Início Elétrico & Eletrônico Circuito Integrado transístor mosfet 2024 Lista de produtos

transístor mosfet

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Pacote S-Channel de 800 W, 900 V, MOSFET To252, Osg80r900df

Pacote S-Channel de 800 W, 900 V, MOSFET To252, Osg80r900df

Pacote S-Channel de 800 W, 900 V, MOSFET To252, Osg80r900df

Pacote S-Channel de 800 W, 900 V, MOSFET To252, Osg80r900df

Pacote S-Channel de 800 W, 900 V, MOSFET To252, Osg80r900df

Pacote S-Channel de 800 W, 900 V, MOSFET To252, Osg80r900df

1/ 6

Favoritos

Pacote S-Channel de 800 W, 900 V, MOSFET To252, Osg80r900df

US$ 0,1-0,5 / Peça

5.000 Peças (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: SMD

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Frigorífico

Iluminação LED 3 Fase de topologia de Viena EV Carregar pilhas Vds, Min @ Tj (max) 700V ID, Osg65R035a247 do htf Mosfet de potência de alta tensão

Iluminação LED 3 Fase de topologia de Viena EV Carregar pilhas Vds, Min @ Tj (max) 700V ID, Osg65R035a247 do htf Mosfet de potência de alta tensão

Iluminação LED 3 Fase de topologia de Viena EV Carregar pilhas Vds, Min @ Tj (max) 700V ID, Osg65R035a247 do htf Mosfet de potência de alta tensão

Iluminação LED 3 Fase de topologia de Viena EV Carregar pilhas Vds, Min @ Tj (max) 700V ID, Osg65R035a247 do htf Mosfet de potência de alta tensão

Iluminação LED 3 Fase de topologia de Viena EV Carregar pilhas Vds, Min @ Tj (max) 700V ID, Osg65R035a247 do htf Mosfet de potência de alta tensão

Iluminação LED 3 Fase de topologia de Viena EV Carregar pilhas Vds, Min @ Tj (max) 700V ID, Osg65R035a247 do htf Mosfet de potência de alta tensão

1/ 6

Favoritos

Iluminação LED 3 Fase de topologia de Viena EV Carregar pilhas Vds, Min @ Tj (max) 700V ID, Osg65R035a247 do htf Mosfet de potência de alta tensão

US$ 0,2 / Peça

660 Peças (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: SMD

Processamento de Sinais: Digital

Aplicação: Célula Solar

Tensão Alta do transistor de potência Pdfn 8*8 Package Osg80R300jf N-channel 800W 300V de alimentação MOSFET transistor semicondutor

Tensão Alta do transistor de potência Pdfn 8*8 Package Osg80R300jf N-channel 800W 300V de alimentação MOSFET transistor semicondutor

Tensão Alta do transistor de potência Pdfn 8*8 Package Osg80R300jf N-channel 800W 300V de alimentação MOSFET transistor semicondutor

Tensão Alta do transistor de potência Pdfn 8*8 Package Osg80R300jf N-channel 800W 300V de alimentação MOSFET transistor semicondutor

Tensão Alta do transistor de potência Pdfn 8*8 Package Osg80R300jf N-channel 800W 300V de alimentação MOSFET transistor semicondutor

Tensão Alta do transistor de potência Pdfn 8*8 Package Osg80R300jf N-channel 800W 300V de alimentação MOSFET transistor semicondutor

1/ 6

Favoritos

Tensão Alta do transistor de potência Pdfn 8*8 Package Osg80R300jf N-channel 800W 300V de alimentação MOSFET transistor semicondutor

US$ 0,1-0,5 / Peça

5.000 Peças (MOQ)

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Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: SMD

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Frigorífico

A energia do PC252 Package Osg80R900DF N-channel 800W 900V de alimentação MOSFET transistor semicondutor

A energia do PC252 Package Osg80R900DF N-channel 800W 900V de alimentação MOSFET transistor semicondutor

A energia do PC252 Package Osg80R900DF N-channel 800W 900V de alimentação MOSFET transistor semicondutor

A energia do PC252 Package Osg80R900DF N-channel 800W 900V de alimentação MOSFET transistor semicondutor

A energia do PC252 Package Osg80R900DF N-channel 800W 900V de alimentação MOSFET transistor semicondutor

A energia do PC252 Package Osg80R900DF N-channel 800W 900V de alimentação MOSFET transistor semicondutor

1/ 6

Favoritos

A energia do PC252 Package Osg80R900DF N-channel 800W 900V de alimentação MOSFET transistor semicondutor

US$ 0,1-0,5 / Peça

5.000 Peças (MOQ)

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Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: DIP (Embalagem em Linha Dupla)

Processamento de Sinais: Digital

Aplicação: Frigorífico

Pacote de alta tensão Pdfn 8 * 8 Osg80r300jf, canal único N, 800 V, 300 V. MOSFET de potência

Pacote de alta tensão Pdfn 8 * 8 Osg80r300jf, canal único N, 800 V, 300 V. MOSFET de potência

Pacote de alta tensão Pdfn 8 * 8 Osg80r300jf, canal único N, 800 V, 300 V. MOSFET de potência

Pacote de alta tensão Pdfn 8 * 8 Osg80r300jf, canal único N, 800 V, 300 V. MOSFET de potência

Pacote de alta tensão Pdfn 8 * 8 Osg80r300jf, canal único N, 800 V, 300 V. MOSFET de potência

Pacote de alta tensão Pdfn 8 * 8 Osg80r300jf, canal único N, 800 V, 300 V. MOSFET de potência

1/ 6

Favoritos

Pacote de alta tensão Pdfn 8 * 8 Osg80r300jf, canal único N, 800 V, 300 V. MOSFET de potência

US$ 0,1-0,5 / Peça

5.000 Peças (MOQ)

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: DIP (Embalagem em Linha Dupla)

Processamento de Sinais: Digital

Aplicação: Medição de Temperatura

MOSFET To252 Pacote Osg80r900df N-Channel de 800 V e transístor de semicondutores de potência de 900 V. MOSFET

MOSFET To252 Pacote Osg80r900df N-Channel de 800 V e transístor de semicondutores de potência de 900 V. MOSFET

MOSFET To252 Pacote Osg80r900df N-Channel de 800 V e transístor de semicondutores de potência de 900 V. MOSFET

MOSFET To252 Pacote Osg80r900df N-Channel de 800 V e transístor de semicondutores de potência de 900 V. MOSFET

MOSFET To252 Pacote Osg80r900df N-Channel de 800 V e transístor de semicondutores de potência de 900 V. MOSFET

MOSFET To252 Pacote Osg80r900df N-Channel de 800 V e transístor de semicondutores de potência de 900 V. MOSFET

1/ 6

Favoritos

MOSFET To252 Pacote Osg80r900df N-Channel de 800 V e transístor de semicondutores de potência de 900 V. MOSFET

US$ 0,1-0,5 / Peça

5.000 Peças (MOQ)

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Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: SMD

Processamento de Sinais: Digital

Aplicação: Medição de Temperatura

Potência do servidor trifásica Topology Vienna pilhas de carregamento EV VDS, min @ TJ (máx.) 700 V ID, MOSFET de alta tensão Osg65r035htf To247

Potência do servidor trifásica Topology Vienna pilhas de carregamento EV VDS, min @ TJ (máx.) 700 V ID, MOSFET de alta tensão Osg65r035htf To247

Potência do servidor trifásica Topology Vienna pilhas de carregamento EV VDS, min @ TJ (máx.) 700 V ID, MOSFET de alta tensão Osg65r035htf To247

Potência do servidor trifásica Topology Vienna pilhas de carregamento EV VDS, min @ TJ (máx.) 700 V ID, MOSFET de alta tensão Osg65r035htf To247

Potência do servidor trifásica Topology Vienna pilhas de carregamento EV VDS, min @ TJ (máx.) 700 V ID, MOSFET de alta tensão Osg65r035htf To247

Potência do servidor trifásica Topology Vienna pilhas de carregamento EV VDS, min @ TJ (máx.) 700 V ID, MOSFET de alta tensão Osg65r035htf To247

1/ 6

Favoritos

Potência do servidor trifásica Topology Vienna pilhas de carregamento EV VDS, min @ TJ (máx.) 700 V ID, MOSFET de alta tensão Osg65r035htf To247

US$ 0,2 / Peça

660 Peças (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: SMD

Processamento de Sinais: Digital

Aplicação: Célula Solar

Pacote de iluminação LED To252 Osg80r900df N-Channel, 800 W, MOSFET de potência de 900 V.

Pacote de iluminação LED To252 Osg80r900df N-Channel, 800 W, MOSFET de potência de 900 V.

Pacote de iluminação LED To252 Osg80r900df N-Channel, 800 W, MOSFET de potência de 900 V.

Pacote de iluminação LED To252 Osg80r900df N-Channel, 800 W, MOSFET de potência de 900 V.

Pacote de iluminação LED To252 Osg80r900df N-Channel, 800 W, MOSFET de potência de 900 V.

Pacote de iluminação LED To252 Osg80r900df N-Channel, 800 W, MOSFET de potência de 900 V.

1/ 6

Favoritos

Pacote de iluminação LED To252 Osg80r900df N-Channel, 800 W, MOSFET de potência de 900 V.

US$ 0,1-0,5 / Peça

5.000 Peças (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: DIP (Embalagem em Linha Dupla)

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Frigorífico

Pilhas de carregamento para veículos elétricos (EV) de topologia em Viena trifásica solar/UPS, min @ TJ (máx.) 700 V ID, MOSFET de alta tensão Osg65r035htf To247

Pilhas de carregamento para veículos elétricos (EV) de topologia em Viena trifásica solar/UPS, min @ TJ (máx.) 700 V ID, MOSFET de alta tensão Osg65r035htf To247

Pilhas de carregamento para veículos elétricos (EV) de topologia em Viena trifásica solar/UPS, min @ TJ (máx.) 700 V ID, MOSFET de alta tensão Osg65r035htf To247

Pilhas de carregamento para veículos elétricos (EV) de topologia em Viena trifásica solar/UPS, min @ TJ (máx.) 700 V ID, MOSFET de alta tensão Osg65r035htf To247

Pilhas de carregamento para veículos elétricos (EV) de topologia em Viena trifásica solar/UPS, min @ TJ (máx.) 700 V ID, MOSFET de alta tensão Osg65r035htf To247

Pilhas de carregamento para veículos elétricos (EV) de topologia em Viena trifásica solar/UPS, min @ TJ (máx.) 700 V ID, MOSFET de alta tensão Osg65r035htf To247

1/ 6

Favoritos

Pilhas de carregamento para veículos elétricos (EV) de topologia em Viena trifásica solar/UPS, min @ TJ (máx.) 700 V ID, MOSFET de alta tensão Osg65r035htf To247

US$ 0,2 / Peça

660 Peças (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: SMD

Processamento de Sinais: Digital

Aplicação: Célula Solar

Igw40n120h3 0 a IGBT discreto em comutação de desligamento semelhante a MOSFET para 247 Comportamento

Igw40n120h3 0 a IGBT discreto em comutação de desligamento semelhante a MOSFET para 247 Comportamento

Igw40n120h3 0 a IGBT discreto em comutação de desligamento semelhante a MOSFET para 247 Comportamento

Igw40n120h3 0 a IGBT discreto em comutação de desligamento semelhante a MOSFET para 247 Comportamento

Igw40n120h3 0 a IGBT discreto em comutação de desligamento semelhante a MOSFET para 247 Comportamento

Igw40n120h3 0 a IGBT discreto em comutação de desligamento semelhante a MOSFET para 247 Comportamento

1/ 6

Favoritos

Igw40n120h3 0 a IGBT discreto em comutação de desligamento semelhante a MOSFET para 247 Comportamento

US$ 4,00-7,00 / Peça

240 Peças (MOQ)

Shenzhen Botong Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: Embalagem PGA

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Medição de Temperatura

Fontes de alimentação ininterruptas To247-P 800 W Ost75n65hsmf 30V fabricante Trident Gate MOSFET bipolar

Fontes de alimentação ininterruptas To247-P 800 W Ost75n65hsmf 30V fabricante Trident Gate MOSFET bipolar

Fontes de alimentação ininterruptas To247-P 800 W Ost75n65hsmf 30V fabricante Trident Gate MOSFET bipolar

Fontes de alimentação ininterruptas To247-P 800 W Ost75n65hsmf 30V fabricante Trident Gate MOSFET bipolar

Fontes de alimentação ininterruptas To247-P 800 W Ost75n65hsmf 30V fabricante Trident Gate MOSFET bipolar

Fontes de alimentação ininterruptas To247-P 800 W Ost75n65hsmf 30V fabricante Trident Gate MOSFET bipolar

1/ 6

Favoritos

Fontes de alimentação ininterruptas To247-P 800 W Ost75n65hsmf 30V fabricante Trident Gate MOSFET bipolar

US$ 2,5-3,00 / Peça

5.000 Peças (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: DIP (Embalagem em Linha Dupla)

Processamento de Sinais: Digital

Aplicação: Medição de Temperatura

Potência do PC 3 Fase de topologia de Viena EV Carregar pilhas Vds, Min @ Tj (max) 700V ID, Osg65R035a247 do htf Mosfet de potência de alta tensão

Potência do PC 3 Fase de topologia de Viena EV Carregar pilhas Vds, Min @ Tj (max) 700V ID, Osg65R035a247 do htf Mosfet de potência de alta tensão

Potência do PC 3 Fase de topologia de Viena EV Carregar pilhas Vds, Min @ Tj (max) 700V ID, Osg65R035a247 do htf Mosfet de potência de alta tensão

Potência do PC 3 Fase de topologia de Viena EV Carregar pilhas Vds, Min @ Tj (max) 700V ID, Osg65R035a247 do htf Mosfet de potência de alta tensão

Potência do PC 3 Fase de topologia de Viena EV Carregar pilhas Vds, Min @ Tj (max) 700V ID, Osg65R035a247 do htf Mosfet de potência de alta tensão

Potência do PC 3 Fase de topologia de Viena EV Carregar pilhas Vds, Min @ Tj (max) 700V ID, Osg65R035a247 do htf Mosfet de potência de alta tensão

1/ 6

Favoritos

Potência do PC 3 Fase de topologia de Viena EV Carregar pilhas Vds, Min @ Tj (max) 700V ID, Osg65R035a247 do htf Mosfet de potência de alta tensão

US$ 0,2 / Peça

660 Peças (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: BGA

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Frigorífico

Excelente Condução e perda de comutação para247-F 800W Ost75N65hsmf 30V Fabricante Trident Gate transistor bipolar

Excelente Condução e perda de comutação para247-F 800W Ost75N65hsmf 30V Fabricante Trident Gate transistor bipolar

Excelente Condução e perda de comutação para247-F 800W Ost75N65hsmf 30V Fabricante Trident Gate transistor bipolar

Excelente Condução e perda de comutação para247-F 800W Ost75N65hsmf 30V Fabricante Trident Gate transistor bipolar

Excelente Condução e perda de comutação para247-F 800W Ost75N65hsmf 30V Fabricante Trident Gate transistor bipolar

Excelente Condução e perda de comutação para247-F 800W Ost75N65hsmf 30V Fabricante Trident Gate transistor bipolar

1/ 6

Favoritos

Excelente Condução e perda de comutação para247-F 800W Ost75N65hsmf 30V Fabricante Trident Gate transistor bipolar

US$ 2,5-3,00 / Peça

5.000 Peças (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Dispositivo de Circuitos Integrados

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: SMD

Processamento de Sinais: Simulação

Aplicação: Célula Solar

Transístores de semicondutores discretos de componentes eletrónicos

Transístores de semicondutores discretos de componentes eletrónicos

Transístores de semicondutores discretos de componentes eletrónicos

Transístores de semicondutores discretos de componentes eletrónicos

Transístores de semicondutores discretos de componentes eletrónicos

1/ 5

Favoritos

Transístores de semicondutores discretos de componentes eletrónicos

US$ 0,2-0,5 / Peça

10 Peças (MOQ)

Ucreate PCB Co., Ltd.

Tour Virtual 360 °

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Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semiconductor Intrínseco

Pacote: SMD

Processamento de Sinais: Digital

Aplicação: Frigorífico

Núcleo do controlador de porta MOSFET 2sc0106t2a1-12 para IGBTs de 1200 V 37kw Para 110 kw de potência

Núcleo do controlador de porta MOSFET 2sc0106t2a1-12 para IGBTs de 1200 V 37kw Para 110 kw de potência

Núcleo do controlador de porta MOSFET 2sc0106t2a1-12 para IGBTs de 1200 V 37kw Para 110 kw de potência

Núcleo do controlador de porta MOSFET 2sc0106t2a1-12 para IGBTs de 1200 V 37kw Para 110 kw de potência

Núcleo do controlador de porta MOSFET 2sc0106t2a1-12 para IGBTs de 1200 V 37kw Para 110 kw de potência

Núcleo do controlador de porta MOSFET 2sc0106t2a1-12 para IGBTs de 1200 V 37kw Para 110 kw de potência

1/ 6

Favoritos

Núcleo do controlador de porta MOSFET 2sc0106t2a1-12 para IGBTs de 1200 V 37kw Para 110 kw de potência

US$ 18,00-25,00 / Peça

10 Peças (MOQ)

Shenzhen Botong Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: Embalagem PGA

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Medição de Temperatura

Novos componentes eletrónicos Nttfs4c05ntag N-Channel MOSFET Wdfn-8 originais

Novos componentes eletrónicos Nttfs4c05ntag N-Channel MOSFET Wdfn-8 originais

Novos componentes eletrónicos Nttfs4c05ntag N-Channel MOSFET Wdfn-8 originais

Novos componentes eletrónicos Nttfs4c05ntag N-Channel MOSFET Wdfn-8 originais

Novos componentes eletrónicos Nttfs4c05ntag N-Channel MOSFET Wdfn-8 originais

Novos componentes eletrónicos Nttfs4c05ntag N-Channel MOSFET Wdfn-8 originais

1/ 6

Favoritos

Novos componentes eletrónicos Nttfs4c05ntag N-Channel MOSFET Wdfn-8 originais

US$ 0,5-8,8 / Peça

1 Peça (MOQ)

Usun Electronics Limited.,

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Tecnologia de Fabricação: Lógica IC

Material: Semicondutor Composto

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: BGA

Processamento de Sinais: Digital

Aplicação: Medição de Temperatura

2sc0535t2a1-33 diafragma duplo com capacidade de sincronização Design de inversor fácil que cobre uma posição mais elevada Potências nominais

2sc0535t2a1-33 diafragma duplo com capacidade de sincronização Design de inversor fácil que cobre uma posição mais elevada Potências nominais

2sc0535t2a1-33 diafragma duplo com capacidade de sincronização Design de inversor fácil que cobre uma posição mais elevada Potências nominais

2sc0535t2a1-33 diafragma duplo com capacidade de sincronização Design de inversor fácil que cobre uma posição mais elevada Potências nominais

2sc0535t2a1-33 diafragma duplo com capacidade de sincronização Design de inversor fácil que cobre uma posição mais elevada Potências nominais

2sc0535t2a1-33 diafragma duplo com capacidade de sincronização Design de inversor fácil que cobre uma posição mais elevada Potências nominais

1/ 6

Favoritos

2sc0535t2a1-33 diafragma duplo com capacidade de sincronização Design de inversor fácil que cobre uma posição mais elevada Potências nominais

US$ 130,00-140,00 / Peça

3 Peças (MOQ)

Shenzhen Botong Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: Embalagem PGA

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Medição de Temperatura

Fp50R12W2T7-B11 módulos integrados Módulo IGBT Industrial para unidades de motor e controles

Fp50R12W2T7-B11 módulos integrados Módulo IGBT Industrial para unidades de motor e controles

Fp50R12W2T7-B11 módulos integrados Módulo IGBT Industrial para unidades de motor e controles

Fp50R12W2T7-B11 módulos integrados Módulo IGBT Industrial para unidades de motor e controles

Fp50R12W2T7-B11 módulos integrados Módulo IGBT Industrial para unidades de motor e controles

Fp50R12W2T7-B11 módulos integrados Módulo IGBT Industrial para unidades de motor e controles

1/ 6

Favoritos

Fp50R12W2T7-B11 módulos integrados Módulo IGBT Industrial para unidades de motor e controles

US$ 40,00-50,00 / Peça

15 Peças (MOQ)

Shenzhen Botong Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: Embalagem PGA

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Medição de Temperatura

Fz600r12ke3 flexibilidade IGBT3 e Emitter controlado 3 Díodo com baixo Perdas de comutação

Fz600r12ke3 flexibilidade IGBT3 e Emitter controlado 3 Díodo com baixo Perdas de comutação

Fz600r12ke3 flexibilidade IGBT3 e Emitter controlado 3 Díodo com baixo Perdas de comutação

Fz600r12ke3 flexibilidade IGBT3 e Emitter controlado 3 Díodo com baixo Perdas de comutação

Fz600r12ke3 flexibilidade IGBT3 e Emitter controlado 3 Díodo com baixo Perdas de comutação

Fz600r12ke3 flexibilidade IGBT3 e Emitter controlado 3 Díodo com baixo Perdas de comutação

1/ 6

Favoritos

Fz600r12ke3 flexibilidade IGBT3 e Emitter controlado 3 Díodo com baixo Perdas de comutação

US$ 110,00-130,00 / Peça

10 Peças (MOQ)

Shenzhen Botong Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: Embalagem PGA

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Medição de Temperatura

FF150r12kt3g módulo IGBT de semicondutores para fotovoltaicos

FF150r12kt3g módulo IGBT de semicondutores para fotovoltaicos

FF150r12kt3g módulo IGBT de semicondutores para fotovoltaicos

FF150r12kt3g módulo IGBT de semicondutores para fotovoltaicos

FF150r12kt3g módulo IGBT de semicondutores para fotovoltaicos

FF150r12kt3g módulo IGBT de semicondutores para fotovoltaicos

1/ 6

Favoritos

FF150r12kt3g módulo IGBT de semicondutores para fotovoltaicos

US$ 65,00-85,00 / Peça

10 Peças (MOQ)

Shenzhen Botong Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: Embalagem PGA

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Medição de Temperatura

FF600R12Ke4 Infineon Componente Eletrônico Emissor Diodo controlado

FF600R12Ke4 Infineon Componente Eletrônico Emissor Diodo controlado

FF600R12Ke4 Infineon Componente Eletrônico Emissor Diodo controlado

FF600R12Ke4 Infineon Componente Eletrônico Emissor Diodo controlado

FF600R12Ke4 Infineon Componente Eletrônico Emissor Diodo controlado

FF600R12Ke4 Infineon Componente Eletrônico Emissor Diodo controlado

1/ 6

Favoritos

FF600R12Ke4 Infineon Componente Eletrônico Emissor Diodo controlado

US$ 155,00-175,00 / Peça

10 Peças (MOQ)

Shenzhen Botong Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: Embalagem PGA

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Medição de Temperatura

Skm200GB12t4 cobre de ligação directa de 1200 V para unidades inversoras AC E UPS

Skm200GB12t4 cobre de ligação directa de 1200 V para unidades inversoras AC E UPS

Skm200GB12t4 cobre de ligação directa de 1200 V para unidades inversoras AC E UPS

Skm200GB12t4 cobre de ligação directa de 1200 V para unidades inversoras AC E UPS

Skm200GB12t4 cobre de ligação directa de 1200 V para unidades inversoras AC E UPS

Skm200GB12t4 cobre de ligação directa de 1200 V para unidades inversoras AC E UPS

1/ 6

Favoritos

Skm200GB12t4 cobre de ligação directa de 1200 V para unidades inversoras AC E UPS

US$ 58,00-65,00 / Peça

12 Peças (MOQ)

Shenzhen Botong Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: Embalagem PGA

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Medição de Temperatura

FF1800r17IP5 perdas totais reduzidas para 20% IGBT com CTI> 400 XT Soft Switching Interconnection Technology

FF1800r17IP5 perdas totais reduzidas para 20% IGBT com CTI> 400 XT Soft Switching Interconnection Technology

FF1800r17IP5 perdas totais reduzidas para 20% IGBT com CTI> 400 XT Soft Switching Interconnection Technology

FF1800r17IP5 perdas totais reduzidas para 20% IGBT com CTI> 400 XT Soft Switching Interconnection Technology

FF1800r17IP5 perdas totais reduzidas para 20% IGBT com CTI> 400 XT Soft Switching Interconnection Technology

FF1800r17IP5 perdas totais reduzidas para 20% IGBT com CTI> 400 XT Soft Switching Interconnection Technology

1/ 6

Favoritos

FF1800r17IP5 perdas totais reduzidas para 20% IGBT com CTI> 400 XT Soft Switching Interconnection Technology

US$ 925,00-960,00 / Peça

2 Peças (MOQ)

Shenzhen Botong Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: Embalagem PGA

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Medição de Temperatura

FF900R12IP4 Alto Curto-circuito Capacidade, Auto limitar a corrente de curto circuito IGBT de diodo para tracção

FF900R12IP4 Alto Curto-circuito Capacidade, Auto limitar a corrente de curto circuito IGBT de diodo para tracção

FF900R12IP4 Alto Curto-circuito Capacidade, Auto limitar a corrente de curto circuito IGBT de diodo para tracção

FF900R12IP4 Alto Curto-circuito Capacidade, Auto limitar a corrente de curto circuito IGBT de diodo para tracção

FF900R12IP4 Alto Curto-circuito Capacidade, Auto limitar a corrente de curto circuito IGBT de diodo para tracção

FF900R12IP4 Alto Curto-circuito Capacidade, Auto limitar a corrente de curto circuito IGBT de diodo para tracção

1/ 6

Favoritos

FF900R12IP4 Alto Curto-circuito Capacidade, Auto limitar a corrente de curto circuito IGBT de diodo para tracção

US$ 300,00-350,00 / Peça

3 Peças (MOQ)

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: Embalagem PGA

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Medição de Temperatura

Módulo IGBT FF450r12me4 com díodo HE controlado por emissor e NTC

Módulo IGBT FF450r12me4 com díodo HE controlado por emissor e NTC

Módulo IGBT FF450r12me4 com díodo HE controlado por emissor e NTC

Módulo IGBT FF450r12me4 com díodo HE controlado por emissor e NTC

Módulo IGBT FF450r12me4 com díodo HE controlado por emissor e NTC

Módulo IGBT FF450r12me4 com díodo HE controlado por emissor e NTC

1/ 6

Favoritos

Módulo IGBT FF450r12me4 com díodo HE controlado por emissor e NTC

US$ 100,00-115,00 / Peça

10 Peças (MOQ)

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: Embalagem PGA

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Medição de Temperatura

Skm200GB12t4 200 um curto-circuito, Auto limitar a 6 X Icnom IGBT

Skm200GB12t4 200 um curto-circuito, Auto limitar a 6 X Icnom IGBT

Skm200GB12t4 200 um curto-circuito, Auto limitar a 6 X Icnom IGBT

Skm200GB12t4 200 um curto-circuito, Auto limitar a 6 X Icnom IGBT

Skm200GB12t4 200 um curto-circuito, Auto limitar a 6 X Icnom IGBT

Skm200GB12t4 200 um curto-circuito, Auto limitar a 6 X Icnom IGBT

1/ 6

Favoritos

Skm200GB12t4 200 um curto-circuito, Auto limitar a 6 X Icnom IGBT

US$ 58,00-65,00 / Peça

12 Peças (MOQ)

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: Embalagem PGA

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Medição de Temperatura

Semitrans 3 (106X62X31) Skm200GB12t4 22892060 Comutação Suave 4ª Geração Cal-Diode

Semitrans 3 (106X62X31) Skm200GB12t4 22892060 Comutação Suave 4ª Geração Cal-Diode

Semitrans 3 (106X62X31) Skm200GB12t4 22892060 Comutação Suave 4ª Geração Cal-Diode

Semitrans 3 (106X62X31) Skm200GB12t4 22892060 Comutação Suave 4ª Geração Cal-Diode

Semitrans 3 (106X62X31) Skm200GB12t4 22892060 Comutação Suave 4ª Geração Cal-Diode

Semitrans 3 (106X62X31) Skm200GB12t4 22892060 Comutação Suave 4ª Geração Cal-Diode

1/ 6

Favoritos

Semitrans 3 (106X62X31) Skm200GB12t4 22892060 Comutação Suave 4ª Geração Cal-Diode

US$ 58,00-65,00 / Peça

12 Peças (MOQ)

Shenzhen Botong Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: Embalagem PGA

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Medição de Temperatura

Módulo IGBT de dispositivo sensível a descarga eletrostática Skm200GB12t4

Módulo IGBT de dispositivo sensível a descarga eletrostática Skm200GB12t4

Módulo IGBT de dispositivo sensível a descarga eletrostática Skm200GB12t4

Módulo IGBT de dispositivo sensível a descarga eletrostática Skm200GB12t4

Módulo IGBT de dispositivo sensível a descarga eletrostática Skm200GB12t4

Módulo IGBT de dispositivo sensível a descarga eletrostática Skm200GB12t4

1/ 6

Favoritos

Módulo IGBT de dispositivo sensível a descarga eletrostática Skm200GB12t4

US$ 58,00-65,00 / Peça

12 Peças (MOQ)

Shenzhen Botong Electric Co., Ltd.

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: Embalagem PGA

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Medição de Temperatura

Skm200GB12T4 4ª Geração Fast trincheira IGBT integrado com resistências de bico valvulado

Skm200GB12T4 4ª Geração Fast trincheira IGBT integrado com resistências de bico valvulado

Skm200GB12T4 4ª Geração Fast trincheira IGBT integrado com resistências de bico valvulado

Skm200GB12T4 4ª Geração Fast trincheira IGBT integrado com resistências de bico valvulado

Skm200GB12T4 4ª Geração Fast trincheira IGBT integrado com resistências de bico valvulado

Skm200GB12T4 4ª Geração Fast trincheira IGBT integrado com resistências de bico valvulado

1/ 6

Favoritos

Skm200GB12T4 4ª Geração Fast trincheira IGBT integrado com resistências de bico valvulado

US$ 58,00-65,00 / Peça

12 Peças (MOQ)

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Tecnologia de Fabricação: Semicondutor Optoeletrônico

Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

Pacote: Embalagem PGA

Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função

Aplicação: Medição de Temperatura

Fp25R12W2T7 Emissor controlado 7 Diodo e Ntc Pim Módulo IGBT com Trenchstop™ IGBT7

Fp25R12W2T7 Emissor controlado 7 Diodo e Ntc Pim Módulo IGBT com Trenchstop™ IGBT7

Fp25R12W2T7 Emissor controlado 7 Diodo e Ntc Pim Módulo IGBT com Trenchstop™ IGBT7

Fp25R12W2T7 Emissor controlado 7 Diodo e Ntc Pim Módulo IGBT com Trenchstop™ IGBT7

Fp25R12W2T7 Emissor controlado 7 Diodo e Ntc Pim Módulo IGBT com Trenchstop™ IGBT7

Fp25R12W2T7 Emissor controlado 7 Diodo e Ntc Pim Módulo IGBT com Trenchstop™ IGBT7

1/ 6

Favoritos

Fp25R12W2T7 Emissor controlado 7 Diodo e Ntc Pim Módulo IGBT com Trenchstop™ IGBT7

US$ 36,00-45,00 / Peça

15 Peças (MOQ)

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Material: Semiconductor de Elemento

Tipo: Semicondutor Tipo N

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