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Produtos recomendados deste fornecedor

 Modo de melhoramento N Canal de 800 V 7A potência MOSFET F7n80 a 220f**% de desconto

Referência Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
  • Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
  • Tipo: Semicondutor Tipo N
  • Embalagem: Tube
  • Marca Registrada: WXDH
  • Origem: Wuxi, China
  • Código HS: 8541290000
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Produtos recomendados deste fornecedor

 Tiristor 4A Bt136 bidirecional triac**% de desconto

Referência Preço FOB: US$ 0,052 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
  • Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
  • Tipo: Semicondutor Tipo N
  • Embalagem: Tube, Braid
  • Marca Registrada: WXDH
  • Origem: Wuxi, China
  • Código HS: 8541290000
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Produtos recomendados deste fornecedor

 POTÊNCIA MOSFET Dh066n06e DE MODO de melhoramento N-Channel DE 110 A 60 V.

Referência Preço FOB: US$ 0,01-0,2 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
  • Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
  • Tipo: Semicondutor Tipo N
  • Embalagem: Tube
  • Marca Registrada: WXDH
  • Origem: Wuxi, China
  • Código HS: 8541290000
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China alta qualidade boa qualidade tempo para Conversor Digital

Referência Preço FOB: US$ 1,00 / Peça
Quantidade Mínima: 1.000 Peças
  • Tecnologia de Fabricação: Analog IC
  • Material: Semicondutor Composto
  • Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função
  • Embalagem: Cartons
  • Marca Registrada: xita
  • Origem: Hangzhou, China
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Módulo IGBT de 1200 V Sgm50hf12A1tfd Silan original de 50A

Referência Preço FOB: US$ 8,00-13,00 / Peça
Quantidade Mínima: 100 Peças
  • Tecnologia de Fabricação: Acumulador
  • Material: Semiconductor de Elemento
  • Tipo: Semiconductor Intrínseco
  • Embalagem: by Sea(Carton)
  • Padrão: A1
  • Origem: China
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Produtos recomendados deste fornecedor

 Módulo IGBT de 1200 V Dgc40c120m2t

Referência Preço FOB: US$ 20,00-50,00 / Peça
Quantidade Mínima: 240 Peças
  • Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
  • Tipo: Semicondutor Tipo N
  • Embalagem: Econopack2
  • Marca Registrada: WXDH
  • Origem: Wuxi, China
  • Código HS: 8541290000
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Motociclo eléctrico

Quantidade Mínima: 10
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Produtos recomendados deste fornecedor

 MOSFET de potência SIC de 1200 V N-Channel 68A Dcc080m120A a -247-3L

Referência Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
  • Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
  • Tipo: Semicondutor Tipo N
  • Embalagem: Tube
  • Marca Registrada: WXDH
  • Origem: Wuxi, China
  • Código HS: 8541290000
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650V 6A Diodo da barreira Schottky Sicf0665 a -220-2L

Referência Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
  • Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
  • Tipo: Semicondutor Tipo N
  • Embalagem: Tube
  • Marca Registrada: WXDH
  • Origem: Wuxi, China
  • Código HS: 8541290000
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650 V 8A Diodo de Barreira Schottky SIC SDS065j008s3

Referência Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
  • Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
  • Tipo: Semicondutor Tipo N
  • Embalagem: Reel
  • Marca Registrada: WXDH
  • Origem: Wuxi, China
  • Código HS: 8541100000
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650 V, 16 a, díodo de barreira Schottky Sic1665

Referência Preço FOB: US$ 0,01-0,2 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
  • Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
  • Tipo: Semicondutor Tipo N
  • Embalagem: Tube
  • Marca Registrada: WXDH
  • Origem: Wuxi, China
  • Código HS: 8541100000
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650V 6A Diodo da barreira Schottky SIC SDS065j006s3

Referência Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
  • Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
  • Tipo: Semicondutor Tipo N
  • Embalagem: Reel
  • Marca Registrada: WXDH
  • Origem: Wuxi, China
  • Código HS: 8541100000
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Produtos recomendados deste fornecedor

 Díodo de recuperação rápida de 60 a 600 V Mur6060DCT a -3p e Mur6060bct a -247

Referência Preço FOB: US$ 0,63 / Peça
Quantidade Mínima: 1.800 Peças
  • Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
  • Tipo: Semicondutor Tipo N
  • Embalagem: Tube
  • Marca Registrada: WXDH
  • Origem: Wuxi, China
  • Código HS: 8541100000
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40 V / 2.9mΩ / 120 a N-MOSFET DTG032n04n a 220c

Referência Preço FOB: US$ 0,01-0,2 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
  • Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
  • Tipo: Semicondutor Tipo N
  • Embalagem: Tape & Reel
  • Marca Registrada: WXDH
  • Origem: Wuxi, China
  • Código HS: 8541290000
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MÓDULO IGBT de meia ponte DE 100A 1200 V.

Referência Preço FOB: US$ 20,00-50,00 / Peça
Quantidade Mínima: 240 Peças
  • Material: Semicondutor Composto
  • Tipo: Semicondutor Tipo N
  • Embalagem: Box
  • Marca Registrada: WXDH
  • Origem: Wuxi, China
  • Código HS: 8541290000
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Módulo IGBT de meia ponte de 34 mm 50A 1200 V.

Referência Preço FOB: US$ 20,00-50,00 / Peça
Quantidade Mínima: 240 Peças
  • Material: Semicondutor Composto
  • Tipo: Semicondutor Tipo N
  • Embalagem: Box
  • Marca Registrada: WXDH
  • Origem: Wuxi, China
  • Código HS: 8541290000
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Módulo IGBT de meia ponte de 650 V 34 mm

Referência Preço FOB: US$ 20,00-50,00 / Peça
Quantidade Mínima: 240 Peças
  • Material: Semicondutor Composto
  • Tipo: Semicondutor Tipo N
  • Embalagem: Box
  • Marca Registrada: WXDH
  • Origem: Wuxi, China
  • Código HS: 8541290000
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Díodo de barreira Schottky de 200 V Mbrf30200CT a 220f de 30 A.

Referência Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
  • Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
  • Tipo: Semicondutor Tipo P
  • Embalagem: Tube
  • Marca Registrada: WXDH
  • Origem: Wuxi, China
  • Código HS: 8541100000
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- modo de melhoramento de canal P 140A-60V Power MOSFET DTG050p06la a 220c

Referência Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
  • Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
  • Tipo: Semicondutor Tipo P
  • Embalagem: Tape & Reel
  • Marca Registrada: WXDH
  • Origem: Wuxi, China
  • Código HS: 8541290000
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MODO de melhoramento de 60 V N-Channel MOSFET de potência Dh066n06D a -252b

Referência Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
  • Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
  • Tipo: Semicondutor Tipo P
  • Embalagem: Reel
  • Marca Registrada: WXDH
  • Origem: Wuxi, China
  • Código HS: 8541290000
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68V/7.2mΩ/80A N-MOSFET Dtd080n07n a -252b

Referência Preço FOB: US$ 0,01-0,2 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
  • Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
  • Tipo: Semicondutor Tipo N
  • Embalagem: Tape & Reel
  • Marca Registrada: WXDH
  • Origem: Wuxi, China
  • Código HS: 8541290000
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MOSFET de potência de super junção N-Channel 650V 70n65m2 a -247

Referência Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
  • Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
  • Tipo: Semicondutor Tipo N
  • Embalagem: Tape & Reel
  • Marca Registrada: WXDH
  • Origem: Wuxi, China
  • Código HS: 8541290000
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Modo de melhoramento N-Channel 33A 60V Power MOSFET Dhf60n06 a 220f

Referência Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
  • Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
  • Tipo: Semicondutor Tipo P
  • Embalagem: Tape & Reel
  • Marca Registrada: WXDH
  • Origem: Wuxi, China
  • Código HS: 8541290000
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Modo de melhoramento de potência MOSFET de 40 V N-Channel de 120 a DTG045n04na a 220c

Referência Preço FOB: US$ 0,01-0,2 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
  • Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
  • Tipo: Semicondutor Tipo N
  • Embalagem: Tape & Reel
  • Marca Registrada: WXDH
  • Origem: Wuxi, China
  • Código HS: 8541290000
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Módulo IGBT 1700 V 34 mm Dga75h170m2t

Referência Preço FOB: US$ 20,00-50,00 / Peça
Quantidade Mínima: 240 Peças
  • Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
  • Tipo: Semicondutor Tipo N
  • Embalagem: 34mm
  • Marca Registrada: WXDH
  • Origem: Wuxi, China
  • Código HS: 8541290000
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MOSFET de potência SIC N-Channel de 1200 V 65A para 3P Dhc1m025120d

Referência Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
  • Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
  • Tipo: Semicondutor Tipo N
  • Embalagem: Tube
  • Marca Registrada: WXDH
  • Origem: Wuxi, China
  • Código HS: 8541100000
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Módulo IGBT 1200V 75A Dgc75c120m2t

Referência Preço FOB: US$ 20,00-50,00 / Peça
Quantidade Mínima: 240 Peças
  • Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
  • Tipo: Semicondutor Tipo N
  • Embalagem: Econopack2
  • Marca Registrada: WXDH
  • Origem: Wuxi, China
  • Código HS: 8541290000
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Diodo de Barreira Schottky SIC de 650 V 60A Dcc60d65g3 a -247-3L

Referência Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
  • Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
  • Tipo: Semicondutor Tipo N
  • Embalagem: Tube
  • Marca Registrada: WXDH
  • Origem: Wuxi, China
  • Código HS: 8541100000
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Transístor bipolar de porta isolada de tendências de 650 V de 20 a, 80 a 20 W, 20 a 65 m2 a -263-3 L

Referência Preço FOB: US$ 0,01-1,5 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
  • Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
  • Tipo: Semicondutor Tipo N
  • Embalagem: Tube
  • Marca Registrada: WXDH
  • Origem: Wuxi, China
  • Código HS: 8541290000
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Modo de melhoramento de potência MOSFET Dte043n04na de 120 a 40 V N-Channel até -263

Referência Preço FOB: US$ 0,01-0,2 / Peça
Quantidade Mínima: 5.000 Peças
  • Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
  • Tipo: Semicondutor Tipo N
  • Embalagem: Tape & Reel
  • Marca Registrada: WXDH
  • Origem: Wuxi, China
  • Código HS: 8541290000
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