Início Iluminação Luminária Solar aplicação de produtos solares 2024 Lista de produtos

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Fp50R12W2T7-B11 módulos integrados Módulo IGBT Industrial para unidades de motor e controles

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Fp50R12W2T7-B11 módulos integrados Módulo IGBT Industrial para unidades de motor e controles

US$ 40,00-50,00 / Peça

15 Peças (MOQ)

Shenzhen Botong Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: Embalagem PGA

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Medição de Temperatura

Pacote S-Channel de 800 W, 900 V, MOSFET To252, Osg80r900df

Pacote S-Channel de 800 W, 900 V, MOSFET To252, Osg80r900df

Pacote S-Channel de 800 W, 900 V, MOSFET To252, Osg80r900df

Pacote S-Channel de 800 W, 900 V, MOSFET To252, Osg80r900df

Pacote S-Channel de 800 W, 900 V, MOSFET To252, Osg80r900df

Pacote S-Channel de 800 W, 900 V, MOSFET To252, Osg80r900df

1/ 6

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Pacote S-Channel de 800 W, 900 V, MOSFET To252, Osg80r900df

US$ 0,1-0,5 / Peça

5.000 Peças (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: SMD

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Frigorífico

FF150R12ks4 Módulo de Semicondutores disponíveis com M5 Terminais de alimentação

FF150R12ks4 Módulo de Semicondutores disponíveis com M5 Terminais de alimentação

FF150R12ks4 Módulo de Semicondutores disponíveis com M5 Terminais de alimentação

FF150R12ks4 Módulo de Semicondutores disponíveis com M5 Terminais de alimentação

FF150R12ks4 Módulo de Semicondutores disponíveis com M5 Terminais de alimentação

FF150R12ks4 Módulo de Semicondutores disponíveis com M5 Terminais de alimentação

1/ 6

Favoritos

FF150R12ks4 Módulo de Semicondutores disponíveis com M5 Terminais de alimentação

US$ 71,00-85,00 / Peça

10 Peças (MOQ)

Shenzhen Botong Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: Embalagem PGA

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Medição de Temperatura

1/ 4

Favoritos

Max6695aub+T H26M52208fpr 2mbi300p-140-03 Novíssimo Circuito Integrado

US$ 9,00 / Peça

1 Peça (MOQ)

Guangzhou Best Machinery Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semicondutor Composto

Tipo: Semiconductor Intrínseco

Pacote: Embalagem PGA

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Célula Solar

Conversor de retorno de áudio auxiliar topologias de um comutador MOSFET de potência semicondutor N-Channel

Conversor de retorno de áudio auxiliar topologias de um comutador MOSFET de potência semicondutor N-Channel

Conversor de retorno de áudio auxiliar topologias de um comutador MOSFET de potência semicondutor N-Channel

Conversor de retorno de áudio auxiliar topologias de um comutador MOSFET de potência semicondutor N-Channel

Conversor de retorno de áudio auxiliar topologias de um comutador MOSFET de potência semicondutor N-Channel

Conversor de retorno de áudio auxiliar topologias de um comutador MOSFET de potência semicondutor N-Channel

1/ 6

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Conversor de retorno de áudio auxiliar topologias de um comutador MOSFET de potência semicondutor N-Channel

US$ 0,2 / Peça

660 Peças (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: SMD

Processamento de Sinais: Digital

Aplicação: Televisão

Dd360n22K módulo de diodos de falha de curto-circuito com 2200 V in Tecnologia de contacto de pressão

Dd360n22K módulo de diodos de falha de curto-circuito com 2200 V in Tecnologia de contacto de pressão

Dd360n22K módulo de diodos de falha de curto-circuito com 2200 V in Tecnologia de contacto de pressão

Dd360n22K módulo de diodos de falha de curto-circuito com 2200 V in Tecnologia de contacto de pressão

Dd360n22K módulo de diodos de falha de curto-circuito com 2200 V in Tecnologia de contacto de pressão

Dd360n22K módulo de diodos de falha de curto-circuito com 2200 V in Tecnologia de contacto de pressão

1/ 6

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Dd360n22K módulo de diodos de falha de curto-circuito com 2200 V in Tecnologia de contacto de pressão

US$ 98,00-110,00 / Peça

6 Peças (MOQ)

Shenzhen Botong Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: Embalagem PGA

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Medição de Temperatura

Conversores de indução To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V fabricante Trident Gate bipolar Transístor

Conversores de indução To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V fabricante Trident Gate bipolar Transístor

Conversores de indução To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V fabricante Trident Gate bipolar Transístor

Conversores de indução To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V fabricante Trident Gate bipolar Transístor

Conversores de indução To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V fabricante Trident Gate bipolar Transístor

Conversores de indução To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V fabricante Trident Gate bipolar Transístor

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Conversores de indução To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V fabricante Trident Gate bipolar Transístor

US$ 2,5-3,00 / Peça

5.000 Peças (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: DIP (Embalagem em Linha Dupla)

Processamento de Sinais: Simulação

Aplicação: Medição de Temperatura

FF150r12ks4 IGBT2 para módulo de transístor de comutação de alta frequência

FF150r12ks4 IGBT2 para módulo de transístor de comutação de alta frequência

FF150r12ks4 IGBT2 para módulo de transístor de comutação de alta frequência

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FF150r12ks4 IGBT2 para módulo de transístor de comutação de alta frequência

FF150r12ks4 IGBT2 para módulo de transístor de comutação de alta frequência

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FF150r12ks4 IGBT2 para módulo de transístor de comutação de alta frequência

US$ 71,00-85,00 / Peça

10 Peças (MOQ)

Shenzhen Botong Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: Embalagem PGA

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Medição de Temperatura

FF50R12Rt4 1200 V, 50 um duplo Módulo IGBT Vcesat com Coeficiente de Temperatura Positivo

FF50R12Rt4 1200 V, 50 um duplo Módulo IGBT Vcesat com Coeficiente de Temperatura Positivo

FF50R12Rt4 1200 V, 50 um duplo Módulo IGBT Vcesat com Coeficiente de Temperatura Positivo

FF50R12Rt4 1200 V, 50 um duplo Módulo IGBT Vcesat com Coeficiente de Temperatura Positivo

FF50R12Rt4 1200 V, 50 um duplo Módulo IGBT Vcesat com Coeficiente de Temperatura Positivo

FF50R12Rt4 1200 V, 50 um duplo Módulo IGBT Vcesat com Coeficiente de Temperatura Positivo

1/ 6

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FF50R12Rt4 1200 V, 50 um duplo Módulo IGBT Vcesat com Coeficiente de Temperatura Positivo

US$ 1,00-1.000,00 / Peça

1 Peça (MOQ)

Shenzhen Botong Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: Embalagem PGA

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Medição de Temperatura

Condensadores LW revertem de infra-estrutura de telecomunicações

Condensadores LW revertem de infra-estrutura de telecomunicações

Condensadores LW revertem de infra-estrutura de telecomunicações

Condensadores LW revertem de infra-estrutura de telecomunicações

Condensadores LW revertem de infra-estrutura de telecomunicações

Condensadores LW revertem de infra-estrutura de telecomunicações

1/ 6

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Condensadores LW revertem de infra-estrutura de telecomunicações

US$ 25,00 / Peça

1 Peça (MOQ)

Shenzhen Yihexing Industrial Materials Company

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Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: DIP (Embalagem em Linha Dupla)

Processamento de Sinais: Digital

Aplicação: Frigorífico

Dd360N22K electricamente isoladas de Tampas Padrão Industrial 360 um diodo do módulo

Dd360N22K electricamente isoladas de Tampas Padrão Industrial 360 um diodo do módulo

Dd360N22K electricamente isoladas de Tampas Padrão Industrial 360 um diodo do módulo

Dd360N22K electricamente isoladas de Tampas Padrão Industrial 360 um diodo do módulo

Dd360N22K electricamente isoladas de Tampas Padrão Industrial 360 um diodo do módulo

Dd360N22K electricamente isoladas de Tampas Padrão Industrial 360 um diodo do módulo

1/ 6

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Dd360N22K electricamente isoladas de Tampas Padrão Industrial 360 um diodo do módulo

US$ 98,00-110,00 / Peça

6 Peças (MOQ)

Shenzhen Botong Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: Embalagem PGA

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Medição de Temperatura

Fz600r12ke3 flexibilidade IGBT3 e Emitter controlado 3 Díodo com baixo Perdas de comutação

Fz600r12ke3 flexibilidade IGBT3 e Emitter controlado 3 Díodo com baixo Perdas de comutação

Fz600r12ke3 flexibilidade IGBT3 e Emitter controlado 3 Díodo com baixo Perdas de comutação

Fz600r12ke3 flexibilidade IGBT3 e Emitter controlado 3 Díodo com baixo Perdas de comutação

Fz600r12ke3 flexibilidade IGBT3 e Emitter controlado 3 Díodo com baixo Perdas de comutação

Fz600r12ke3 flexibilidade IGBT3 e Emitter controlado 3 Díodo com baixo Perdas de comutação

1/ 6

Favoritos

Fz600r12ke3 flexibilidade IGBT3 e Emitter controlado 3 Díodo com baixo Perdas de comutação

US$ 110,00-130,00 / Peça

10 Peças (MOQ)

Shenzhen Botong Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: Embalagem PGA

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Medição de Temperatura

Conversor Flyback Aux para251 Osg90r1K2af e correcção da potência MOSFET de comutação

Conversor Flyback Aux para251 Osg90r1K2af e correcção da potência MOSFET de comutação

Conversor Flyback Aux para251 Osg90r1K2af e correcção da potência MOSFET de comutação

Conversor Flyback Aux para251 Osg90r1K2af e correcção da potência MOSFET de comutação

Conversor Flyback Aux para251 Osg90r1K2af e correcção da potência MOSFET de comutação

Conversor Flyback Aux para251 Osg90r1K2af e correcção da potência MOSFET de comutação

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Conversor Flyback Aux para251 Osg90r1K2af e correcção da potência MOSFET de comutação

US$ 1,2 / Peça

660 Peças (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: SMD

Processamento de Sinais: Digital

Aplicação: Televisão

Tgbt avançada tecnologia para247-F 800W Ost75N65hsmf 30V Fabricante Trident Gate transistor bipolar

Tgbt avançada tecnologia para247-F 800W Ost75N65hsmf 30V Fabricante Trident Gate transistor bipolar

Tgbt avançada tecnologia para247-F 800W Ost75N65hsmf 30V Fabricante Trident Gate transistor bipolar

Tgbt avançada tecnologia para247-F 800W Ost75N65hsmf 30V Fabricante Trident Gate transistor bipolar

Tgbt avançada tecnologia para247-F 800W Ost75N65hsmf 30V Fabricante Trident Gate transistor bipolar

Tgbt avançada tecnologia para247-F 800W Ost75N65hsmf 30V Fabricante Trident Gate transistor bipolar

1/ 6

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Tgbt avançada tecnologia para247-F 800W Ost75N65hsmf 30V Fabricante Trident Gate transistor bipolar

US$ 2,5-3,00 / Peça

5.000 Peças (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: Embalagem PGA

Processamento de Sinais: Digital

Aplicação: Frigorífico

Topologias Powerllc Telecom Aquecedor e Diodo Corpo robusto Vds, Min @ Tj (max) 650V (RDS) , Max @ Vgs=10V 30MΩ Mosfet de Potência

Topologias Powerllc Telecom Aquecedor e Diodo Corpo robusto Vds, Min @ Tj (max) 650V (RDS) , Max @ Vgs=10V 30MΩ Mosfet de Potência

Topologias Powerllc Telecom Aquecedor e Diodo Corpo robusto Vds, Min @ Tj (max) 650V (RDS) , Max @ Vgs=10V 30MΩ Mosfet de Potência

Topologias Powerllc Telecom Aquecedor e Diodo Corpo robusto Vds, Min @ Tj (max) 650V (RDS) , Max @ Vgs=10V 30MΩ Mosfet de Potência

Topologias Powerllc Telecom Aquecedor e Diodo Corpo robusto Vds, Min @ Tj (max) 650V (RDS) , Max @ Vgs=10V 30MΩ Mosfet de Potência

Topologias Powerllc Telecom Aquecedor e Diodo Corpo robusto Vds, Min @ Tj (max) 650V (RDS) , Max @ Vgs=10V 30MΩ Mosfet de Potência

1/ 6

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Topologias Powerllc Telecom Aquecedor e Diodo Corpo robusto Vds, Min @ Tj (max) 650V (RDS) , Max @ Vgs=10V 30MΩ Mosfet de Potência

US$ 0,2 / Peça

660 Peças (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: SMD

Processamento de Sinais: Digital

Aplicação: Televisão

Controlador de Motor DC-DC Powetopologies Alta Aquecedor e corpo robusto Diodo htzf Frdosg65R038a247 Vds, Min @ Tj (max) 700V 38mΩ Mosfet de Potência

Controlador de Motor DC-DC Powetopologies Alta Aquecedor e corpo robusto Diodo htzf Frdosg65R038a247 Vds, Min @ Tj (max) 700V 38mΩ Mosfet de Potência

Controlador de Motor DC-DC Powetopologies Alta Aquecedor e corpo robusto Diodo htzf Frdosg65R038a247 Vds, Min @ Tj (max) 700V 38mΩ Mosfet de Potência

Controlador de Motor DC-DC Powetopologies Alta Aquecedor e corpo robusto Diodo htzf Frdosg65R038a247 Vds, Min @ Tj (max) 700V 38mΩ Mosfet de Potência

Controlador de Motor DC-DC Powetopologies Alta Aquecedor e corpo robusto Diodo htzf Frdosg65R038a247 Vds, Min @ Tj (max) 700V 38mΩ Mosfet de Potência

Controlador de Motor DC-DC Powetopologies Alta Aquecedor e corpo robusto Diodo htzf Frdosg65R038a247 Vds, Min @ Tj (max) 700V 38mΩ Mosfet de Potência

1/ 6

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Controlador de Motor DC-DC Powetopologies Alta Aquecedor e corpo robusto Diodo htzf Frdosg65R038a247 Vds, Min @ Tj (max) 700V 38mΩ Mosfet de Potência

US$ 0,2 / Peça

660 Peças (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: SMD

Processamento de Sinais: Digital

Aplicação: Televisão

Carregador Conversor Flyback Aux um interruptor Opologies Osg90r1K2af para251 Mosfet de Alta Tensão

Carregador Conversor Flyback Aux um interruptor Opologies Osg90r1K2af para251 Mosfet de Alta Tensão

Carregador Conversor Flyback Aux um interruptor Opologies Osg90r1K2af para251 Mosfet de Alta Tensão

Carregador Conversor Flyback Aux um interruptor Opologies Osg90r1K2af para251 Mosfet de Alta Tensão

Carregador Conversor Flyback Aux um interruptor Opologies Osg90r1K2af para251 Mosfet de Alta Tensão

Carregador Conversor Flyback Aux um interruptor Opologies Osg90r1K2af para251 Mosfet de Alta Tensão

1/ 6

Favoritos

Carregador Conversor Flyback Aux um interruptor Opologies Osg90r1K2af para251 Mosfet de Alta Tensão

US$ 0,2 / Peça

660 Peças (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: SMD

Processamento de Sinais: Digital

Aplicação: Televisão

Boné para transdutor de corrente 200...1500-S.

Boné para transdutor de corrente 200...1500-S.

Boné para transdutor de corrente 200...1500-S.

Boné para transdutor de corrente 200...1500-S.

Boné para transdutor de corrente 200...1500-S.

Boné para transdutor de corrente 200...1500-S.

1/ 6

Favoritos

Boné para transdutor de corrente 200...1500-S.

US$ 50,00-60,00 / Peça

84 Peças (MOQ)

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: Embalagem PGA

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Medição de Temperatura

2A200A HB12c2f para o motor aciona o cobre da Placa Base Módulo IGBT

2A200A HB12c2f para o motor aciona o cobre da Placa Base Módulo IGBT

2A200A HB12c2f para o motor aciona o cobre da Placa Base Módulo IGBT

2A200A HB12c2f para o motor aciona o cobre da Placa Base Módulo IGBT

2A200A HB12c2f para o motor aciona o cobre da Placa Base Módulo IGBT

2A200A HB12c2f para o motor aciona o cobre da Placa Base Módulo IGBT

1/ 6

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2A200A HB12c2f para o motor aciona o cobre da Placa Base Módulo IGBT

US$ 1,00-1.000,00 / Peça

1 Peça (MOQ)

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: Embalagem PGA

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Medição de Temperatura

Ligação de carregamento rápido ext. RoHS Osg90r1K2af To251 potência de alta tensão MOSFET

Ligação de carregamento rápido ext. RoHS Osg90r1K2af To251 potência de alta tensão MOSFET

Ligação de carregamento rápido ext. RoHS Osg90r1K2af To251 potência de alta tensão MOSFET

Ligação de carregamento rápido ext. RoHS Osg90r1K2af To251 potência de alta tensão MOSFET

Ligação de carregamento rápido ext. RoHS Osg90r1K2af To251 potência de alta tensão MOSFET

Ligação de carregamento rápido ext. RoHS Osg90r1K2af To251 potência de alta tensão MOSFET

1/ 6

Favoritos

Ligação de carregamento rápido ext. RoHS Osg90r1K2af To251 potência de alta tensão MOSFET

US$ 0,2 / Peça

660 Peças (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: SMD

Processamento de Sinais: Digital

Aplicação: Televisão

Tecnologia avançada Tgbt To247-P 800W Ost75n65hsmf 30V fabricante Trident Gate Transístor bipolar

Tecnologia avançada Tgbt To247-P 800W Ost75n65hsmf 30V fabricante Trident Gate Transístor bipolar

Tecnologia avançada Tgbt To247-P 800W Ost75n65hsmf 30V fabricante Trident Gate Transístor bipolar

Tecnologia avançada Tgbt To247-P 800W Ost75n65hsmf 30V fabricante Trident Gate Transístor bipolar

Tecnologia avançada Tgbt To247-P 800W Ost75n65hsmf 30V fabricante Trident Gate Transístor bipolar

Tecnologia avançada Tgbt To247-P 800W Ost75n65hsmf 30V fabricante Trident Gate Transístor bipolar

1/ 6

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Tecnologia avançada Tgbt To247-P 800W Ost75n65hsmf 30V fabricante Trident Gate Transístor bipolar

US$ 2,5-3,00 / Peça

5.000 Peças (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: BGA

Processamento de Sinais: Digital

Aplicação: Frigorífico

Aquecedor e Diodo Corpo robusto Osg65R038a247 htzf Vds, Min @ Tj (max) 700V (RDS) , Max @ Vgs=10V 38 MΩ Mosfet de Potência

Aquecedor e Diodo Corpo robusto Osg65R038a247 htzf Vds, Min @ Tj (max) 700V (RDS) , Max @ Vgs=10V 38 MΩ Mosfet de Potência

Aquecedor e Diodo Corpo robusto Osg65R038a247 htzf Vds, Min @ Tj (max) 700V (RDS) , Max @ Vgs=10V 38 MΩ Mosfet de Potência

Aquecedor e Diodo Corpo robusto Osg65R038a247 htzf Vds, Min @ Tj (max) 700V (RDS) , Max @ Vgs=10V 38 MΩ Mosfet de Potência

Aquecedor e Diodo Corpo robusto Osg65R038a247 htzf Vds, Min @ Tj (max) 700V (RDS) , Max @ Vgs=10V 38 MΩ Mosfet de Potência

Aquecedor e Diodo Corpo robusto Osg65R038a247 htzf Vds, Min @ Tj (max) 700V (RDS) , Max @ Vgs=10V 38 MΩ Mosfet de Potência

1/ 6

Favoritos

Aquecedor e Diodo Corpo robusto Osg65R038a247 htzf Vds, Min @ Tj (max) 700V (RDS) , Max @ Vgs=10V 38 MΩ Mosfet de Potência

US$ 0,2 / Peça

660 Peças (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: SMD

Processamento de Sinais: Digital

Aplicação: Televisão

Topologias LLC de alta potência intercaladas CC-CC de alta velocidade FRD de Díodo de recuperação rápida MOSFET de potência

Topologias LLC de alta potência intercaladas CC-CC de alta velocidade FRD de Díodo de recuperação rápida MOSFET de potência

Topologias LLC de alta potência intercaladas CC-CC de alta velocidade FRD de Díodo de recuperação rápida MOSFET de potência

Topologias LLC de alta potência intercaladas CC-CC de alta velocidade FRD de Díodo de recuperação rápida MOSFET de potência

Topologias LLC de alta potência intercaladas CC-CC de alta velocidade FRD de Díodo de recuperação rápida MOSFET de potência

Topologias LLC de alta potência intercaladas CC-CC de alta velocidade FRD de Díodo de recuperação rápida MOSFET de potência

1/ 6

Favoritos

Topologias LLC de alta potência intercaladas CC-CC de alta velocidade FRD de Díodo de recuperação rápida MOSFET de potência

US$ 0,2 / Peça

660 Peças (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: SMD

Processamento de Sinais: Digital

Aplicação: Televisão

Fz800r12ke3 4kvac1minisolação Highcreepageandeliminancistances Série C IGBT

Fz800r12ke3 4kvac1minisolação Highcreepageandeliminancistances Série C IGBT

Fz800r12ke3 4kvac1minisolação Highcreepageandeliminancistances Série C IGBT

Fz800r12ke3 4kvac1minisolação Highcreepageandeliminancistances Série C IGBT

Fz800r12ke3 4kvac1minisolação Highcreepageandeliminancistances Série C IGBT

Fz800r12ke3 4kvac1minisolação Highcreepageandeliminancistances Série C IGBT

1/ 6

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Fz800r12ke3 4kvac1minisolação Highcreepageandeliminancistances Série C IGBT

US$ 125,00-135,00 / Peça

10 Peças (MOQ)

Shenzhen Botong Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: Embalagem PGA

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Medição de Temperatura

PACOTE UPS To252 transístor de semicondutores de potência de 900 V N-Channel Osg80r900df MOSFET

PACOTE UPS To252 transístor de semicondutores de potência de 900 V N-Channel Osg80r900df MOSFET

PACOTE UPS To252 transístor de semicondutores de potência de 900 V N-Channel Osg80r900df MOSFET

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PACOTE UPS To252 transístor de semicondutores de potência de 900 V N-Channel Osg80r900df MOSFET

PACOTE UPS To252 transístor de semicondutores de potência de 900 V N-Channel Osg80r900df MOSFET

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PACOTE UPS To252 transístor de semicondutores de potência de 900 V N-Channel Osg80r900df MOSFET

US$ 0,1-0,5 / Peça

5.000 Peças (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: DIP (Embalagem em Linha Dupla)

Processamento de Sinais: Digital

Aplicação: Frigorífico

FF500r17ke4 compatível com RoHS o módulo IGBT de 150 ° C permite aumentar Potência de saída do inversor

FF500r17ke4 compatível com RoHS o módulo IGBT de 150 ° C permite aumentar Potência de saída do inversor

FF500r17ke4 compatível com RoHS o módulo IGBT de 150 ° C permite aumentar Potência de saída do inversor

FF500r17ke4 compatível com RoHS o módulo IGBT de 150 ° C permite aumentar Potência de saída do inversor

FF500r17ke4 compatível com RoHS o módulo IGBT de 150 ° C permite aumentar Potência de saída do inversor

FF500r17ke4 compatível com RoHS o módulo IGBT de 150 ° C permite aumentar Potência de saída do inversor

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FF500r17ke4 compatível com RoHS o módulo IGBT de 150 ° C permite aumentar Potência de saída do inversor

US$ 195,00-230,00 / Peça

10 Peças (MOQ)

Shenzhen Botong Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: Embalagem PGA

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Medição de Temperatura

Fz400R17Ke4 Infineon IGBT para fontes de alimentação ininterrupta com isolados da Placa Base

Fz400R17Ke4 Infineon IGBT para fontes de alimentação ininterrupta com isolados da Placa Base

Fz400R17Ke4 Infineon IGBT para fontes de alimentação ininterrupta com isolados da Placa Base

Fz400R17Ke4 Infineon IGBT para fontes de alimentação ininterrupta com isolados da Placa Base

Fz400R17Ke4 Infineon IGBT para fontes de alimentação ininterrupta com isolados da Placa Base

Fz400R17Ke4 Infineon IGBT para fontes de alimentação ininterrupta com isolados da Placa Base

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Favoritos

Fz400R17Ke4 Infineon IGBT para fontes de alimentação ininterrupta com isolados da Placa Base

US$ 84,00-95,00 / Peça

10 Peças (MOQ)

Shenzhen Botong Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: Embalagem PGA

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Medição de Temperatura

Skkh330-16e Semipack ® 3/ tiristor com módulos de diodo IGBT

Skkh330-16e Semipack ® 3/ tiristor com módulos de diodo IGBT

Skkh330-16e Semipack ® 3/ tiristor com módulos de diodo IGBT

Skkh330-16e Semipack ® 3/ tiristor com módulos de diodo IGBT

Skkh330-16e Semipack ® 3/ tiristor com módulos de diodo IGBT

Skkh330-16e Semipack ® 3/ tiristor com módulos de diodo IGBT

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Favoritos

Skkh330-16e Semipack ® 3/ tiristor com módulos de diodo IGBT

US$ 115,00-140,00 / Peça

6 Peças (MOQ)

Shenzhen Botong Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: Embalagem PGA

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Medição de Temperatura

Tensão Alta do transistor de potência Pdfn 8*8 Package Osg80R300jf N-channel 800W 300V de alimentação MOSFET transistor semicondutor

Tensão Alta do transistor de potência Pdfn 8*8 Package Osg80R300jf N-channel 800W 300V de alimentação MOSFET transistor semicondutor

Tensão Alta do transistor de potência Pdfn 8*8 Package Osg80R300jf N-channel 800W 300V de alimentação MOSFET transistor semicondutor

Tensão Alta do transistor de potência Pdfn 8*8 Package Osg80R300jf N-channel 800W 300V de alimentação MOSFET transistor semicondutor

Tensão Alta do transistor de potência Pdfn 8*8 Package Osg80R300jf N-channel 800W 300V de alimentação MOSFET transistor semicondutor

Tensão Alta do transistor de potência Pdfn 8*8 Package Osg80R300jf N-channel 800W 300V de alimentação MOSFET transistor semicondutor

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Tensão Alta do transistor de potência Pdfn 8*8 Package Osg80R300jf N-channel 800W 300V de alimentação MOSFET transistor semicondutor

US$ 0,1-0,5 / Peça

5.000 Peças (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: SMD

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Frigorífico

Skm200GB12t4 cobre de ligação directa de 1200 V para unidades inversoras AC E UPS

Skm200GB12t4 cobre de ligação directa de 1200 V para unidades inversoras AC E UPS

Skm200GB12t4 cobre de ligação directa de 1200 V para unidades inversoras AC E UPS

Skm200GB12t4 cobre de ligação directa de 1200 V para unidades inversoras AC E UPS

Skm200GB12t4 cobre de ligação directa de 1200 V para unidades inversoras AC E UPS

Skm200GB12t4 cobre de ligação directa de 1200 V para unidades inversoras AC E UPS

1/ 6

Favoritos

Skm200GB12t4 cobre de ligação directa de 1200 V para unidades inversoras AC E UPS

US$ 58,00-65,00 / Peça

12 Peças (MOQ)

Shenzhen Botong Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: Embalagem PGA

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Medição de Temperatura

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