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Díodo SIC de melhoramento do transístor To247 Ost80n65hewf Vces-650V temperatura máxima de junção 175, IC, Pulse-320A VCE (SAT)-1,45V QG-168nc potência de canal N IGBT

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Referência Preço FOB
Obter Último Preço
US$ 0,2-1,2 / Peça | 450 Peças (Quantidade Mínima)
Certificação: RoHS, ISO
Forma: ST
Tipo de blindagem: Afiada Cutoff Tubo Blindagem
Método de refrigeração: Air Tubo Refrigerado
Função: Mudar Transistor
Freqüência de trabalho: Alta frequência
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