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Melhoramento do transistor Diodo de SIC247 Ost75N65hswf Vces-650V a máxima temperatura da junção175, IC, Pulso-300A VCE (sat) -1,5 V-204Qg nc N canais IGBT de energia

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Referência Preço FOB
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US$ 0,6-1,6 / Peça | 330 Peças (Quantidade Mínima)
Certificação: RoHS, ISO
Forma: Tubo de metal Porcelain
Tipo de blindagem: Afiada Cutoff Tubo Blindagem
Método de refrigeração: Air Tubo Refrigerado
Função: Mudar Transistor
Freqüência de trabalho: Alta frequência
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