Português
Entrar
Junte-se

Contatar Fornecedor

Avatar
Miss Joy Li
Contate Agora

Também Pode Gostar

Carregando...
Voltar à página do produto

Coletor baixo - Tensão de saturação do emissor Ost40n120hmf 10µ S em curto-circuito Tolerância de 1200 V 40 a FRD incorporado na estrutura de paragem de campo de 247 n IGBT

Coletor baixo - Tensão de saturação do emissor Ost40n120hmf 10µ S em curto-circuito Tolerância de 1200 V 40 a FRD incorporado na estrutura de paragem de campo de 247 n IGBT pictures & photos
Coletor baixo - Tensão de saturação do emissor Ost40n120hmf 10µ S em curto-circuito Tolerância de 1200 V 40 a FRD incorporado na estrutura de paragem de campo de 247 n IGBT pictures & photos
Coletor baixo - Tensão de saturação do emissor Ost40n120hmf 10µ S em curto-circuito Tolerância de 1200 V 40 a FRD incorporado na estrutura de paragem de campo de 247 n IGBT pictures & photos
Coletor baixo - Tensão de saturação do emissor Ost40n120hmf 10µ S em curto-circuito Tolerância de 1200 V 40 a FRD incorporado na estrutura de paragem de campo de 247 n IGBT pictures & photos
Coletor baixo - Tensão de saturação do emissor Ost40n120hmf 10µ S em curto-circuito Tolerância de 1200 V 40 a FRD incorporado na estrutura de paragem de campo de 247 n IGBT pictures & photos
Coletor baixo - Tensão de saturação do emissor Ost40n120hmf 10µ S em curto-circuito Tolerância de 1200 V 40 a FRD incorporado na estrutura de paragem de campo de 247 n IGBT pictures & photos
  • Coletor baixo - Tensão de saturação do emissor Ost40n120hmf 10µ S em curto-circuito Tolerância de 1200 V 40 a FRD incorporado na estrutura de paragem de campo de 247 n IGBT
  • Coletor baixo - Tensão de saturação do emissor Ost40n120hmf 10µ S em curto-circuito Tolerância de 1200 V 40 a FRD incorporado na estrutura de paragem de campo de 247 n IGBT
  • Coletor baixo - Tensão de saturação do emissor Ost40n120hmf 10µ S em curto-circuito Tolerância de 1200 V 40 a FRD incorporado na estrutura de paragem de campo de 247 n IGBT
  • Coletor baixo - Tensão de saturação do emissor Ost40n120hmf 10µ S em curto-circuito Tolerância de 1200 V 40 a FRD incorporado na estrutura de paragem de campo de 247 n IGBT
  • Coletor baixo - Tensão de saturação do emissor Ost40n120hmf 10µ S em curto-circuito Tolerância de 1200 V 40 a FRD incorporado na estrutura de paragem de campo de 247 n IGBT
  • Coletor baixo - Tensão de saturação do emissor Ost40n120hmf 10µ S em curto-circuito Tolerância de 1200 V 40 a FRD incorporado na estrutura de paragem de campo de 247 n IGBT
Referência Preço FOB
Obter Último Preço
US$ 0,1-0,6 / Peça | 1.000 Peças (Quantidade Mínima)
Certificação: RoHS, ISO
Forma: ST
Tipo de blindagem: Afiada Cutoff Tubo Blindagem
Método de refrigeração: Air Tubo Refrigerado
Função: Transistor microondas
Freqüência de trabalho: Alta frequência
Favoritos

Também Pode Gostar

Carregando...

Envie sua pergunta diretamente para este fornecedor

*De:
*Para:
avatar Miss Joy Li
*Mensagem:

Digite entre 20 a 4000 caracteres.

Isso não é o que você está procurando? Solicitar postagem de fornecimento agora

As pessoas que viram este produto também tinham visto

Indústria automóvel Ost40n120hmf 10µ S tolerância de curto-circuito 1200V 40A FRD IGBT de paragem de campo para 247n incorporado
Indústria automóvel Ost40n120hmf 10µ S tolerância de curto-circuito 1200V 40A FRD IGBT de paragem de campo para 247n incorporado
US$ 0,1-0,6 / Peça
Para aplicações automóveis Ost40n120hmf 10µ S tolerância de curto-circuito 1200V 40A FRD incorporado na função de tendências de paragem de campo 247n IGBT
Para aplicações automóveis Ost40n120hmf 10µ S tolerância de curto-circuito 1200V 40A FRD incorporado na função de tendências de paragem de campo 247n IGBT
US$ 0,1-0,6 / Peça
Excelente estabilidade e homogeneidade Ost40N120hmf 10µ s Tolerância Short-Circuit 1200V 40A DRF embutidas na canaleta de paragem de campo-247n IGBT
Excelente estabilidade e homogeneidade Ost40N120hmf 10µ s Tolerância Short-Circuit 1200V 40A DRF embutidas na canaleta de paragem de campo-247n IGBT
US$ 0,1-0,6 / Peça
Excelente condução e perda de comutação 10µ S tolerância de curto-circuito 1200V 40 a FRD Ost40n120 hmf incorporado para - 247 n Field Stop Trench IGBT
Excelente condução e perda de comutação 10µ S tolerância de curto-circuito 1200V 40 a FRD Ost40n120 hmf incorporado para - 247 n Field Stop Trench IGBT
US$ 0,1-0,6 / Peça
Fontes de alimentação ininterruptas Ost40n120hmf 10µ S tolerância de curto-circuito 1200V 40A FRD incorporado na função de tendências de paragem de campo 247n IGBT
Fontes de alimentação ininterruptas Ost40n120hmf 10µ S tolerância de curto-circuito 1200V 40A FRD incorporado na função de tendências de paragem de campo 247n IGBT
US$ 0,1-0,6 / Peça

Encontre Produtos Semelhantes por Categoria

Página Inicial do Fornecedor Produtos TGBT imagens do Coletor baixo - Tensão de saturação do emissor Ost40n120hmf 10µ S em curto-circuito Tolerância de 1200 V 40 a FRD incorporado na estrutura de paragem de campo de 247 n IGBT
Mais
Sobre nós Declaração Acordo do Usuário Política de Privacidade Fale com Made-in-China.com Produtos Rápidos
Opções de Língua: English 简体中文 繁體中文 日本語 Français Español Deutsch Português Italiano Русский язык 한국어 العربية Nederlands हिन्दी ภาษาไทย Türkçe Tiếng Việt Bahasa Indonesia
Copyright ©2024Focus Technology Co., Ltd. Todos os direitos reservados.
Focus não é responsável pela diferença entre a versão Inglês e outras versões linguísticas do site. Se houver qualquer conflito, a versão Inglesa prevalecerá. Seu uso deste site está sujeito a, e constitui o reconhecimento e aceitação dos nossos Termos e Condições.