Início Elétrico & Eletrônico Triode Bjt transistor de potência 2024 Lista de produtos

Bjt transistor de potência

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Transístor bipolar único (BJT) 40 original NPN 45V 500mA Sot-23-3

Transístor bipolar único (BJT) 40 original NPN 45V 500mA Sot-23-3

Transístor bipolar único (BJT) 40 original NPN 45V 500mA Sot-23-3

Transístor bipolar único (BJT) 40 original NPN 45V 500mA Sot-23-3

Transístor bipolar único (BJT) 40 original NPN 45V 500mA Sot-23-3

Transístor bipolar único (BJT) 40 original NPN 45V 500mA Sot-23-3

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Transístor bipolar único (BJT) 40 original NPN 45V 500mA Sot-23-3

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Aplicação: Produtos eletrônicos

Certificação: RoHS,ISO

Intensidade luminosa: Padrão

Material: Silício

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Bc846b (Bipolar BJT) Transístor NPN 65 V 100 Ma 100 MHz 200 MW TIPO SMD SOT-23 Bc846b Bc846

Bc846b (Bipolar BJT) Transístor NPN 65 V 100 Ma 100 MHz 200 MW TIPO SMD SOT-23 Bc846b Bc846

Bc846b (Bipolar BJT) Transístor NPN 65 V 100 Ma 100 MHz 200 MW TIPO SMD SOT-23 Bc846b Bc846

Bc846b (Bipolar BJT) Transístor NPN 65 V 100 Ma 100 MHz 200 MW TIPO SMD SOT-23 Bc846b Bc846

Bc846b (Bipolar BJT) Transístor NPN 65 V 100 Ma 100 MHz 200 MW TIPO SMD SOT-23 Bc846b Bc846

Bc846b (Bipolar BJT) Transístor NPN 65 V 100 Ma 100 MHz 200 MW TIPO SMD SOT-23 Bc846b Bc846

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Bc846b (Bipolar BJT) Transístor NPN 65 V 100 Ma 100 MHz 200 MW TIPO SMD SOT-23 Bc846b Bc846

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Capacidade de Produção: 10000PCS/Day

Smmbta06LT1g (BJT) transistor bipolar NPN 80 V a 500 Ma 100 MHz 225 MW Sot-23-3 SMD Smmbta06LT3g Smmbta06lt Smmbta06

Smmbta06LT1g (BJT) transistor bipolar NPN 80 V a 500 Ma 100 MHz 225 MW Sot-23-3 SMD Smmbta06LT3g Smmbta06lt Smmbta06

Smmbta06LT1g (BJT) transistor bipolar NPN 80 V a 500 Ma 100 MHz 225 MW Sot-23-3 SMD Smmbta06LT3g Smmbta06lt Smmbta06

Smmbta06LT1g (BJT) transistor bipolar NPN 80 V a 500 Ma 100 MHz 225 MW Sot-23-3 SMD Smmbta06LT3g Smmbta06lt Smmbta06

Smmbta06LT1g (BJT) transistor bipolar NPN 80 V a 500 Ma 100 MHz 225 MW Sot-23-3 SMD Smmbta06LT3g Smmbta06lt Smmbta06

Smmbta06LT1g (BJT) transistor bipolar NPN 80 V a 500 Ma 100 MHz 225 MW Sot-23-3 SMD Smmbta06LT3g Smmbta06lt Smmbta06

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Smmbta06LT1g (BJT) transistor bipolar NPN 80 V a 500 Ma 100 MHz 225 MW Sot-23-3 SMD Smmbta06LT3g Smmbta06lt Smmbta06

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Capacidade de Produção: 10000PCS/Day

Conjunto de transístor bipolar Bcm847BS135 original 2NPN par combinado 45 V 100 mA 250 MHz Bcm847

Conjunto de transístor bipolar Bcm847BS135 original 2NPN par combinado 45 V 100 mA 250 MHz Bcm847

Conjunto de transístor bipolar Bcm847BS135 original 2NPN par combinado 45 V 100 mA 250 MHz Bcm847

Conjunto de transístor bipolar Bcm847BS135 original 2NPN par combinado 45 V 100 mA 250 MHz Bcm847

Conjunto de transístor bipolar Bcm847BS135 original 2NPN par combinado 45 V 100 mA 250 MHz Bcm847

Conjunto de transístor bipolar Bcm847BS135 original 2NPN par combinado 45 V 100 mA 250 MHz Bcm847

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Conjunto de transístor bipolar Bcm847BS135 original 2NPN par combinado 45 V 100 mA 250 MHz Bcm847

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Certificação: ISO

Estrutura encapsulamento: Chip Transistor

Instalação: Plug-in Triode

Freqüência de trabalho: Alta frequência

Nível de poder: Alto poder

Função: Triode de comutação

Mjd122 (BJT) transistor bipolar NPN Darlington 100 V 8 a 4 MHz 1,75 W122Dpak Mjd SMD t4g

Mjd122 (BJT) transistor bipolar NPN Darlington 100 V 8 a 4 MHz 1,75 W122Dpak Mjd SMD t4g

Mjd122 (BJT) transistor bipolar NPN Darlington 100 V 8 a 4 MHz 1,75 W122Dpak Mjd SMD t4g

Mjd122 (BJT) transistor bipolar NPN Darlington 100 V 8 a 4 MHz 1,75 W122Dpak Mjd SMD t4g

Mjd122 (BJT) transistor bipolar NPN Darlington 100 V 8 a 4 MHz 1,75 W122Dpak Mjd SMD t4g

Mjd122 (BJT) transistor bipolar NPN Darlington 100 V 8 a 4 MHz 1,75 W122Dpak Mjd SMD t4g

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Mjd122 (BJT) transistor bipolar NPN Darlington 100 V 8 a 4 MHz 1,75 W122Dpak Mjd SMD t4g

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Origem: Original

Capacidade de Produção: 10000PCS/Day

China Fábrica da Bc807-25LT3g (Bipolar BJT) transistor PNP 45V 500mA 100MHz 300MW Sot-23-3

China Fábrica da Bc807-25LT3g (Bipolar BJT) transistor PNP 45V 500mA 100MHz 300MW Sot-23-3

China Fábrica da Bc807-25LT3g (Bipolar BJT) transistor PNP 45V 500mA 100MHz 300MW Sot-23-3

China Fábrica da Bc807-25LT3g (Bipolar BJT) transistor PNP 45V 500mA 100MHz 300MW Sot-23-3

China Fábrica da Bc807-25LT3g (Bipolar BJT) transistor PNP 45V 500mA 100MHz 300MW Sot-23-3

China Fábrica da Bc807-25LT3g (Bipolar BJT) transistor PNP 45V 500mA 100MHz 300MW Sot-23-3

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China Fábrica da Bc807-25LT3g (Bipolar BJT) transistor PNP 45V 500mA 100MHz 300MW Sot-23-3

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Instalação: SMD Triode

Estrutura: PNP

Material: Silício

Embalagem: Foam Packing

Origem: China

Código HS: 8541100000

2SA673A transístor bipolar PNP 50 V 400 MW 500 mA 2SA673

2SA673A transístor bipolar PNP 50 V 400 MW 500 mA 2SA673

2SA673A transístor bipolar PNP 50 V 400 MW 500 mA 2SA673

2SA673A transístor bipolar PNP 50 V 400 MW 500 mA 2SA673

2SA673A transístor bipolar PNP 50 V 400 MW 500 mA 2SA673

2SA673A transístor bipolar PNP 50 V 400 MW 500 mA 2SA673

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2SA673A transístor bipolar PNP 50 V 400 MW 500 mA 2SA673

US$ 0,01 / Peça

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Embalagem: Standard

Padrão: Standard

Origem: Original

Capacidade de Produção: 10000PCS/Day

MD1802fx (Bipolar BJT) Transístor NPN 700 V 10 a 57 W através do orifício Isowatt-218FX MD1802 MD1803 MD2001 MD2009 Series

MD1802fx (Bipolar BJT) Transístor NPN 700 V 10 a 57 W através do orifício Isowatt-218FX MD1802 MD1803 MD2001 MD2009 Series

MD1802fx (Bipolar BJT) Transístor NPN 700 V 10 a 57 W através do orifício Isowatt-218FX MD1802 MD1803 MD2001 MD2009 Series

MD1802fx (Bipolar BJT) Transístor NPN 700 V 10 a 57 W através do orifício Isowatt-218FX MD1802 MD1803 MD2001 MD2009 Series

MD1802fx (Bipolar BJT) Transístor NPN 700 V 10 a 57 W através do orifício Isowatt-218FX MD1802 MD1803 MD2001 MD2009 Series

MD1802fx (Bipolar BJT) Transístor NPN 700 V 10 a 57 W através do orifício Isowatt-218FX MD1802 MD1803 MD2001 MD2009 Series

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MD1802fx (Bipolar BJT) Transístor NPN 700 V 10 a 57 W através do orifício Isowatt-218FX MD1802 MD1803 MD2001 MD2009 Series

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Certificação: RoHS,CE

Embalagem: Standard

Padrão: Standard

Origem: Original

Capacidade de Produção: 10000PCS/Day

Transístores Fdms86263p MOSFET P-Channel 150V 4.4A/22A 8-Pqfn originais

Transístores Fdms86263p MOSFET P-Channel 150V 4.4A/22A 8-Pqfn originais

Transístores Fdms86263p MOSFET P-Channel 150V 4.4A/22A 8-Pqfn originais

Transístores Fdms86263p MOSFET P-Channel 150V 4.4A/22A 8-Pqfn originais

Transístores Fdms86263p MOSFET P-Channel 150V 4.4A/22A 8-Pqfn originais

Transístores Fdms86263p MOSFET P-Channel 150V 4.4A/22A 8-Pqfn originais

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Transístores Fdms86263p MOSFET P-Channel 150V 4.4A/22A 8-Pqfn originais

US$ 1,64-1,76 / Peça

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Certificação: RoHS,ISO

Instalação: SMD Triode

Embalagem: Standard

Padrão: DIP/SMD

Marca Registrada: Original

Origem: Original

(BJT) Bipolar Transistor PNP BC327 Bc337 Bc547 Bc549 Bc846 Bc847 BD139

(BJT) Bipolar Transistor PNP BC327 Bc337 Bc547 Bc549 Bc846 Bc847 BD139

(BJT) Bipolar Transistor PNP BC327 Bc337 Bc547 Bc549 Bc846 Bc847 BD139

(BJT) Bipolar Transistor PNP BC327 Bc337 Bc547 Bc549 Bc846 Bc847 BD139

(BJT) Bipolar Transistor PNP BC327 Bc337 Bc547 Bc549 Bc846 Bc847 BD139

(BJT) Bipolar Transistor PNP BC327 Bc337 Bc547 Bc549 Bc846 Bc847 BD139

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(BJT) Bipolar Transistor PNP BC327 Bc337 Bc547 Bc549 Bc846 Bc847 BD139

US$ 0,01-1,00 / Peça

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Certificação: RoHS,CE

Embalagem: Standard

Padrão: Standard

Origem: Original

Capacidade de Produção: 10000PCS/Day

Tip147 Tip142 transistor bipolar (BJT) PNP-Darlington 100V 10A 125W a -247 Transístor

Tip147 Tip142 transistor bipolar (BJT) PNP-Darlington 100V 10A 125W a -247 Transístor

Tip147 Tip142 transistor bipolar (BJT) PNP-Darlington 100V 10A 125W a -247 Transístor

Tip147 Tip142 transistor bipolar (BJT) PNP-Darlington 100V 10A 125W a -247 Transístor

Tip147 Tip142 transistor bipolar (BJT) PNP-Darlington 100V 10A 125W a -247 Transístor

Tip147 Tip142 transistor bipolar (BJT) PNP-Darlington 100V 10A 125W a -247 Transístor

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Tip147 Tip142 transistor bipolar (BJT) PNP-Darlington 100V 10A 125W a -247 Transístor

US$ 0,027-0,04 / Peça

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Certificação: RoHS,ISO

Estrutura encapsulamento: Chip Transistor

Instalação: Plug-in Triode

Estrutura: PNP

Embalagem: Standard

Padrão: Standard

Rn1301 Pre-Biased transistor bipolar (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 Ma 250 MHz 100 MW para Montagem Saliente Sc-70 SMD RN1301, LF

Rn1301 Pre-Biased transistor bipolar (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 Ma 250 MHz 100 MW para Montagem Saliente Sc-70 SMD RN1301, LF

Rn1301 Pre-Biased transistor bipolar (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 Ma 250 MHz 100 MW para Montagem Saliente Sc-70 SMD RN1301, LF

Rn1301 Pre-Biased transistor bipolar (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 Ma 250 MHz 100 MW para Montagem Saliente Sc-70 SMD RN1301, LF

Rn1301 Pre-Biased transistor bipolar (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 Ma 250 MHz 100 MW para Montagem Saliente Sc-70 SMD RN1301, LF

Rn1301 Pre-Biased transistor bipolar (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 Ma 250 MHz 100 MW para Montagem Saliente Sc-70 SMD RN1301, LF

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Rn1301 Pre-Biased transistor bipolar (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 Ma 250 MHz 100 MW para Montagem Saliente Sc-70 SMD RN1301, LF

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Material: Germânio

Embalagem: Standard

Origem: Original

Capacidade de Produção: 10000PCS/Day

2n5401 transístor bipolar (BJT) PNP 150 V 600 mA 300 MHz 625 MW DIP a -92 2n5401

2n5401 transístor bipolar (BJT) PNP 150 V 600 mA 300 MHz 625 MW DIP a -92 2n5401

2n5401 transístor bipolar (BJT) PNP 150 V 600 mA 300 MHz 625 MW DIP a -92 2n5401

2n5401 transístor bipolar (BJT) PNP 150 V 600 mA 300 MHz 625 MW DIP a -92 2n5401

2n5401 transístor bipolar (BJT) PNP 150 V 600 mA 300 MHz 625 MW DIP a -92 2n5401

2n5401 transístor bipolar (BJT) PNP 150 V 600 mA 300 MHz 625 MW DIP a -92 2n5401

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2n5401 transístor bipolar (BJT) PNP 150 V 600 mA 300 MHz 625 MW DIP a -92 2n5401

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Padrão: Standard

Origem: Original

Capacidade de Produção: 10000PCS/Day

Mmbt5551 (BJT) transistor bipolar NPN 160 V a 600 Ma 225 MW para montagem de superfície TIS-23-3 (A-236) Mmbt Mmbt5551lt1g5550 Mmbt589 Mmbt5401 Mmbt5088 Series

Mmbt5551 (BJT) transistor bipolar NPN 160 V a 600 Ma 225 MW para montagem de superfície TIS-23-3 (A-236) Mmbt Mmbt5551lt1g5550 Mmbt589 Mmbt5401 Mmbt5088 Series

Mmbt5551 (BJT) transistor bipolar NPN 160 V a 600 Ma 225 MW para montagem de superfície TIS-23-3 (A-236) Mmbt Mmbt5551lt1g5550 Mmbt589 Mmbt5401 Mmbt5088 Series

Mmbt5551 (BJT) transistor bipolar NPN 160 V a 600 Ma 225 MW para montagem de superfície TIS-23-3 (A-236) Mmbt Mmbt5551lt1g5550 Mmbt589 Mmbt5401 Mmbt5088 Series

Mmbt5551 (BJT) transistor bipolar NPN 160 V a 600 Ma 225 MW para montagem de superfície TIS-23-3 (A-236) Mmbt Mmbt5551lt1g5550 Mmbt589 Mmbt5401 Mmbt5088 Series

Mmbt5551 (BJT) transistor bipolar NPN 160 V a 600 Ma 225 MW para montagem de superfície TIS-23-3 (A-236) Mmbt Mmbt5551lt1g5550 Mmbt589 Mmbt5401 Mmbt5088 Series

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Mmbt5551 (BJT) transistor bipolar NPN 160 V a 600 Ma 225 MW para montagem de superfície TIS-23-3 (A-236) Mmbt Mmbt5551lt1g5550 Mmbt589 Mmbt5401 Mmbt5088 Series

US$ 0,01-1,00 / Peça

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Certificação: RoHS,CE

Embalagem: Standard

Padrão: Standard

Origem: Original

Capacidade de Produção: 10000PCS/Day

2N3904 2N3904 bu 2n tar3904 2N3904 TF novo e original para Bjt-92 40V 200mA transístores

2N3904 2N3904 bu 2n tar3904 2N3904 TF novo e original para Bjt-92 40V 200mA transístores

2N3904 2N3904 bu 2n tar3904 2N3904 TF novo e original para Bjt-92 40V 200mA transístores

2N3904 2N3904 bu 2n tar3904 2N3904 TF novo e original para Bjt-92 40V 200mA transístores

2N3904 2N3904 bu 2n tar3904 2N3904 TF novo e original para Bjt-92 40V 200mA transístores

2N3904 2N3904 bu 2n tar3904 2N3904 TF novo e original para Bjt-92 40V 200mA transístores

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2N3904 2N3904 bu 2n tar3904 2N3904 TF novo e original para Bjt-92 40V 200mA transístores

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Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC

Forma: Subminiature

Tipo de blindagem: Afiada Cutoff Tubo Blindagem

Método de refrigeração: Tubo refrigerado naturalmente

Função: Transistor de alta pressão Voltar,Transistor microondas,Mudar Transistor

Freqüência de trabalho: Alta frequência

Bc807-40 (Bipolar BJT) transistor PNP 45 V a 800 Ma 100 MHz 310 MW TIPO SMD Sot-23-3 (A-236) Bc807-40R13

Bc807-40 (Bipolar BJT) transistor PNP 45 V a 800 Ma 100 MHz 310 MW TIPO SMD Sot-23-3 (A-236) Bc807-40R13

Bc807-40 (Bipolar BJT) transistor PNP 45 V a 800 Ma 100 MHz 310 MW TIPO SMD Sot-23-3 (A-236) Bc807-40R13

Bc807-40 (Bipolar BJT) transistor PNP 45 V a 800 Ma 100 MHz 310 MW TIPO SMD Sot-23-3 (A-236) Bc807-40R13

Bc807-40 (Bipolar BJT) transistor PNP 45 V a 800 Ma 100 MHz 310 MW TIPO SMD Sot-23-3 (A-236) Bc807-40R13

Bc807-40 (Bipolar BJT) transistor PNP 45 V a 800 Ma 100 MHz 310 MW TIPO SMD Sot-23-3 (A-236) Bc807-40R13

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Bc807-40 (Bipolar BJT) transistor PNP 45 V a 800 Ma 100 MHz 310 MW TIPO SMD Sot-23-3 (A-236) Bc807-40R13

US$ 0,01-1,00 / Peça

1 Peça (MOQ)

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Embalagem: Standard

Padrão: Standard

Origem: Original

Capacidade de Produção: 10000PCS/Day

Bc817-40 Bc817-40R13 (Bipolar BJT) Transístor NPN 45 V a 800 Ma 100 MHz 310 MW TIPO SMD Sot-23-3 (A-236) Bc817 Series

Bc817-40 Bc817-40R13 (Bipolar BJT) Transístor NPN 45 V a 800 Ma 100 MHz 310 MW TIPO SMD Sot-23-3 (A-236) Bc817 Series

Bc817-40 Bc817-40R13 (Bipolar BJT) Transístor NPN 45 V a 800 Ma 100 MHz 310 MW TIPO SMD Sot-23-3 (A-236) Bc817 Series

Bc817-40 Bc817-40R13 (Bipolar BJT) Transístor NPN 45 V a 800 Ma 100 MHz 310 MW TIPO SMD Sot-23-3 (A-236) Bc817 Series

Bc817-40 Bc817-40R13 (Bipolar BJT) Transístor NPN 45 V a 800 Ma 100 MHz 310 MW TIPO SMD Sot-23-3 (A-236) Bc817 Series

Bc817-40 Bc817-40R13 (Bipolar BJT) Transístor NPN 45 V a 800 Ma 100 MHz 310 MW TIPO SMD Sot-23-3 (A-236) Bc817 Series

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Bc817-40 Bc817-40R13 (Bipolar BJT) Transístor NPN 45 V a 800 Ma 100 MHz 310 MW TIPO SMD Sot-23-3 (A-236) Bc817 Series

US$ 0,01-1,00 / Peça

1 Peça (MOQ)

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Certificação: RoHS,CE

Embalagem: Standard

Padrão: Standard

Origem: Original

Capacidade de Produção: 10000PCS/Day

Transístor bipolar (BJT) 2n5551 NPN 160 V 600 MA 300 MHz 625 MW DIP a -92 (A -226) 2n5551

Transístor bipolar (BJT) 2n5551 NPN 160 V 600 MA 300 MHz 625 MW DIP a -92 (A -226) 2n5551

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Transístor bipolar (BJT) 2n5551 NPN 160 V 600 MA 300 MHz 625 MW DIP a -92 (A -226) 2n5551

Transístor bipolar (BJT) 2n5551 NPN 160 V 600 MA 300 MHz 625 MW DIP a -92 (A -226) 2n5551

Transístor bipolar (BJT) 2n5551 NPN 160 V 600 MA 300 MHz 625 MW DIP a -92 (A -226) 2n5551

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Transístor bipolar (BJT) 2n5551 NPN 160 V 600 MA 300 MHz 625 MW DIP a -92 (A -226) 2n5551

US$ 0,01-1,00 / Peça

1 Peça (MOQ)

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Embalagem: Standard

Padrão: Standard

Origem: Original

Capacidade de Produção: 10000PCS/Day

2n3906 2n3906bu 2n5401bu 2n5401ybu New % Origin STMicroelectronics to - 92 transístor BJT

2n3906 2n3906bu 2n5401bu 2n5401ybu New % Origin STMicroelectronics to - 92 transístor BJT

2n3906 2n3906bu 2n5401bu 2n5401ybu New % Origin STMicroelectronics to - 92 transístor BJT

2n3906 2n3906bu 2n5401bu 2n5401ybu New % Origin STMicroelectronics to - 92 transístor BJT

2n3906 2n3906bu 2n5401bu 2n5401ybu New % Origin STMicroelectronics to - 92 transístor BJT

2n3906 2n3906bu 2n5401bu 2n5401ybu New % Origin STMicroelectronics to - 92 transístor BJT

1/ 6

Favoritos

2n3906 2n3906bu 2n5401bu 2n5401ybu New % Origin STMicroelectronics to - 92 transístor BJT

US$ 0,0001-0,011 / Peça

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Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC

Forma: Subminiature

Tipo de blindagem: Afiada Cutoff Tubo Blindagem

Método de refrigeração: Tubo refrigerado naturalmente

Função: Transistor de alta pressão Voltar,Transistor microondas,Mudar Transistor

Freqüência de trabalho: Alta frequência

30 A, 120 V NPN Darlington transistor de potência Bipolar Mj11015G Mj11016G

30 A, 120 V NPN Darlington transistor de potência Bipolar Mj11015G Mj11016G

30 A, 120 V NPN Darlington transistor de potência Bipolar Mj11015G Mj11016G

30 A, 120 V NPN Darlington transistor de potência Bipolar Mj11015G Mj11016G

30 A, 120 V NPN Darlington transistor de potência Bipolar Mj11015G Mj11016G

30 A, 120 V NPN Darlington transistor de potência Bipolar Mj11015G Mj11016G

1/ 6

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30 A, 120 V NPN Darlington transistor de potência Bipolar Mj11015G Mj11016G

US$ 4,3-10,6 / Peça

100 Peças (MOQ)

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Certificação: RoHS

Estrutura encapsulamento: Transistor Embalado cerâmica

Instalação: Plug-in Triode

Nível de poder: Alto poder

Função: Triode poder

Estrutura: NPN

1/ 4

Favoritos

Mmbta06LT1g SMD Transistor condutor NPN Silicon SOT-23

US$ 0,02-0,48 / Peça

500 Peças (MOQ)

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Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC

Forma: ST

Freqüência de trabalho: Baixa frequência

Nível de poder: Small Power

Material: Silício

Padrão: Width: 1.3 mm

Original Novo NPN Alta transístor de alimentação 2N3773 16A 160V

Original Novo NPN Alta transístor de alimentação 2N3773 16A 160V

Original Novo NPN Alta transístor de alimentação 2N3773 16A 160V

Original Novo NPN Alta transístor de alimentação 2N3773 16A 160V

Original Novo NPN Alta transístor de alimentação 2N3773 16A 160V

1/ 5

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Original Novo NPN Alta transístor de alimentação 2N3773 16A 160V

US$ 6,00 / Peça

100 Peças (MOQ)

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Certificação: RoHS

Freqüência de trabalho: Alta frequência

Nível de poder: Alto poder

Função: Triode poder

Estrutura: NPN

Material: Silício

1/ 4

Favoritos

Amplificador de potência de áudio para venda Transistor de Propósito Geral um1695 C4468 2SA1695

US$ 3,4672 / Peça

10 Peças (MOQ)

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Certificação: RoHS

Forma: ST

Tipo de blindagem: Blindagem Tubo Remote-Off Corte

Função: Mudar Transistor

Origem: China

1/ 4

Favoritos

PNP transistor bipolar Darlington Dica147

US$ 0,42 / Peça

100 Peças (MOQ)

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Estrutura encapsulamento: Chip Transistor

Função: Triode poder

Material: Silício

Origem: China

Capacidade de Produção: 10000

1/ 3

Favoritos

Dica41 Bjt transistores bipolares NPN 6A/100V-220 Dica41c

US$ 0,04-0,65 / Peça

100 Peças (MOQ)

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Certificação: RoHS

Função: Triode poder,Triode de comutação

Capacidade de Produção: 10000

1/ 4

Favoritos

Lsn2803 DIP Inline18 Darlington Transistor Chip do condutor

US$ 0,6-2,12 / Peça

1.000 Peças (MOQ)

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Estrutura encapsulamento: Chip Transistor

Instalação: Plug-in Triode

Freqüência de trabalho: Alta frequência

Função: Darlington tubo,Triode poder

Estrutura: NPN

Origem: China

1/ 3

Favoritos

Fábrica de Componentes Electrónicos de transistores do grossista Mje13003-2 E13003-2 13003 para-220

US$ 0,06-0,09 / Peça

50 Peças (MOQ)

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Função: Transistor de alta pressão Voltar,Mudar Transistor

Padrão: /

Marca Registrada: /

Origem: /

Novo Transistor 2SD1047 To3p original 2sb817 D1047 1047

Novo Transistor 2SD1047 To3p original 2sb817 D1047 1047

Novo Transistor 2SD1047 To3p original 2sb817 D1047 1047

Novo Transistor 2SD1047 To3p original 2sb817 D1047 1047

Novo Transistor 2SD1047 To3p original 2sb817 D1047 1047

Novo Transistor 2SD1047 To3p original 2sb817 D1047 1047

1/ 6

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Novo Transistor 2SD1047 To3p original 2sb817 D1047 1047

US$ 0,1-0,5 / Peça

10 Peças (MOQ)

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Certificação: RoHS

Tipo de blindagem: Blindagem Tubo Remote-Off Corte

Freqüência de trabalho: overclocking

Material: Silício

Origem: China

Novo Componente Eletrônico Original Leshan Rádio Ldtd S123ylt1g resistência de polarização do transistor, Atlernative parte para a Rohm Dtd123ychzgt116 Bjt Digital Transistor NPN

Novo Componente Eletrônico Original Leshan Rádio Ldtd S123ylt1g resistência de polarização do transistor, Atlernative parte para a Rohm Dtd123ychzgt116 Bjt Digital Transistor NPN

Novo Componente Eletrônico Original Leshan Rádio Ldtd S123ylt1g resistência de polarização do transistor, Atlernative parte para a Rohm Dtd123ychzgt116 Bjt Digital Transistor NPN

Novo Componente Eletrônico Original Leshan Rádio Ldtd S123ylt1g resistência de polarização do transistor, Atlernative parte para a Rohm Dtd123ychzgt116 Bjt Digital Transistor NPN

Novo Componente Eletrônico Original Leshan Rádio Ldtd S123ylt1g resistência de polarização do transistor, Atlernative parte para a Rohm Dtd123ychzgt116 Bjt Digital Transistor NPN

Novo Componente Eletrônico Original Leshan Rádio Ldtd S123ylt1g resistência de polarização do transistor, Atlernative parte para a Rohm Dtd123ychzgt116 Bjt Digital Transistor NPN

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Novo Componente Eletrônico Original Leshan Rádio Ldtd S123ylt1g resistência de polarização do transistor, Atlernative parte para a Rohm Dtd123ychzgt116 Bjt Digital Transistor NPN

US$ 0,0256-0,03 / Peça

30.000 Peças (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

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Tipo condutora: Circuito Integrado bipolar

técnica: Semiconductor IC

Embalagem: Tape and Reel

Padrão: 3 pin

Marca Registrada: Infineon

Origem: Original

Vector de Transistor bipolar (BJT) 7 NPN Darlington SMD Uln2003adr2g

Vector de Transistor bipolar (BJT) 7 NPN Darlington SMD Uln2003adr2g

Vector de Transistor bipolar (BJT) 7 NPN Darlington SMD Uln2003adr2g

Vector de Transistor bipolar (BJT) 7 NPN Darlington SMD Uln2003adr2g

Vector de Transistor bipolar (BJT) 7 NPN Darlington SMD Uln2003adr2g

Vector de Transistor bipolar (BJT) 7 NPN Darlington SMD Uln2003adr2g

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Vector de Transistor bipolar (BJT) 7 NPN Darlington SMD Uln2003adr2g

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1 Peça (MOQ)

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Pacote: SMD

Processamento de Sinais: Digital

Embalagem: Standard

Padrão: Standard

Marca Registrada: Original

Origem: Original

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Função

Certificação

Material

Freqüência de trabalho

Estrutura encapsulamento

Estrutura

Instalação

Nível de poder

Certificação

Material

Tipo condutora

técnica

Tipo de blindagem

Estrutura encapsulamento

Função

Freqüência de trabalho

Método de refrigeração

Forma

Estrutura

Nível de poder

forma

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Tipo de membro

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Capacidade de P&D

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