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O Díodo Schottky de carboneto de silício VRRM é de 1200 V SE o controlo de qualidade (QC) for de 66A(2) for de 228nC(2) obtém a redução das aplicações De EMI YJD112040NCTGG2

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Referência Preço FOB
Obter Último Preço
US$ 0,741 / Peça | 1.000 Peças (Quantidade Mínima)
Certificação: RoHS
Função: Mudar Transistor
Estrutura encapsulamento: TO-247AB
Material: Silício
Features1: Extremely Low Switching Loss
Features2: Excellent Stability and Uniformity
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