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Miss Winnie Gao
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Potência de Super junção N de 650 V MOSFET Dhdsj11n65 a 252b pictures & photos
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Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
Material: Metal-Oxide Semiconductor
Tipo: Semicondutor Tipo N
Pacote: to-252b
Aplicação: Power Supply
Modelo: Dhdsj11n65
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