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Transístor bipolar de porta isolada de 650 V com resistência de tendências IGBT Dgc50f65m2 a -247

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US$ 0,01-1,5 / Peça | 5.000 Peças (Quantidade Mínima)
Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
Material: Silicon
Tipo: Semicondutor Tipo N
Pacote: to-247
Aplicação: Welding, UPS
Modelo: Dgc50f65m2
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