da Avx Taja336K006rnj Taja474K035rnj Taja476K006rnj Tajb106K010rnj

US$ 0,01-0,03

100 Peças(MOQ)

Melhor Preço Array de Transistores Bipolares Darlington 50V 500mA 18-Soic Uln2803adwr Bjt

Melhor Preço Array de Transistores Bipolares Darlington 50V 500mA 18-Soic Uln2803adwr Bjt

US$ 0,50-1,00

Bom preço para Mosfet Macom Mrf151 Mrf151g Mrf175gv Mrf166c Mrf134

Bom preço para Mosfet Macom Mrf151 Mrf151g Mrf175gv Mrf166c Mrf134

US$ 0,50-1,00

1/4

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

·Empresa Comercial

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Ikw15n120h3 Transistor IGBT N-CH 1200V 30A

Ikw15n120h3 Transistor IGBT N-CH 1200V 30A

US$ 2,63-10,95

100 Peças(MOQ)

Novos e Originais Transistores de Potência NPN para TV Colorida de Display 2sc5149

Novos e Originais Transistores de Potência NPN para TV Colorida de Display 2sc5149

US$ 0,29-0,51

Uln2803 Array de Transistores Bipolares 8 Darlington NPN 50V 500mA Uln2803APG

Uln2803 Array de Transistores Bipolares 8 Darlington NPN 50V 500mA Uln2803APG

US$ 0,60-2,12

1 000 Peças(MOQ)

Transistor Mosfet STP10nm60n Stf10nm60n 10nm60n

Transistor Mosfet STP10nm60n Stf10nm60n 10nm60n

US$ 2,695-3,17

500 Peças(MOQ)

1/4

Dongguan Meizhao Electronics Co., Ltd.

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Dgw100n65ctl1d IGBT Discreto Confiável 650V 100A Transistor to-247 Pacote para Aplicações de Alta Potência

Dgw100n65ctl1d IGBT Discreto Confiável 650V 100A Transistor to-247 Pacote para Aplicações de Alta Potência

1 080 Peças(MOQ)

Dgw75n65cth2a IGBT Discreto 650V 75A Transistor Compatível com RoHS para Gestão Eficiente de Energia

Dgw75n65cth2a IGBT Discreto 650V 75A Transistor Compatível com RoHS para Gestão Eficiente de Energia

1 080 Peças(MOQ)

Dgq75n120cth0d Tubo Único IGBT 1200V 75A Transistor Discreto to-247 Mais

Dgq75n120cth0d Tubo Único IGBT 1200V 75A Transistor Discreto to-247 Mais

800 Peças(MOQ)

Dgp15n65ctl0 Transistor IGBT de Alto Desempenho 650V 15A Discreto em to-220 Pacote

Dgp15n65ctl0 Transistor IGBT de Alto Desempenho 650V 15A Discreto em to-220 Pacote

1 000 Peças(MOQ)

1/4

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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1200V/17mΩ Mosfet SiC Discreto, T2, DM170S12TDRB

1200V/17mΩ Mosfet SiC Discreto, T2, DM170S12TDRB

1 000 Peças(MOQ)

Transistor de Efeito de Campo de Canal N em Modo de Melhoria Excelente embalagem para dissipação de calor DFN3333-8L Características Aplicações YJQ18N06AQ

Transistor de Efeito de Campo de Canal N em Modo de Melhoria Excelente embalagem para dissipação de calor DFN3333-8L Características Aplicações YJQ18N06AQ

1 000 Peças(MOQ)

100V 42A Transistor de Efeito de Campo de Canal N em Modo de Realce, TO-252, YJD017G10AHQ

100V 42A Transistor de Efeito de Campo de Canal N em Modo de Realce, TO-252, YJD017G10AHQ

1 000 Peças(MOQ)

Transistores encapsulados em plástico NPN Nível de sensibilidade à umidade 1 SOT-223 Características Aplicações BCP56-16Q

Transistores encapsulados em plástico NPN Nível de sensibilidade à umidade 1 SOT-223 Características Aplicações BCP56-16Q

1 000 Peças(MOQ)

1/4

Shenzhen Xindong Technology Co., Ltd

·Empresa Comercial

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1200 V, 110 a, [Bc018sg12swsd], Transistor de Potência N-Channel de Silício Carbeto de Alta Eficiência

1200 V, 110 a, [Bc018sg12swsd], Transistor de Potência N-Channel de Silício Carbeto de Alta Eficiência

1200 V, 22 a, [Bcl120n160W1], Transistor de Potência N-Channel de Silício Carbeto de Alta Eficiência

1200 V, 22 a, [Bcl120n160W1], Transistor de Potência N-Channel de Silício Carbeto de Alta Eficiência

650 V, 8 a, [Bmt65n065UC1], Transistor de Potência Super Junction de Alta Eficiência

650 V, 8 a, [Bmt65n065UC1], Transistor de Potência Super Junction de Alta Eficiência

Bmd60n600c1, 600V 8A Mosfet Sj com Baixas Perdas de Comutação, Baixo EMI

Bmd60n600c1, 600V 8A Mosfet Sj com Baixas Perdas de Comutação, Baixo EMI

1/1

Shenzhen Tongcheng Electronic Technology Co., Ltd.

·Empresa Comercial

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Semicondutores Semicondutores Discretos Transistores Mosfetsnexperia Buk7K6r8-40e

Semicondutores Semicondutores Discretos Transistores Mosfetsnexperia Buk7K6r8-40e

Semicondutores Semicondutores Discretos Módulos Discretos e de Potência Módulos Mosfet Fet

Semicondutores Semicondutores Discretos Módulos Discretos e de Potência Módulos Mosfet Fet

Índice de Produtos Produtos de Semicondutores Discretos transistores fets, Mosfets fets únicos, Mosfets

Índice de Produtos Produtos de Semicondutores Discretos transistores fets, Mosfets fets únicos, Mosfets

1/3

Shenzhen Vbsemi Electronics Co., Ltd

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MOSFET Fr3505-Vb para - 252 N-Channel Transistor fabricante de semicondutores Vbsemi Electronic componente Circuito integrado

MOSFET Fr3505-Vb para - 252 N-Channel Transistor fabricante de semicondutores Vbsemi Electronic componente Circuito integrado

1 000 Peças(MOQ)

MOSFET Ao4421 - Vb SOP - 8 fabricante de semicondutores de canal P Vbsemi componente electrónico Circuito integrado

MOSFET Ao4421 - Vb SOP - 8 fabricante de semicondutores de canal P Vbsemi componente electrónico Circuito integrado

1 000 Peças(MOQ)

MOSFET Fdn306p - NL - Vb Sot - 23 fabricante de semicondutores de canal P Vbsemi componente electrónico Circuito integrado

MOSFET Fdn306p - NL - Vb Sot - 23 fabricante de semicondutores de canal P Vbsemi componente electrónico Circuito integrado

1 000 Peças(MOQ)

MOSFET Irfi540gpbf-Vb a 220f fabricante de semicondutores de canal N Vbsemi componente electrónico Circuito integrado

MOSFET Irfi540gpbf-Vb a 220f fabricante de semicondutores de canal N Vbsemi componente electrónico Circuito integrado

1 000 Peças(MOQ)

Guangzhoushi Henneng Trade Co., Ltd.

·Empresa Comercial

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em Estoque Stmicroelectronics Ste07de220 Transistor NPN de Alta Tensão

em Estoque Stmicroelectronics Ste07de220 Transistor NPN de Alta Tensão

US$ 220,00-230,00

1/4

Jiangsu Zhongxin Semiconductor Co., Ltd.

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Atacado Irf3205 Transistor To220 Irf3205

Atacado Irf3205 Transistor To220 Irf3205

Fabricante de Mosfet da China

Fabricante de Mosfet da China

Negociável

100 Peças(MOQ)

dB157s Produtos Semicondutores Discretos Originais Diodos Retificadores em Ponte DBS 1kv 1.5A

dB157s Produtos Semicondutores Discretos Originais Diodos Retificadores em Ponte DBS 1kv 1.5A

US$ 0,0015-0,095

500 000 Peças(MOQ)

RS5a-RS5m Produtos Semicondutores Discretos Originais Diodos Retificadores em Ponte SMC 1kv 5A

RS5a-RS5m Produtos Semicondutores Discretos Originais Diodos Retificadores em Ponte SMC 1kv 5A

US$ 0,0015-0,095

5 000 Peças(MOQ)

1/4

Beijing Jingbei Components Co., Ltd.

·Fabricante/Fábrica & Empresa Comercial

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Bc847c Transistor Bipolar (BJT) NPN 45 V 100 Ma 300MHz 250 MW

Bc847c Transistor Bipolar (BJT) NPN 45 V 100 Ma 300MHz 250 MW

US$ 0,003-0,0032

2n7002K Montagem em Superfície Sot-23-3 (TO-236) Fets Únicos Mosfets

2n7002K Montagem em Superfície Sot-23-3 (TO-236) Fets Únicos Mosfets

10mq060n Diodo 60 V 1A Montagem em Superfície Do-214AC (SMA)

10mq060n Diodo 60 V 1A Montagem em Superfície Do-214AC (SMA)

US$ 0,0431-0,0569

Es1g Diodo 400 V 1A Montagem em Superfície Do-214AC (SMA)

Es1g Diodo 400 V 1A Montagem em Superfície Do-214AC (SMA)

US$ 0,0029-0,0034

1/4

Qingdao Jia En Semiconductor Co., Ltd.

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1200V 75A IGBT transístor bipolar de porta isolada discreta Jng75t120lcs1

1200V 75A IGBT transístor bipolar de porta isolada discreta Jng75t120lcs1

500 Peças(MOQ)

Módulo multi-células IGBT de elevada fiabilidade Jiaen - inversor PV & Aplicação de acionamento do motor

Módulo multi-células IGBT de elevada fiabilidade Jiaen - inversor PV & Aplicação de acionamento do motor

500 Peças(MOQ)

Módulo IGBT de inversor Industrial, PV e aplicações de armazenamento de energia 1200V 150A

Módulo IGBT de inversor Industrial, PV e aplicações de armazenamento de energia 1200V 150A

5 000 Peças(MOQ)

Módulo IGBT adequado para VFD (accionamento de frequência variável), fotovoltaico, armazenamento de energia

Módulo IGBT adequado para VFD (accionamento de frequência variável), fotovoltaico, armazenamento de energia

500 Peças(MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

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60V 5A Nce6005as Transistor Mosfet de Potência N-Channel de Modo de Realce &mcy; &ocy; &pcy; -&tcy; &rcy; &acy; &ncy; &zcy; &icy; &scy; &tcy; &ocy; &rcy;

60V 5A Nce6005as Transistor Mosfet de Potência N-Channel de Modo de Realce м о п -т р а н з и с т о р

US$ 0,077-0,089

5 000 Peças(MOQ)

82V 140A Nce82h140 Nce82h140d Transistor Mosfet de Canal N de Modo de Realce 220W com to-220

82V 140A Nce82h140 Nce82h140d Transistor Mosfet de Canal N de Modo de Realce 220W com to-220

US$ 0,38-0,437

1 000 Peças(MOQ)

-60V -12A Nce60p12as Transistor Mosfet de Potência de Canal P em Modo de Melhoria

-60V -12A Nce60p12as Transistor Mosfet de Potência de Canal P em Modo de Melhoria

US$ 0,001-0,109

5 000 Peças(MOQ)

Fornecedores da China 650V 11.5A to-263 to-220 to-220f Nce65t360f Circuito Integrado Componentes Eletrônicos Transistor Mosfet de Potência N-Channel Super Junction

Fornecedores da China 650V 11.5A to-263 to-220 to-220f Nce65t360f Circuito Integrado Componentes Eletrônicos Transistor Mosfet de Potência N-Channel Super Junction

US$ 0,483-0,559

1 000 Peças(MOQ)

1/4

Suzhou Tonghuiyang Electronics Co.; Ltd

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NPN Transístores A44 SOT-23

NPN Transístores A44 SOT-23

Negociável

10 000 Peças(MOQ)

N o modo de melhoramento de canal Mosfet de Potência Comité Ministerial Misto320N10A para-220C

N o modo de melhoramento de canal Mosfet de Potência Comité Ministerial Misto320N10A para-220C

US$ 10,00-100,00

10 000 Peças(MOQ)

N-Channel Enhancement Mode Mosfet de Potência Jmte035N04A para-263.º

N-Channel Enhancement Mode Mosfet de Potência Jmte035N04A para-263.º

Negociável

10 000 Peças(MOQ)

N e P-Channel Enhancement Mode Jmtg Mosfet100c03D

N e P-Channel Enhancement Mode Jmtg Mosfet100c03D

Negociável

10 000 Peças(MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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Transistor Mosfet 6703 -20/20V -3/3A Sot-23-6 Embalagem para Aplicação de Carga Rápida

Transistor Mosfet 6703 -20/20V -3/3A Sot-23-6 Embalagem para Aplicação de Carga Rápida

Negociável

100 Peças(MOQ)

Dmg3402L-7 Transistor Mosfet Equivalente G3404 de 30V 5.8A Sot-23

Dmg3402L-7 Transistor Mosfet Equivalente G3404 de 30V 5.8A Sot-23

US$ 0,019-0,022

Ao6294 Alternativa Gt52n10d5 48A 100V Dfn5X6-8 Mosfet para Aplicação de Pd

Ao6294 Alternativa Gt52n10d5 48A 100V Dfn5X6-8 Mosfet para Aplicação de Pd

US$ 0,001-0,009

Fornecedor de Mosfet de Estoque 60V 40A Dfn5X6 Mosfet N com Certificado SGS

Fornecedor de Mosfet de Estoque 60V 40A Dfn5X6 Mosfet N com Certificado SGS

US$ 0,129-0,219

1/4

Yueqing Kane Electric Co., Ltd.

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Jct151 Transistor SCR Tiristor

Jct151 Transistor SCR Tiristor

10 000 Peças(MOQ)

Módulo de Diodo Tiristor Skkt 57 58 - Módulos Retificadores em Ponte de Alta Qualidade para

Módulo de Diodo Tiristor Skkt 57 58 - Módulos Retificadores em Ponte de Alta Qualidade para

US$ 9,00-10,00

1/4

Wee Technology Company Limited

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Sot-23 (A-236) Bc817 através de BC818 (BC817-16, BC817-25, BC817-40, BC818-16, BC818-25, BC818-40) PNP Sinal pequeno (BJT) transistores bipolares

Sot-23 (A-236) Bc817 através de BC818 (BC817-16, BC817-25, BC817-40, BC818-16, BC818-25, BC818-40) PNP Sinal pequeno (BJT) transistores bipolares

Negociável

10 000 Peças(MOQ)

Sot-23 (A-236) Bc807 através de BC808 (BC807-16, BC807-25, BC807-40, BC808-16, BC808-25, BC808-40) Silício PNP pequenas (BJT) Transístores

Sot-23 (A-236) Bc807 através de BC808 (BC807-16, BC807-25, BC807-40, BC808-16, BC808-25, BC808-40) Silício PNP pequenas (BJT) Transístores

Negociável

10 000 Peças(MOQ)

Yachtron International Co., Ltd.

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Sinal de pequenos transistores

Sinal de pequenos transistores

Negociável

N-MOSFET de Canal (SOT-23)

N-MOSFET de Canal (SOT-23)

Negociável

Shenzhen Hemeike Electronic Technology Co., Ltd.

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Mmbt4401lt1 2X discreta Módulos Semicondutor Junção Bipolar Transistor Schottky SMD transistores diodos e tiristores

Mmbt4401lt1 2X discreta Módulos Semicondutor Junção Bipolar Transistor Schottky SMD transistores diodos e tiristores

2 000 Peças(MOQ)

App Electronics Hongkong Limited

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A Stmicroelectronics 2N3904 Produtos Semicondutores Discretos transistores bipolares - (BJT) - Única

A Stmicroelectronics 2N3904 Produtos Semicondutores Discretos transistores bipolares - (BJT) - Única

Negociável

Shenzhen Yang Ming Electronics Co., Ltd

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Transistor de potência de RF transístor MOSFET: Blf7G21LS-160

Transistor de potência de RF transístor MOSFET: Blf7G21LS-160

Shenzhen Kernal Intelligent Technology Co., Ltd.

·Empresa Comercial

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Bmxddo3202kc Módulo de Saída Discreta 32 Saídas Transistor Modicon X80 PLC

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Fs450r17ke3/Agdr-76c para a/B/B Tecnologia de Semicondutores de Potência Discreta Megnachip 60t65 IGBT

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PLC-K622 Discreto para Módulos de Expansão de Saída Kin/Co Automação Industrial HMI

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Bmxddo3202K Módulo de Saída Discreta M340 Modicon X80 PLC de Controle de Máquina

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Shantou Sikinta Automation Equipment Co., Ltd.

·Empresa Comercial

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TM3dq32UK - Módulo de Saída Discreta, Modicon TM3, 32 Saídas Transistor NPN,

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US$ 820,00-1 100,00

TM3dq16tg - Módulo de Saída Discreta, Modicon TM3, 16 Saídas Transistor PNP

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US$ 820,00-1 100,00

TM3dq16UK - Módulo de Saída Discreta, Modicon TM3, 16 Saídas Transistor NPN

TM3dq16UK - Módulo de Saída Discreta, Modicon TM3, 16 Saídas Transistor NPN

US$ 820,00-1 100,00

TM3dq32tk - Módulo de Saída Discreta, Modicon TM3, 32 Saídas Transistor PNP

TM3dq32tk - Módulo de Saída Discreta, Modicon TM3, 32 Saídas Transistor PNP

US$ 820,00-1 100,00

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